一种提高化成箔比容的热处理方法技术

本发明专利技术公开了一种提高化成箔比容的热处理方法，涉及热处理技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种提高化成箔比容的热处理方法


[0001]本专利技术涉及热处理
，具体为一种提高化成箔比容的热处理方法
。

技术介绍

[0002]随着现代科技的飞速进步与发展，全球市场对电容器的需求变的越来越多
。
铝电解电容器因其价格低廉
、
体积小
、
储存电量大等特性，被广泛的运用到各种领域
。
但随着科技的不断提升，对铝电解电容器的要求也变的越来越高，铝箔想要获得较高的静电容量，必须通过电化学腐蚀使铝箔的表面形成大量的孔洞，通过提高铝箔的表面积来提高静电容量，从而满足市场的需求
。
[0003]为了提高化成后铝箔静电容量，通常采用电化学腐蚀工艺使铝箔的表面形成大量的孔洞，通过提高铝箔的表面积来提高静电容量
。
现在也有通过退火过程来提高比容，但在高温退火的过程中，不可避免的会使铝箔表面粘上油污，铝屑等污染物，造成铝箔表面质量的不均匀，由于铝是比较活泼的金属，通常铝箔的表面都会形成一层氧化膜，单纯经过高温退火不能使铝箔的表面的氧化膜形成的更加紧密，从而使得铝箔的静电容量及耐水性较差
。
为此，提出了一种提高化成箔比容的热处理方法来解决上述问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种提高化成箔比容的热处理方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题
。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种提高化成箔比容的热处理方法，包括工作台，所述工作台顶端放置有安装架
、
真空加热箱和保护气体加热箱，安装架包括底座，底座顶端四角均固定有支撑架，支撑架顶部活动连接有插轴，插轴底端固定有压块，压块顶端与支撑架底端之间固定有弹簧；
[0006]真空加热箱包括第一箱体，第一箱体底部内壁固定挡板，挡板将腔体分为加热腔体和冷却腔体，挡板底端一体成型有多个翅片，第一箱体侧壁之间固定有对称设置的第一隔板，加热腔体底部连通有抽气管，第一箱体底端固定有多个半导体制冷片，半导体制冷片的制冷端位于冷却腔体内；
[0007]保护气体加热箱包括第二箱体，第二箱体一侧顶部和底部分别连通有氮气进管和空气出管，第一箱体侧壁固定有对称设置的第二隔板，第二箱体侧面底部内壁固定有氮气浓度传感器
。
[0008]更进一步的，所述底座顶端四角均开设有圆槽，压块位于圆槽的正上方，压块的直径小于圆槽的孔径
。
[0009]更进一步的的，所述真空加热箱和保护气体加热箱均通过加热丝加热
。
[0010]一种提高化成箔比容的热处理方法，包括以下步骤：
[0011]S1、
将化成箔放置在安装架上进行固定；
[0012]S2、
将安装架整体浸入离子水池中，用离子水进行冲洗；
[0013]S3、
将
S2
步骤中经过离子水冲洗的安装架放置在真空加热箱中进行加热；
[0014]S4、
将经过
S3
步骤加热的安装架整体浸入蒸馏水池中，用蒸馏水进行冲洗；
[0015]S5、
将
S4
步骤中经过蒸馏水冲洗的安装架放置在保护气体加热箱中进行加热；
[0016]S6、
将经过
S5
步骤加热的安装架取出，并将化成箔取出
。
[0017]更进一步的，所述
S2
步骤中，安装架整体浸入离子水池中的时间为2‑
4min。
[0018]更进一步的，所述
S4
步骤中，安装架整体浸入蒸馏水中的时间为2‑
4min。
[0019]更进一步的，所述
S3
步骤中，真空加热箱的真空度为
100
‑
160Pa
，加热温度为
400
‑
500℃
，加热时间为
20
‑
30min。
[0020]更进一步的，所述
S5
步骤中，保护气体加热箱的加热温度为
200
‑
280℃。
[0021]更进一步的，所述
S5
步骤中，保护气
、
体加热箱中通入的是氮气
。
[0022]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0023]该提高化成箔比容的热处理方法，首先将化成箔在离子水中进行浸泡，然后通过真空加热箱进行加热，通过蒸馏水对化成箔表面杂质进行冲洗后，最后通过保护气体加热箱进行加热，这样可以使铝箔的表面的氧化膜形成的更加紧密，从而提高了静电容量及耐水性
。
附图说明
[0024]图1为本专利技术整体结构示意图；
[0025]图2为本专利技术真空加热箱半剖图；
[0026]图3为本专利技术保护气体加热箱半剖图；
[0027]图4为安装架的轴视图
。
[0028]图中：
101、
底座；
102、
支撑架；
103、
圆槽；
104、
插轴；
105、
压块；
106、
弹簧；
2、
真空加热箱；
201、
第一箱体；
202、
挡板；
203、
翅片；
204、
半导体制冷片；
205、
抽气管；
206、
第一隔板；
4、
保护气体加热箱；
401、
第二箱体；
402、
空气出管；
403、
氮气进管；
404、
氮气浓度传感器
。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0030]需要说明的是，在本专利技术的描述中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件所必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
[0031]此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大
。
[0032]应注意的是，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高化成箔比容的热处理装置，包括工作台，其特征在于：所述工作台顶端放置有安装架
、
真空加热箱
(2)
和保护气体加热箱
(4)
，安装架包括底座
(101)
，底座
(101)
顶端四角均固定有支撑架
(102)
，支撑架
(102)
顶部活动连接有插轴
(104)
，插轴
(104)
底端固定有压块
(105)
，压块
(105)
顶端与支撑架
(102)
底端之间固定有弹簧
(106)
；真空加热箱
(2)
包括第一箱体
(201)
，第一箱体
(201)
底部内壁固定挡板
(202)
，挡板
(202)
将腔体分为加热腔体和冷却腔体，挡板
(202)
底端一体成型有多个翅片
(203)
，第一箱体
(201)
侧壁之间固定有对称设置的第一隔板
(206)
，加热腔体底部连通有抽气管
(205)
，第一箱体
(201)
底端固定有多个半导体制冷片
(204)
，半导体制冷片
(204)
的制冷端位于冷却腔体内；保护气体加热箱
(4)
包括第二箱体
(401)
，第二箱体
(401)
一侧顶部和底部分别连通有氮气进管
(403)
和空气出管
(402)
，第一箱体
(201)
侧壁固定有对称设置的第二隔板，第二箱体
(401)
侧面底部内壁固定有氮气浓度传感器
(404)。2.
根据权利要求1所述的一种提高化成箔比容的热处理装置，其特征在于：所述底座
(101)
顶端四角均开设有圆槽
(103)
，压块
(105)
位于圆槽
(103)
的正上方，压块
(105)
的直径小于圆槽
(103)
的孔径...

【专利技术属性】
技术研发人员：李军，周毅，孟波，池勇，王亚强，
申请(专利权)人：四川万邦电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：