一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路制造技术

本发明专利技术涉及线性稳压电路技术领域，具体说是一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路。它的特点是包括输入端VIN、电流镜一、电流镜二和输出端VOUT。输入端VIN与电流镜一和电流镜二适配连接。电流镜一的电流输入支路通过MOS管N2的漏极和源极后通过调整器件接地，电流镜一的电流输出支路通过MOS管N3的漏极和源极后与通过所述调整器件接地。电流镜二的电流输入支路通过MOS管N1的漏极和源极后与接地，电流镜二的电流输出支路与所述输出端VOUT相连。MOS管N2为耗尽型MOS管，其栅极接地。MOS管N3的漏极与MOS管N1的栅极相连，且MOS管N3的漏极通过补偿器件接地。输出端VOUT通过反馈电路形成FB信号，FB信号与MOS管N3的栅极相连。该电路的结构简单，可移植性较好，功耗较低。功耗较低。功耗较低。

【技术实现步骤摘要】
一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路


[0001]本专利技术涉及线性稳压电路
，具体说是一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路。

技术介绍

[0002]传统的LDO电路如图1所示。它一般需要设置独立的参考电流、参考电压、运放电路、补偿电路、驱动电路等固有模块，电路较复杂且可移植性较差，并且由于电路复杂静态电流很难做低，通常都大于2uA，导致整个电路的功耗较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是提供一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路，该电路的结果简单，可移植性较好，功耗较低。解决了现有技术中电路较复杂、可移植性较差，功耗高的技术问题。
[0004]为解决上述问题，提供以下技术方案：
[0005]本专利技术的基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路的特点是包括输入端VIN、电流镜一、电流镜二和输出端VOUT。所述输入端VIN与电流镜一和电流镜二适配连接，用于为电流镜一和电流镜二提供工作电压。所述电流镜一的电流输入支路通过MOS管N2的漏极和源极后通过调整器件接地，电流镜一的电流输出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路，其特征在于，包括输入端VIN、电流镜一、电流镜二和输出端VOUT；所述输入端VIN与电流镜一和电流镜二适配连接，用于为电流镜一和电流镜二提供工作电压；所述电流镜一的电流输入支路通过MOS管N2的漏极和源极后通过调整器件接地，电流镜一的电流输出支路通过MOS管N3的漏极和源极后与通过所述调整器件接地；所述电流镜二的电流输入支路通过MOS管N1的漏极和源极后接地，电流镜二的电流输出支路与所述输出端VOUT相连；所述MOS管N2为耗尽型MOS管，其栅极接地；所述MOS管N3的漏极与MOS管N1的栅极相连，且MOS管N3的漏极通过补偿器件接地；所述输出端VOUT通过反馈电路形成FB信号，FB信号与MOS管N3的栅极相连。2.如权利要求1所述的基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路，其特征在于，所述电流镜一含有MOS管P1和MOS管P2，MOS管P1和MOS管P2的源极均与所述输入端VIN相连，MOS管P1的栅极和MOS管P2的栅极相连，MOS管P1的栅极与与MOS管P1的漏极相连，MOS管P1所在的支路为电流镜一的输入支路，MOS管P2所在的支路为电流镜一的输出支路；所述MOS管P1的漏极与MOS管N2的漏极相连，所述MOS管P2的漏极与MOS管N3的漏极相连。3.如权利要求2所述的基于耗尽型MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明超，陈俊，
申请(专利权)人：无锡迈尔斯通集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：