一种硅基制造技术

本发明专利技术公开了一种堆叠微显示器结构及其制作工艺，其特征在于：包括基板，所述基板的正面设有像素电路，所述基本背面设有驱动电路；制作工艺：步骤

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED显示器件制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，更具体地说，涉及一种硅基
OLED
显示器件制备方法
。

技术介绍

[0002]随着元宇宙概念的崛起，目前市场上的
AR,VR
等设备的需求越来越大
。
目前市场上的现有
Micro OLED
全彩产品种类繁多，花样百出
。
首先作为便携性终端，首要考虑设备便携度，但是目前市场上眼睛重量普遍较重，大大影响了使用者的感受，使用场景亦受到制约；其次目前市面上的硅基微显示芯片多为平面显示，受限与芯片本身，不能跟人眼相匹配，需要通过一连串镜组去模仿曲面，故沉浸感相对较差，这些终端问题，都需要解决
。
[0003]而在硅基
oled
领域中，没有可弯曲形成复合人眼要求的
Micro OLED
产品
。
现有技术中存在的柔性产品不能很好的满足适度弯折要求；将硬质基底玻璃的柔性基板，其工艺步骤繁琐，存在剥离基底缺陷，易导致剥离损伤
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，具有一定的可弯曲性的硅基
OLED
显示器件制备方法
。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：所提供的这种硅基
OLED
显示器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤
1)
在硅基板上进行复合阳极膜层制作；步骤
2)
在步骤
1)
得到的具有阳极膜层的基板上制作形成有机发光层和阴极膜层；所述阴极膜层是复合阴极膜层；步骤
3)
在阴极膜层上制作封装膜层；
。
步骤
4)
在封装后的基板上制备
CF
和
OC
膜层；步骤
5)
在
OC
膜层上制作保护层；步骤
6)
将基板底部的硅基板进行背面减薄处理；步骤
7)
基板切割及折弯
。
[0006]为使上述技术方案更加详尽和具体，本专利技术还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
[0007]步骤
1)
中，将带有
CMOS
电路驱动的硅基板传入
PVD
设备中制作金属膜层，厚度在
40
‑
60nm
；金属膜层可选用
Al
金属膜层；然后在金属膜层上方制作
ITO
膜层，厚度在
10
‑
100nm。
[0008]步骤
2)
中，将步骤1之后得到的具有阳极膜层的基板传入蒸镀设备中，对基板进行有机白光
OLED
薄膜制备形成有机发光层
。
[0009]步骤
2)
中，在有机发光层上制备复合阴极膜层，所述复合阴极膜层包括
Mg
和
Ag
混合材料蒸镀形成的
Mg
和
Ag
阴极膜层，在蒸镀的
Mg
和
Ag
阴极膜层上沉积形成
TCO
阴极膜层
。
[0010]所述
Mg
和
Ag
阴极膜层厚度
10
‑
20nm
；所述
TCO
阴极膜层沉积厚度
60
‑
120nm。
[0011]步骤
3)
中，所述封装膜层包括第一层封装层和第二层封装膜层，所述第一封装膜层为
SIN
封装膜层，所述第二封装膜层为
IJP
封装膜层
。
[0012]在所述阴极膜层上沉积形成
SIN
封装膜层，所述
SIN
封装膜层厚度范围
500
‑
1000nm
；再将基板传入
IJP
设备中，再使用
ink
材料对基板进行有机薄膜封装，形成厚度在
900
‑
1100nm
的所述
IJP
封装膜层
。
[0013]步骤
5)
中，将步骤
4)
的基板传入
ODF
设备中对基板进行保护层制作，在
OC
膜层上进行围堰胶和面胶涂布，再选用柔性玻璃材料在基板进行贴合
。
[0014]所述柔性玻璃材料选用厚度
0.1
‑
0.3mm
的高铝玻璃
。
[0015]步骤
6)
中，将步骤
5)
后的基板传入
CMP
减薄设备中，对硅基板背面进行减薄，减薄至
10
‑
100um
[0016]本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术硅基
OLED
显示器件制备方法，结构简单，生产的产品具有一定的可弯曲性，更好的满足使用需求，具有较强的实用性和较好的应用前景
。
附图说明
[0017]下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0018]图1为步骤1基板结构示意图；
[0019]图2为步骤2基板结构示意图；
[0020]图3为步骤3基板结构示意图；
[0021]图4为步骤4基板结构示意图；
[0022]图5为步骤5基板结构示意图；
[0023]图6为步骤6基板结构示意图；
[0024]图7为步骤7基板结构示意图
。
[0025]附图标记：
1、
硅基板；
2、
复合阳极膜层；
3、
有机发光层和阴极膜层；
4、
封装膜层；
5、CF
和
OC
膜层；
6、
保护层
。
具体实施方式
[0026]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明
。
[0027]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
[0028]本专利技术提供一种硅基
OLED
显示器件制备方法，具体包括如下步骤：
[0029]步骤
1:
在硅基板1上进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅基
OLED
显示器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤
1)
在硅基板上进行复合阳极膜层制作；步骤
2)
在步骤
1)
得到的具有阳极膜层的基板上制作形成有机发光层和阴极膜层；所述阴极膜层是复合阴极膜层；步骤
3)
在阴极膜层上制作封装膜层；
。
步骤
4)
在封装后的基板上制备
CF
和
OC
膜层；步骤
5)
在
OC
膜层上制作保护层；步骤
6)
将基板底部的硅基板进行背面减薄处理；步骤
7)
基板切割及折弯
。2.
按照权利要求1所述的硅基
OLED
显示器件制备方法，其特征在于：步骤
1)
中，将带有
CMOS
电路驱动的硅基板传入
PVD
设备中制作金属膜层，厚度在
40
‑
60nm
；金属膜层可选用
Al
金属膜层；然后在金属膜层上方制作
ITO
膜层，厚度在
10
‑
100nm。3.
按照权利要求1所述的硅基
OLED
显示器件制备方法，其特征在于：步骤
2)
中，将步骤1之后得到的具有阳极膜层的基板传入蒸镀设备中，对基板进行有机白光
OLED
薄膜制备形成有机发光层
。4.
按照权利要求3所述的硅基
OLED
显示器件制备方法，其特征在于：步骤
2)
中，在有机发光层上制备复合阴极膜层，所述复合阴极膜层包括
Mg
和
Ag
混合材料蒸镀形成的
Mg
和
Ag
阴极膜层，在蒸镀的
Mg
和
Ag
阴极膜层上沉积形成
TCO
阴极膜层
。5.
按照权利要求4所述的硅基
OLED...

【专利技术属性】
技术研发人员：荣长停，曹绪文，晋芳铭，孙圣，张良睿，李亮亮，陈天佑，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：