【技术实现步骤摘要】
本技术属于集成电路，尤其涉及一种基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器。
技术介绍
1、本技术应用于“开关电源”的电子电路的整个范围,在这个领域,这些布局中最常见和最知名的类型通常被称为“半桥”、“非对称半桥”和“全桥”。在已知的配置中,这些指示的配置是允许达到最高功率值的配置。然而,这些已知电路具有一些缺点,这主要是由于难以通过变压器正确驱动电子开关,而电子开关实际上是由有源电子元件(双极晶体管、scr、mosfet晶体管)提供的。
技术实现思路
1、本技术提供了一种基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器以解决如何通过变压器控制mosfet开关管驱动开通或关闭的的同时，实现驱动信号和关闭信号相位独立的问题。
2、根据本技术的第一方面，提供了一种基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器，通过变压器驱动开通和/或关闭mosfet开关管；包括：
3、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第一电阻以及第二电阻；
4、所述第一晶体管的基极用于输入第一输入信号；所述第一晶体管的基极连接所述第一晶体管的发射极；所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的基极、所述第一电容的第一端以及所述第一电阻的第一端；
5、所述第二晶体管的基极连接所述第二晶体管的发射极；所述第二晶体管的集电极连接所述第三晶体管的集电极与所述第五晶体管的发射极；
6、所述第五晶体管的基极连接所述第一电阻
7、所述第一电容的第二端连接所述第三晶体管的发射极与所述第五晶体管的集电极，且所述第一电容的第二端接地；
8、所述第一晶体管的集电极连接所述第一电压输入端，用于接收第一电压信号；所述第二晶体管的集电极连接第一输出端；
9、所述基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器用于根据输入的所述第一输入信号、所述第一复位信号以及所述第一电压信号，产生第一控制信号，并通过所述第一输出端输出到变压器，以通过所述变压器控制mosfet开关管驱动开通或关闭。
10、可选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管为npn型晶体管。
11、可选的，所述第五晶体管为pnp型晶体管。
12、根据本技术的第二方面，提供了一种驱动芯片，包括本技术第一方面的任一项所述的基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器。
13、根据本技术的第三方面，提供了一种电子设备，包括本技术第二方面所述的驱动芯片。
14、本技术提供的一种基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器，通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第一电阻以及第二电阻的巧妙设计，实现了根据输入的所述第一输入信号、所述第一复位信号以及所述第一电压信号，产生第一控制信号，并通过所述第一输出端输出到变压器，以通过所述变压器控制mosfet开关管驱动开通或关闭的技术效果。且本专利提供的技术方案实现了驱动信号和关闭信号相位独立。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器，通过变压器驱动开通和/或关闭MOSFET开关管；其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管为NPN型晶体管。
3.如权利要求2所述的基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器其特征在于，所述第五晶体管为PNP型晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器，通过变压器驱动开通和/或关闭mosfet开关管；其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于bipolar工艺变压器隔离mosfet驱动器，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：张顺琳，池继富，
申请(专利权)人：上海芯稳微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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