【技术实现步骤摘要】
本技术属于集成电路，尤其涉及高压mim电容版图结构、集成电路、驱动芯片以及电子设备。
技术介绍
1、超大规模集成电路中，电容是常用的无源器件之一。广泛应用在诸如采样保持电路，模数转换器，滤波器，以及射频电路等模块中。电容的匹配精度会直接影响整个模块的线性度、速度、面积、功耗等因素。集成电路实现的电容包括mom电容、mim(金属—绝缘体—金属)电容、pip电容等。
2、其中，mim电容是集成电路中的重要元器件，mim电容是利用上下两层metal之间的c，即电极层电容，上电极层为mn,下电极层为mn-1,因为普通的mn和mn-1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以c并不大。故mim会引入一层介质层ctm,这一层做在mn-1上面，mn下面，用via(通孔)与mn相连。
3、传统的mim电容版图设计方法是先设计一层下电极层，接着设计一层介质层，然后在介质层上打通孔并且打满，最后上电极层通过矩形通孔与介质层连接。矩形孔性能稳定定性不足。
4、因而，研发一种降低成本低且性能更稳定的高压mim电容版图设计，成为本领域技术人员急需解决的技术难题。
技术实现思路
1、本技术提供了高压mim电容版图结构、集成电路、驱动芯片以及电子设备，以解决现有的高压mim电容版图存在的成本高，性能稳定性不足的问题。
2、根据技术的第一方面，提供了一种高压mim电容版图结构，包括：
3、mim上极板与mim下极板；其中，所述mim上极板包括：沿第一方向依次排
4、若干接地保护层；
5、若干过孔结构；所述若干过孔结构形成于所述mim上极板、所述mim下极板以及所述若干接地保护层之间，以使得所述若干接地保护层通过对应的所述若干过孔接地；
6、其中，所述第一金属板与所述第二金属板的横截面均为“圆形结构”。
7、可选的，所述若干接地保护层沿所述第一方向依次形成在介电体中的不同介电层中；其中，所述介电层沿第二方向依次形成于介电体中的不同水平面；所述第二方向垂直于所述第一方向。
8、可选的，所述若干接地保护层包括：衬底、衬底注入层、第一过孔、第一金属接地保护层、第二过孔、第三过孔、第二金属接地保护层、第四过孔、第三金属接地保护层、第五过孔、第四金属接地保护层、第六过孔以及第五金属接地保护层沿第二方向依次排列；
9、所述衬底、所述衬底注入层、所述第一过孔、所述第一金属接地保护层、所述第二过孔、所述mim上极板、所述第三过孔、所述第二金属接地保护层、所述第四过孔、所述第三金属接地保护层、所述第五过孔、所述第四金属接地保护层、所述第六过孔以及第五金属接地保护层沿所述第二方向依次排列于对应的介电层中；其中，所述第五金属接地保护层中包括一过孔，所述mim下极板形成于所述第五金属接地保护层中一过孔中；
10、其中，所述第一金属接地保护层上设置金属引线，以使得所述第一金属接地保护层穿过所述第二过孔，连接到所述mim上极板上。
11、可选的，所述第二金属接地保护层中设置有若干过孔；若干过孔的横截面为“圆形”；其中，所述第二金属接地保护层中设置的若干过孔的位置和形状对应于所述mim上极板上所述两个以上第一金属板的位置和形状设置；
12、所述衬底、所述衬底注入层、所述第一过孔、所述第一金属接地保护层、所述第二过孔、所述第三过孔的横截面均为：“圆形”；且对应于所述mim上极板和所述mim极板中的金属板的与所述第二金属接地保护层中的若干过孔设置。
13、可选的，所述第四过孔、所述第三金属接地保护层中的过孔、所述第五过孔的轮廓适配于所述第二金属接地保护层的轮廓。
14、可选的，所述高压mim电容版图结构还包括：
15、pad开窗层，形成于所述第四金属接地保护层与所述第六过孔之间的所述介电层中。
16、可选的，所述介电层的材料为：氮化物；所述介电体的材料为：氧化硅。
17、根据本技术的第二方面，提供了一种集成电路，包括本技术第一方面的任一项所述的高压mim电容版图结构。
18、根据本技术的第三方面，提供了一种驱动芯片，包括本技术第二方面所述的集成电路。
19、根据本技术的第四方面，提供了一种电子设备，包括本技术第三方面所述的驱动芯片。
20、本技术提供的一种高压mim电容版图结构，通过将mim上极板与mim下极板设置为：所述第一金属板与所述第二金属板的横截面均为“圆形结构”；由于“圆形结构”的mim上极板与mim下极板形成的高压mim电容版图结构性能更稳定；且所述mim上极板包括：沿第一方向依次排列的两个以上第一金属板；所述mim下极板包括沿所述第一方向依次排列的两个以上第二金属板；所述第二金属板与所述第一金属板的空间位置一一对应设置，若干金属板的排列进一步提高了电容的稳定性；且本技术提供的一种高压mim电容版图结构成本较低；可见，本技术提供的技术方案在降低成本的同时，性能更稳定。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高压MIM电容版图结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高压MIM电容版图结构，其特征在于，所述若干接地保护层沿所述第一方向依次形成在介电体中的不同介电层中；其中，所述介电层沿第二方向依次形成于介电体中的不同水平面；所述第二方向垂直于所述第一方向。
3.如权利要求2所述的高压MIM电容版图结构，其特征在于，所述若干接地保护层包括：衬底、衬底注入层、第一过孔、第一金属接地保护层、第二过孔、第三过孔、第二金属接地保护层、第四过孔、第三金属接地保护层、第五过孔、第四金属接地保护层、第六过孔以及第五金属接地保护层沿第二方向依次排列；
4.如权利要求3所述的高压MIM电容版图结构，其特征在于，
5.如权利要求4所述的高压MIM电容版图结构，其特征在于，所述第四过孔、所述第三金属接地保护层中的过孔、所述第五过孔的轮廓适配于所述第二金属接地保护层的轮廓。
6.如权利要求5所述的高压MIM电容版图结构，其特征在于，所述高压MIM电容版图结构还包括：
7.如权利要求6所述的高压MIM电容版图结构，其特征在于，
8.一种集成电路，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的高压MIM电容版图结构。
9.一种驱动芯片，其特征在于，包括权利要求8所述的集成电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的驱动芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种高压mim电容版图结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高压mim电容版图结构，其特征在于，所述若干接地保护层沿所述第一方向依次形成在介电体中的不同介电层中；其中，所述介电层沿第二方向依次形成于介电体中的不同水平面；所述第二方向垂直于所述第一方向。
3.如权利要求2所述的高压mim电容版图结构，其特征在于，所述若干接地保护层包括：衬底、衬底注入层、第一过孔、第一金属接地保护层、第二过孔、第三过孔、第二金属接地保护层、第四过孔、第三金属接地保护层、第五过孔、第四金属接地保护层、第六过孔以及第五金属接地保护层沿第二方向依次排列；
4.如权利要求3所述的高压mim电容版图结构，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：张顺琳，池继富，
申请(专利权)人：上海芯稳微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。