颜色转换结构、显示装置以及颜色转换结构的制造方法制造方法及图纸

公开了一种颜色转换结构、显示装置和用于制造该颜色转换结构的方法。该颜色转换结构包括基底、提供在基底上的光子晶体结构和包括在光子晶体结构中的量子点。该颜色转换结构具有可转移的结构。可转移的结构。可转移的结构。

【技术实现步骤摘要】
颜色转换结构、显示装置以及颜色转换结构的制造方法


[0001]本公开涉及可转移到基板的颜色转换结构、包括颜色转换结构的显示装置以及颜色转换结构的制造方法。

技术介绍

[0002]液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器广泛用作显示装置。近来，对使用微型半导体芯片(微型发光二极管)制造高分辨率显示装置的技术越来越感兴趣。
[0003]采用微型半导体芯片的显示装置通过使用多种技术(诸如将具有微型尺寸的微型发光装置转移至显示装置的所需像素位置的技术、修复微型发光装置的工艺和实现所需颜色的方法)来制造。

技术实现思路

[0004]提供了一种可转移至基板的颜色转换结构。
[0005]提供了一种显示装置，包括可转移至基板的颜色转换结构。
[0006]提供了一种可转移至基板的颜色转换结构的制造方法。
[0007]附加方面将部分在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中是明显的，或可通过本公开的实施方式的实践来了解。
[0008]根据本公开的一方面，提供了一种颜色转换结构，包括：基底；在基底上的光子晶体结构；以及提供在光子晶体结构中的多个量子点。
[0009]基底可以包括包含凹槽的堤结构，光子晶体结构提供在凹槽中。
[0010]颜色转换结构可以以像素为单位配置，且是可转移的。
[0011]颜色转换结构可以进一步包括在光子晶体结构上的保护层。
[0012]保护层可以包括凹凸结构。
[0013]颜色转换结构可以进一步包括在光子晶体结构上的分布式布拉格反射层。
[0014]颜色转换结构可以进一步包括在凹槽的底部上的分布式布拉格反射层。
[0015]光子晶体结构可以具有小于凹槽的深度的厚度。
[0016]光子晶体结构可以具有约10μm至约15μm的厚度。
[0017]光子晶体结构可以包括堆叠结构，其中具有不同折射率的两个或更多个材料层交替排列。
[0018]基底可以包括具有栅格形状的凹槽阵列，光子晶体结构提供在凹槽阵列中。
[0019]基底可以包括凹槽，其中光子晶体结构可以包括：提供在凹槽中的第一材料层；以及三维排列在第一材料层中的多个第二材料部分。
[0020]第一材料层可以包括多孔材料，且多个量子点提供在多孔材料中。
[0021]多孔材料可以包括nGaN。
[0022]颜色转换结构可以进一步包括在光子晶体结构的侧部分上的反射层。
[0023]颜色转换结构可以进一步包括提供在光子晶体结构的表面上的窗口区域，窗口区
域被配置为允许光入射在光子晶体结构上。
[0024]颜色转换结构还可以包括提供在光子晶体结构表面上的透镜阵列，透镜阵列被配置为将光聚焦到光子晶体结构上。
[0025]根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括：显示基板；多个微型半导体芯片，提供在显示基板上并且彼此间隔开；以及在多个微型半导体芯片上的多个颜色转换结构，其中每个颜色转换结构可以包括：基底、在基底上的光子晶体结构和提供在光子晶体结构中的多个量子点。
[0026]根据本公开的另一方面，提供了一种颜色转换结构的制造方法，该方法包括：在基板上形成基底；在基底上形成光子晶体结构；在光子晶体结构中形成多个量子点；以像素为单位蚀刻基底和光子晶体结构；以及移除基板。
附图说明
[0027]通过以下结合附图的描述，本公开的某些实施方式的上述及其他方面、特征和优点将更加明显，其中：
[0028]图1是示意性示出根据一示例实施方式的颜色转换结构的截面图；
[0029]图2是示出相对于来自半导体发光装置的光的波长的光子晶体结构的反射率和光强度的曲线图；
[0030]图3是示出当入射光的波长为450nm时，相对于光子晶体结构的厚度的光强度和光子晶体结构的折射率的曲线图；
[0031]图4是示出当入射光的波长为500nm时，根据光子晶体结构的厚度的光强度和光子晶体结构的折射率的曲线图；
[0032]图5是示出当入射光的波长为600nm时，根据光子晶体结构的厚度的光强度和光子晶体结构的折射率的曲线图；
[0033]图6是示出透镜阵列进一步提供在图1所示的颜色转换结构上的示例的视图；
[0034]图7是示出根据另一示例实施方式的颜色转换结构的视图；
[0035]图8是示出图7所示的颜色转换结构中采用的光子晶体结构的示例的视图；
[0036]图9是示出图7所示的颜色转换结构中采用的光子晶体结构的另一示例的视图；
[0037]图10是示出根据另一示例实施方式的颜色转换结构的视图；
[0038]图11是示出图10所示的颜色转换结构中采用的光子晶体结构的视图；
[0039]图12是示出图10所示的颜色转换结构的基底被改变的示例的视图；
[0040]图13是示出图12所示的颜色转换结构包括具有两层的光子晶体结构的示例的视图；
[0041]图14是示出根据另一实施方式的颜色转换结构的视图；
[0042]图15A是示出根据一示例实施方式的颜色转换结构的保护层包括分布式布拉格反射层的示例的视图；
[0043]图15B是示出根据一示例实施方式的颜色转换结构的保护层具有规则孔图案结构的示例的视图；
