封装薄膜及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：将封装件放置在沉积腔室内；将诱导源通入到所述沉积腔室内，以使所述诱导源与所述封装件发生反应，在所述封装件上形成诱导源解离吸附物；将有机硅通入到所述沉积腔室内，以使所述有机硅与所述诱导源解离吸附物发生反应，在所述封装件上形成有机硅

【技术实现步骤摘要】
封装薄膜及其制备方法、显示装置


[0001]本公开涉及显示器件制造
，特别是涉及一种封装薄膜及其制备方法、包括所述封装薄膜的显示装置。

技术介绍

[0002]在显示器件如显示屏幕的生产制造工艺中，随着发光器件如有机发光二极管(OLED)的生产技术日益成熟，OLED的制作成本逐渐降低，并成为一种可以与液晶显示竞争的技术。其中，OLED能够实现柔性显示是其最大的特点。
[0003]然而，由于OLED是对水汽极其敏感、且容易受水汽影响而失效的发光器件，因此需要对OLED进行薄膜封装。为此，封装的薄膜通常需要有较强的水氧阻挡能力(一般要求达到10
‑6g/cm2·
day)。另外，应用在柔性显示器中的OLED以及相应的封装薄膜在实际应用时会经常被弯折，由弯折受力的中性层理论可知，在材料弯折性能相近的情况下，薄膜的厚度越薄，其所受到的应力越小，从而提高薄膜及整体显示屏的可弯折性。
[0004]为了达到同时兼顾水氧阻挡能力和抗弯折能力，原子层沉积(ALD)技术制备的封装薄膜以其致密、高透过率和高水氧阻隔性的特点受到了广大研究人员和企业工程人员的青睐。然而，目前原子层沉积技术存在沉积速率较低的问题，导致ALD技术制备封装薄膜所需的时间较长，是等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)技术制备封装薄膜所需时间的几十倍以上，这大大限制了ALD技术在制备封装薄膜中的应用。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种能够提高原子层沉积速率的封装薄膜的制备方法。
[0006]另，还有必要提供一种由上述制备方法制备的封装薄膜。
[0007]另，还有必要提供一种包括上述封装薄膜的显示装置。
[0008]本公开至少一实施例提供了一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0009]将封装件放置在沉积腔室内；
[0010]将诱导源通入到所述沉积腔室内，以使所述诱导源与所述封装件发生反应，在所述封装件上形成诱导源解离吸附物；
[0011]将有机硅通入到所述沉积腔室内，以使所述有机硅与所述诱导源解离吸附物发生反应，在所述封装件上形成有机硅
‑
诱导源复合物；以及
[0012]将第一等离子体通入到所述沉积腔室内，以使所述第一等离子体与所述有机硅
‑
诱导源复合物交联得到所述封装薄膜。
[0013]在本公开至少一实施例中，所述制备方法还包括：
[0014]在所述封装件上形成所述诱导源解离吸附物之后，且在将所述有机硅通入到所述沉积腔室内之前，清除未反应的所述诱导源；和/或
[0015]在所述封装件上形成有所述机硅
‑
诱导源复合物之后，且在将所述第一等离子体通入到所述沉积腔室内之前，清除未反应的所述有机硅；和/或
[0016]在得到所述封装膜层之后，清除未反应的所述第一等离子体。
[0017]在本公开至少一实施例中，所述诱导源与所述封装件发生的反应为所述诱导源与所述封装件表面的羟基发生反应，以在所述封装件上形成所述诱导源解离吸附物。在本公开至少一实施例中，所述制备方法还包括：
[0018]在所述封装件上形成所述有机硅
‑
诱导源复合物之后，且在将所述第一等离子体通入到所述沉积腔室内之前，降低所述沉积腔室内的气压值至预定气压值，并在预定时间内保持所述预定气压值。
[0019]在本公开至少一实施例中，所述预定气压值为0.0001～0.0005Torr，所述预定时间为5～50s。
[0020]在本公开至少一实施例中，所述诱导源为金属有机源。
[0021]在本公开至少一实施例中，所述金属有机源包括三(异丙基环戊二烯)化镧、四(乙基甲基胺基)锆、钛酸异丙酯、三甲基镓以及三甲基铝中的至少一种。
[0022]在本公开至少一实施例中，所述有机硅为三(叔
‑
五氧代)硅烷醇或三(叔
‑
丁氧基)硅烷醇。
[0023]在本公开至少一实施例中，所述诱导源向所述沉积腔室的通入时间为0.1～3s。
[0024]在本公开至少一实施例中，所述制备方法还包括：
[0025]在所述第一等离子体与所述有机硅
‑
诱导源复合物交联之后，得到氧化硅封装层，将有机铝通入到所述沉积腔室内，以使所述有机铝与所述氧化硅封装层发生反应，在所述氧化硅封装层上形成有机铝解离吸附物；以及
