本发明专利技术提供了一种液晶显示器。提供了一种薄膜晶体管阵列板，其包括：在绝缘衬底上形成的栅极线；与所述栅极线绝缘，并与所述栅极线交叉的数据线；布置在由所述栅极线和数据线的交叉界定的像素区域上的第一像素电极；第一薄膜晶体管，每一个第一薄膜晶体管具有三个端子，它们连接至栅极线中的一个、数据线中的一个、以及第一像素电极中的一个；布置在所述像素区域上的，与所述第一像素电极电容性耦合的第二像素电极；以及第二薄膜晶体管，每一个第二薄膜晶体管具有三个端子，它们连接至前一栅极线、存储电极线或数据线中的一个、以及第二像素电极中的一个。通过提高侧面可见度扩大了ＬＣＤ的视角。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示器及其屏板。
技术介绍
典型的液晶显示器(IXD)包括一带有公共电极和滤色器阵列的上屏板(upper panel)，带有薄膜晶体管(TFT)和像素电极的下屏板(lower panel)以及位于两者之间的 液晶层。在像素电极和公共电极上施加不同的电压，以生成电场，从而改变液晶分子的配 向，进而改变穿过液晶层的透光度。因此，LCD显示需要的图像。但是，IXD存在灰度反转(gray inversion)，即灰度之间的亮度发生反转，此外，还 存在侧面Y曲线畸变，即侧面Y曲线与正面Y曲线不相吻合，因而在左右视角表现出较 差的可见度。例如，随着向侧面的迁移，亮度增大，彩色转换成白色。特别是，亮灰度(bright gray)之间的亮度差异消失，从而导致图像不清晰。与此同时，最近在多媒体中采用的LCD 越来越需要观看图像和移动图像的良好能见度。附图说明通过参照附图对本专利技术实施例予以说明，本专利技术将变得更加清晰，其中图1是根据本专利技术的第一实施例的IXD的TFT阵列板的布局图；图2是沿线II-II'获得的图1所示的TFT阵列板的截面图；图3是根据本专利技术的第一实施例的LCD的等效电路图；图4是根据本专利技术的第二实施例的IXD的TFT阵列板的布局图；图5是沿线V-V'获得的图4所示的TFT阵列板的截面图；图6是根据本专利技术的第二实施例的IXD的等效电路图；图7是根据本专利技术的第三实施例的IXD的布局图；图8是根据本专利技术的第三实施例的IXD的等效电路图；图9是根据本专利技术的第四实施例的LCD的布局图；图10是根据本专利技术的第四实施例的LCD的等效电路图；图11是根据本专利技术的第五实施例的IXD的TFT阵列板的布局图；图12是根据本专利技术的第五实施例的LCD的滤色器屏板的布局图；图13是根据本专利技术的第五实施例的IXD的布局图；图14是沿图13中所示的IXD的XIV-XIV'线获得的剖面图；图15是根据本专利技术的第六实施例的LCD的等效电路图；以及图16是根据本专利技术的第七实施例的LCD的等效电路图。具体实施例方式技术问题本专利技术的目的在于提供具有卓越能见度的液晶显示器。技术方案基于这一目的，本专利技术将一个像素电极划分为两个子电极，并在所述子电极上施 加不同的电压。具体来讲，根据本专利技术的实施例的薄膜晶体管阵列板包括形成于绝缘衬底上的多 个第一信号线，和与所述第一信号线绝缘并与之相交叉的多个第二信号线。在由第一信号 线和第二信号线的交叉界定的像素区域上布置多个第一像素电极，像素区域排列成矩阵， 在第一像素电极上形成多个第一薄膜晶体管，每一个第一薄膜晶体管具有三个端子，分别 连接到第一信号线中的一个，第二信号线中的一个和第一像素电极中的一个。在所述像素 区域上布置多个第二像素电极，并使之与第一像素电极电容性耦合，在其上形成多个第二 薄膜晶体管。第二薄膜晶体管中的每一个都具有一个连接至第二像素电极中的一个的端 子，以及连接至第一信号线中的一个的另一个端子，所述第一信号线连接至位于相邻行中 的像素区域中的一个第一像素电极。所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个耦合电极，所述耦合电极与第一像素 电极相连接，或将其覆盖，所述耦合电极覆盖第二像素电极，并与之绝缘。所述耦合电极优 选连接至与第一像素电极相连的第一薄膜晶体管的漏电极。所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个与第二信号线交叉的第三信号线，其 中，每一个第二薄膜晶体管的终端连接至第三信号线和第二信号线中的一个。每一个第二薄膜晶体管的终端可以连接至第三信号线中的一个，薄膜晶体管阵列 板可以进一步包括多个第三薄膜晶体管，其中的每一个均具有三个端子，它们分别连接至 第二信号线中的一个，第二像素电极中的一个，以及与相邻行中的像素区域相连接的第一 信号线中的一个。第一像素电极和第二像素电极中的至少一个包括至少一个域分割(domain partitioning)元件。