[0044]图15C是示出根据一示例实施方式的颜色转换结构的保护层具有不规则孔图案结构的示例的视图；
[0045]图15D是示出根据一示例实施方式的凹凸结构提供在颜色转换结构的保护层上的示例的视图；
[0046]图16是示出根据一示例实施方式的颜色转换结构的保护层具有凸形状的示例的视图；
[0047]图17是示出根据一示例实施方式的颜色转换结构的凹槽具有凹形弯曲形状的示例的视图；
[0048]图18A至图18G是示出根据一示例实施方式的颜色转换结构的制造方法的视图；
[0049]图19A至图19F是示出根据另一示例实施方式的颜色转换结构的制造方法的视图；
[0050]图20和图21是示出根据一示例实施方式的将颜色转换结构转移至转移基板的方法的视图；
[0051]图22至图26是示出根据一示例实施方式的显示装置的制造方法的视图；
[0052]图27至图30是示出根据另一示例实施方式的显示装置的制造方法的视图；
[0053]图31是示出根据一示例实施方式的用于颜色转换结构的转移基板的示例的视图；
[0054]图32是示出根据一示例实施方式的转移基板的示例的视图，该转移基板可使用两次或更多次用于转移颜色转换结构；
[0055]图33是示意性示出根据一示例实施方式的显示装置的视图；
[0056]图34是沿图33的线A
‑
A截取的显示装置的截面图；
[0057]图35是对应于图34的平面图；
[0058]图36是示意性示出根据一示例实施方式的电子装置的框图；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种颜色转换结构，包括：基底；在所述基底上的光子晶体结构；以及提供在所述光子晶体结构中的多个量子点。2.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述基底包括堤结构，所述堤结构包括凹槽，并且所述光子晶体结构提供在所述凹槽中。3.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述颜色转换结构以像素为单位配置，并且是可转移的。4.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括在所述光子晶体结构上的保护层。5.根据权利要求4所述的颜色转换结构，其中所述保护层包括凹凸结构。6.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括在所述光子晶体结构上的分布式布拉格反射层。7.根据权利要求2所述的颜色转换结构，还包括在所述凹槽的底部上的分布式布拉格反射层。8.根据权利要求2所述的颜色转换结构，其中所述光子晶体结构具有小于所述凹槽的深度的厚度。9.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述光子晶体结构具有10μm至15μm的厚度。10.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述光子晶体结构包括堆叠结构，其中具有不同折射率的两个或更多个材料层交替排列。11.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述基底包括具有栅格形状的凹槽阵列，并且所述光子晶体结构提供在所述凹槽阵列中。12.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述基底包括凹槽，以及其中所述光子晶体结构包括：提供在所述凹槽中的第一材料层；以及三维地排列在所述第一材料层中的多个第二材料部分。13.根据权利要求12所述的颜色转换结构，其中所述第一材料层包括多孔材料，并且所述多个量子点提供在所述多孔材料中。14.根据权利要求13所述的颜色转换结构，其中所述多孔材料包括nGaN。15.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括在所述光子晶体结构的侧部分上的反射层。16.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括提供在所述光子晶体结构的表面上的窗口区域，所述窗口区域被配置为允许光入射到所述光子晶体结构上。17.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括提供在所述光子晶体结构的表面上的透镜阵列，所述透镜阵列被配置为将光聚焦到所述光子晶体结构上。18.一种显示装置，包括：显示基板；多个微型半导体芯片，提供在所述显示基板上并且彼此间隔开；以及在所述多个微型半导体芯片上的多个颜色转换结构，
其中所述颜色转换结构中的每个包括：基底，在所述基底上的光子晶体结构，以及提供在所述光子晶体结构中的多个量子点。19.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述光子晶体结构中的每个与所述多个微型半导体芯片中的相应一个相邻，并且面向所述多个微型半导体芯片中的所述相应一个。20.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述基底包括包含凹槽的堤结构，并且所述光子晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄京旭，金东湖，黄俊式，宋相勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：