一种划片刀电镀液组合物及其制备方法技术

本发明专利技术涉及划片刀的制备技术领域，公开了一种划片刀电镀液组合物及其制备方法。划片刀制备包括以下步骤：提供一基体；于所述基体上电镀金刚石得到划片刀粗品；对所述划片刀粗品进行修整、抛光、开刃得到所述划片刀；其中，所述电镀用的电镀液组合物包括以下组分：45～90g/L氨基磺酸镍，5～15g/L氯化镍，30～45g/L硼酸，10～15g/L苯二磺酸，10～15g/L 2‑巯基苯并咪唑，5～10g/L二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/L苯亚磺酸钠，4～8mL/L十二烷基磺酸钠。所述制备方法制出的划片刀具有硬度高、应力低、耐腐蚀性强等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及划片刀的制备，公开了一种划片刀电镀液组合物及其制备方法。

技术介绍

1、在半导体封装制造过程中，有一道工序称为划片，是用以金刚石为磨料、电镀镍为粘合剂的划片刀对芯片单元进行切割分离，这是一种高精度加工，对芯片质量及成本有重要影响。

2、随着芯片尺寸的微型化和集成化发展，芯片厚度在向两个极端发展，一类是变薄，另一类是变厚。薄的芯片要求在划片过程中受到的冲击力要小，进刀速度较快，有的速度高达180mm/s，这就要求划片刀刀刃要有足够的强度，否则很容易出现蛇形切割；而厚的芯片在划片过程中最容易出现的问题是斜切，这主要是由于刀刃强度不够和刀刃由于内应力产生变形造成的。

3、在芯片划片过程中为了消除静电，会向切割冷却水中加入二氧化碳气体，以使冷却水呈弱酸性，这就会对划片刀的粘合剂产生腐蚀，从而造成划片刀刀刃破裂，影响划片过程的正常进行。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种划片刀电镀液组合物及其制备方法，针对上述情况，为解决现有技术之缺陷，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种划片刀电镀液组合物，其特征在于，所述电镀液组合物的配方包括以下组分：45～90g/L氨基磺酸镍，5～15g/L氯化镍，30～45g/L硼酸，10～15g/L苯二磺酸，10～15g/L2-巯基苯并咪唑，5～10g/L二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/L苯亚磺酸钠，4～8mL/L十二烷基磺酸钠。

2.一种划片刀电镀液组合物的制备方法，其特征在于，所述方法包括将以下组分混合：45～90g/L氨基磺酸镍，5～15g/L氯化镍，30～45g/L硼酸，10～15g/L苯二磺酸，10～15g/L2-巯基苯并咪唑，5～10g/L二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/L苯亚磺酸钠，4～8m...

【技术特征摘要】

1.一种划片刀电镀液组合物，其特征在于，所述电镀液组合物的配方包括以下组分：45～90g/l氨基磺酸镍，5～15g/l氯化镍，30～45g/l硼酸，10～15g/l苯二磺酸，10～15g/l2-巯基苯并咪唑，5～10g/l二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/l苯亚磺酸钠，4～8ml/l十二烷基磺酸钠。

2.一种划片刀电镀液组合物的制备方法，其特征在于，所述方法包括将以下组分混合：45～90g/l氨基磺酸镍，5～15g/l氯化镍，30～45g/l硼酸，10～15g/l苯二磺酸，10～15g/l2-巯基苯并咪唑，5～10g/l二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/l苯亚磺酸钠，4～8ml/l十二烷基磺酸钠。

3.一种划片刀的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞月国，
申请(专利权)人：江苏三晶半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：