【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
晶片的生产方法，所述晶片包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于所述前侧上的ＳｉＧｅ层，所述方法包括下列顺序的步骤：同时抛光硅单晶衬底的前侧和背侧；在硅单晶衬底的背侧上沉积应力补偿层；抛光硅单晶衬底的前侧；清洁背侧上沉积了压力补偿层的硅单晶衬底；和在硅单晶衬底的前侧上沉积完全或部分松驰的ＳｉＧｅ层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：P施托克，T布施哈特，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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