【技术实现步骤摘要】
一种适用于大动态范围对数放大器的负温漂带隙基准电路
[0001]本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种适用于大动态范围对数放大器的负温漂带隙基准电路。
技术介绍
[0002]带隙基准电路是集成电路芯片中最常见的电路模块之一，几乎所有类型的芯片都离不开带隙基准电路，带隙基准电路的核心思想是通过合理配置正温度系数和负温度系数的材料或电路使温度带来的变化相互抵消，从而得到与温度基本无关的常量。
[0003]相关技术中，对于大动态范围对数放大器，截距、斜率、动态范围以及对数一致性误差等指标在三温下的表现十分重要，而整流器的性能决定了斜率以及对数一致性误差，在
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55℃～125℃条件下，常规的零温漂带隙基准电路所提供的偏置在此处会使温度特性变差，从而使斜率和对数一致性误差这两个指标变差。
[0004]因此，亟需改善现有技术中存在的缺陷。
技术实现思路
[0005]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种适用于大动态范围对数放大器的负温漂带隙基准电路。本专利技术要解决...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于大动态范围对数放大器的负温漂带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路，所述启动电路用于提供启动电流；基准核心电路，包括多个晶体管和多个电阻，所述晶体管与所述电阻电连接，所述基准核心电路用于提供具有负温度系数的参考电压，为整流器提供偏置，使得整流器在
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55℃～125℃条件下的直流偏置电流温度系数极低。2.根据权利要求1所述的适用于大动态范围对数放大器的负温漂带隙基准电路，其特征在于，启动电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻，第四电阻、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；其中，所述第一电阻的第一端电连接使能信号端，用于接收使能信号，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端电连接；所述第二电阻的第二端与所述第一晶体管的第一端电连接；所述第一晶体管的第二端与所述第二晶体管的第一端电连接，所述第一晶体管的第三端与所述第二电阻的第一端电连接；所述第二晶体管的第二端电连接地端，所述第二晶体管的第三端与所述第二晶体管的第一端电连接；所述第三电阻的第一端电连接地端，所述第三电阻的第二端分别与所述第二电阻的第二端和所述第一晶体管的第一端电连接，所述第三电阻的第二端还与所述第三晶体管的第三端电连接；所述第四电阻的第一端电连接地端，所述第四电阻的第二端与所述第三晶体管的第一端电连接，所述第三晶体管的第二端输出启动电流。3.根据权利要求1所述的适用于大动态范围对数放大器的负温漂带隙基准电路，其特征在于，基准核心电路包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第一电容、第二电容和第三电容差；其中，所述第五电阻的第一端与所述第三晶体管的第二端电连接，用于接收启动电流，所述第五电阻的第二端电连接固定电压信号端；所述第四晶体管的第一端电连接固定电压信号端，所述第四晶体管的第二端分别与所述第六电阻的第一端、所述第七电阻的第一端和所述第八电阻的第一端电连接，所述第四晶体管的第三端与所述第三晶体管的第二端电连接；所述第六电阻的第二端与所述第五晶体管的第一端电连接，所述第五晶体管的第二端与所述第七晶体管的第一端电连接，所述第五晶体管的第三端分别与所述第五晶体管的第二端和所述第六晶体管的第三端电连接；所述第六晶体管的第一端与所述第七电阻的第二端电连接，所述第六晶体管的第二端与所述第八晶体管的第一端电连接，所述第六晶体管的第二端与所述第九晶体管的第三端电连接，所述第六晶体管的第二端还与所述第九电阻的第一端电连接；所述第八电阻的第二端与所述第九晶体管的第一端电连接，所述第八电阻的第二端还与所述第十晶体管的第一端电连接，所述第九晶体管的第二端与所述第十一晶体管的第一端电连接，所述第九晶体管的第二端还与所述第十二晶体管的第三端电连接，所述第十晶体管第二端与所述第十一晶体管的第一端电连接，所述第十晶体管的第二端还与所述第十二晶体管的第三端电连接，所述第十晶体管的第三端与所述第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡辉勇，张键，周远杰，何峥嵘，
申请(专利权)人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院，
类型：发明
国别省市：
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