【技术实现步骤摘要】
一种半导体生产用具有冲洗功能的电镀装置
[0001]本专利技术涉及半导体生产装置相关
，特别涉及一种半导体生产用具有冲洗功能的电镀装置
。
技术介绍
[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，由于半导体在生产过程中会粘黏各种杂质，为了避免影响半导体的质量，因此需要在半导体电镀前后，对其进行清洁
。
[0003]中国专利文献
CN115852457A
公开了一种半导体的生产加工电镀装置，该装置在半导体电镀前，利用抽水泵将外界的供水充入液体分流箱中，并通过预清洗喷头喷向半导体的表面，对半导体起到了预清洗的作用，使得半导体的表面保持洁净，去除生产和运输过程中半导体表面黏附的杂质，防止杂质黏附处无法正常电镀，导致电镀时出现瑕疵，预清洗用的水经过排液阀进行除杂箱中，
U
型拦截板会对水中的杂质进行过滤拦截，循环泵会将过滤后的水排入分流器中，过滤后的水由冲洗喷头喷向电镀和蚀刻后的半导体上，对半导体上残留的溶液进行冲洗清洁，但是仍然存在以下不足：半导体在加工...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体生产用具有冲洗功能的电镀装置，包括电镀池（2），其特征在于：所述电镀池（2）的内部右侧设有挡块（4），所述挡块（4）将电镀池（2）的内腔分隔为电镀腔和冲洗腔，所述电镀腔的左侧内壁设有三角形垫块（3），所述电镀池（2）的右端设有储水箱（7），所述冲洗腔的右侧内壁中上部设有若干个与储水箱（7）内腔相通的喷水管，所述电镀池（2）的左端设有用于对半导体进行预清理的清洁箱（1）；所述清洁箱（1）的内腔底壁左部开设有初洗槽（8），所述初洗槽（8）的内部填充有清洗液，所述初洗槽（8）的前侧内壁下部设有超声波发生器，所述清洁箱（1）的内腔底壁右部开设有复洗槽（
11
），所述复洗槽（
11
）的内表面底部开设有用于汇聚水流的集水槽（
19
），所述集水槽（
19
）的底壁中部开设有通水槽（
22
），所述通水槽（
22
）的底部开设有竖直贯穿清洁箱（1）前后两端的出水槽（
23
），所述复洗槽（
11
）的内腔下部设有栅栏板（
10
），所述清洁箱（1）的内腔顶壁右侧设有
U
形喷水箱（
16
）和
U
形喷气箱（
13
），且所述
U
形喷水箱（
16
）和
U
形喷气箱（
13
）分别位于复洗槽（
11
）左部的正上方和右部的正上方，所述清洁箱（1）的上端右部设有与
U
形喷水箱（
16
）相通的进水管和与
U
形喷气箱（
13
）相通的净化箱（
14
），所述净化箱（
14
）的前端设有与净化箱（
14
）内腔相通的热风机（
15
），所述清洁箱（1）的内腔设有用于带动半导体移动的移动机构（
17
），所述清洁箱（1）的内腔顶壁左侧设有挡板（
18
），所述清洁箱（1）的内腔顶壁左侧和内腔顶壁右部均设有两个用于密封的遮挡机构（
12
）
。2.
根据权利要求1所述的一种半导体生产用具有冲洗功能的电镀装置，其特征在于：所述清洁箱（1）的内腔底壁中部前侧和内腔底壁中部后侧均开设有出风槽（
21
），所述出风槽（
21
）的底壁中部转动连接有传动杆（
33
），所述传动杆（
33
）的顶部固定连接有转动管（
30
），所述转动管（
30
）的上端延伸至出风槽（
21
）的外侧并设有用于将漂浮在清洗液液面上的杂质吹走的喷头（
31
），所述清洁箱（1）的内部右侧开设有两个空槽（
28
），位于同一侧的所述空槽（
28
）和出风槽（
21
）的内表面之间共同开设有连通槽，所述空槽（
28
）的内部设有用于控制喷头（
31
）摇摆的调节机构（
29
）；所述通水槽（
22
）远离电镀池（2）的一侧内壁上部开设有凹槽（
24
），且所述凹槽（
24
）位于两个空槽（
28
）之间，两个所述空槽（
28
）相互远离的一侧内壁共同转动连接有转动杆（
25
），所述转动杆（
25
）位于凹槽（
24
）内的部分外表面固定安装有用于利用水流和气流冲击旋转的旋转轮（
27
），所述转动杆（
25
）位于空槽（
28
）内的部分外表面设有扇叶（
26
）
。3.
根据权利要求2所述的一种半导体生产用具有冲洗功能的电镀装置，其特征在于：所述调节机构（
29
）包括固定连接在转动杆（
25
）上的转动柱（
292
）与转动连接在空槽（
28
）底壁上的转动棒一（
295
）和转动棒二（
297
），所述转动柱（
292
）的外表面开设有倾斜环槽（
293
），所述转动...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉国胜，
申请(专利权)人：江苏三晶半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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