所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括布置在第一信号线和第二信 号线之间的栅极绝缘层，和布置在所述第二信号线与第一、第二像素电极之间的钝化层，其 中，耦合电极优选通过位于钝化层的接触孔连接至第一像素电极。根据本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列板用作液晶显示器的屏板。有益效果通过提高侧面可见度扩大了 IXD的视角。优选实施例在下文中，将参照附图对本专利技术进行更加详细的说明，在附图中将示出本专利技术的 实施例。但是，可以以不同的形式体现本专利技术，而不应推断本专利技术仅限于文中所述实施例。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标记自始至终指代相同 的元件。应当理解的是在称诸如层、区域或衬底的元件位于另一元件上时，其可能直接位 于另一元件上，也可能存在插入元件。相反，在称一元件直接位于另一元件上时，不存在插 入元件。那么，现在将参照附图对根据本专利技术的实施例的液晶显示器及其薄膜晶体管屏板予以详细说明。图1是根据本专利技术的第一实施例的LCD的TFT阵列板的布局图，图2是沿线 II-II'获得的图1所示的TFT阵列板的截面图，图3是根据本专利技术的第一实施例的LCD的 等效电路图。根据本专利技术的实施例的IXD包括下屏板(即TFT阵列板)，与下屏板相对的上屏 板(即相对屏板)和位于两个屏板之间的液晶层，所述液晶层包括按照扭转向列模式配向 的液晶分子，从而使所述液晶分子从下屏板向上屏板扭转。首先，将对下屏板予以说明。在优选由透明绝缘材料，例如玻璃，制成的绝缘衬底110上形成优选由透明导电 材料，例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)，构成的多个第一和第二像素电极190a和 190b。每一个第一像素电极190a均连接至第一薄膜晶体管TFT1，并由其接收图像信号电 压，每一个第二像素电极190b均连接至第二薄膜晶体管TFT2，所述的第二薄膜晶体管TFT2 电连接至前一个栅极线121，其用于将栅极信号或扫描信号传输至前一像素行和存储电极 线131。第二像素电极190b覆盖连接至第一像素电极190a的耦合电极176，从而与之电磁 (电容性)耦合。第一薄膜晶体管TFTl连接至传输扫描信号的栅极线121，和传输图像电 压的数据线171，并响应扫描信号开启或关闭提供给第一像素电极190a的图像信号。这里， 用于反射IXD的第一和第二像素电极190a和190b可以不包括透明材料。与此同时，尽管在图中未示出上屏板，现在仍要对其予以说明。在优选由透明绝缘材料，例如玻璃，构成的绝缘衬底表面上形成，用于阻挡像素之 间的泄漏光的黑矩阵，多个红色、绿色和蓝色滤色器，以及优选由透明导电材料，例如ITO 和ΙΖ0，构成的公共电极，用于和像素电极190a和190b —起生成电场，所述衬底与TFT阵列 板相对。可以在所述TFT阵列板上提供黑矩阵和滤色器。现在，将对根据本专利技术第一实施例的LCD的TFT阵列板进行更为详细的说明。在下部绝缘衬底110上形成沿横向延伸的多个栅极线121和多个存储电极线131。每一栅极线121的多个部分向上和向下扩展至多个第一薄膜晶体管TFTl的栅极 电极123a，每一个栅极线121均包括末端125，其具有用于连接外部电路的大面积。与此同时，将栅极信号或扫描信号传输至前一像素行的栅极线121具有多个形成 第二薄膜晶体管TFT2的栅极电极123b的部分。每一存储电本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：第一衬底；设置在所述第一衬底上的第一信号线；设置在所述第一衬底上的第二信号线；设置在第一像素区域中且彼此电容性耦合的第一电极和第二电极；与所述第一电极连接的第一薄膜晶体管；与所述第二电极连接的第二薄膜晶体管；面对所述第一衬底的第二衬底；设置在所述第二衬底上的公共电极；以及液晶层，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间，且包括与所述第一像素电极对应的第一液晶区域和与所述第二像素电极对应的第二液晶区域，其中，所述第一液晶区域和所述第二液晶区域分别包括四个域。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金熙燮，金钟来，梁英喆，洪性奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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