[0026]将第二等离子体通入到所述沉积腔室内，以使所述第二等离子体与所述有机铝解离吸附物交联，在所述氧化硅封装层上形成氧化铝封装层，得到所述封装薄膜。
[0027]在本公开至少一实施例中，所述制备方法还包括：
[0028]在所述氧化硅封装层上形成所述有机铝解离吸附物之后，且在将所述第二等离子体通入到所述沉积腔室内之前，清除未反应的有机铝；和/或
[0029]在所述氧化硅封装层上形成所述氧化铝封装层之后，清除未反应的所述第二等离子体。
[0030]在本公开至少一实施例中，所述第一等离子体包括惰性气体等离子体、氢等离子体、氧等离子体、氮等离子体以及碱金属蒸汽等离子体中的至少一种。
[0031]在本公开至少一实施例中，所述第二等离子体包括惰性气体等离子体、氢等离子体、氧等离子体、氮等离子体以及碱金属蒸汽等离子体中的至少一种。本公开至少一实施例提供了一种由所述封装薄膜的制备方法制备的封装薄膜。
[0032]本公开至少一实施例提供了一种显示装置，包括封装件以及所述封装薄膜，所述封装薄膜封装所述封装件。
[0033]在本公开至少一实施例中，所述显示装置还包括衬底，所述封装件位于所述衬底上。
[0034]在本公开至少一实施例中，所述封装件包括发光器件。
[0035]本公开提出新增一种诱导源来增加有机硅形成封装薄膜的厚度和速率，从而能够提高原子层的沉积速率，解决了原子层沉积速率过慢的问题，从而缩短了制备所述封装薄膜的时间，进而促进了原子层沉积技术在制备封装薄膜中的应用。
附图说明
[0036]图1为本公开提供的沉积装置的结构示意图。
[0037]附图标记：100
‑
沉积装置；10
‑
衬底；20
‑
沉积腔室；30
‑
工作台；40
‑
气体扩散器；50
‑
开口；60
‑
出口。
具体实施方式
[0038]为了便于理解本公开，下面将参照相关附图对本公开进行更全面的描述。附图中给出了本公开的较佳实施例。但是，本公开可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本公开的公开内容的理解更加透彻全面。
[0039]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将封装件放置在沉积腔室内；将诱导源通入到所述沉积腔室内，以使所述诱导源与所述封装件发生反应，在所述封装件上形成诱导源解离吸附物；将有机硅通入到所述沉积腔室内，以使所述有机硅与所述诱导源解离吸附物发生反应，在所述封装件上形成有机硅
‑
诱导源复合物；以及将第一等离子体通入到所述沉积腔室内，以使所述第一等离子体与所述有机硅
‑
诱导源复合物交联得到所述封装薄膜。2.如权利要求1所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述封装件上形成所述诱导源解离吸附物之后，且在将所述有机硅通入到所述沉积腔室内之前，清除未反应的所述诱导源；和/或在所述封装件上形成有所述机硅
‑
诱导源复合物之后，且在将所述第一等离子体通入到所述沉积腔室内之前，清除未反应的所述有机硅；和/或在得到所述封装膜层之后，清除未反应的所述第一等离子体。3.如权利要求1所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述诱导源与所述封装件发生的反应为所述诱导源与所述封装件表面的羟基发生反应，以在所述封装件上形成所述诱导源解离吸附物。4.如权利要求1所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述封装件上形成所述有机硅
‑
诱导源复合物之后，且在将所述第一等离子体通入到所述沉积腔室内之前，降低所述沉积腔室内的气压值至预定气压值，并在预定时间内保持所述预定气压值。5.如权利要求4所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述预定气压值为0.0001～0.0005Torr，所述预定时间为5～50s。6.如权利要求1至5中任一项所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述诱导源为金属有机源。7.如权利要求6所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属有机源包括三(异丙基环戊二烯)化镧、四(乙基甲基胺基)锆、钛酸异丙酯、三甲基镓以及三甲基铝中的至少一种。8.如权利要求1至5中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松举，孙贤文，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：