一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法技术

本发明专利技术属于铝电解电容器技术领域，具体涉及一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法，在进行发孔腐蚀步骤时，通过添加纳米级的钡铁氧体磁粉、有机消泡剂超声均匀后配置水溶液BFE，添加于槽液中，以磁粉驱动有机消泡剂以水为载体，抑制纳米级氢水磁悬液泡产生，通过抑制纳米级氢水液泡产生，降低支孔形成的概率，提升成品箔的容量与强度。提升成品箔的容量与强度。提升成品箔的容量与强度。

【技术实现步骤摘要】
一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法


[0001]本专利技术属于铝电解电容器
，具体涉及一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法。

技术介绍

[0002]箔是其重要的原材料，现有技术中高压铝箔的电机腐蚀工艺一般包括前处理、一级发孔腐蚀、二级扩孔腐蚀、后处理等步骤，对于HCl
‑
H2SO4体系，通过在腐蚀槽外添加磁场，控制槽液内的涡流效应，可以显著改善铝箔在发孔过程中，双电层界面上的Cl
‑
与SO
42
‑
的相对浓度与离子传递效率。同时，外加耦合磁场能够抑制氧化铝层的过度生长，提升Cl
‑
在蚀孔隧道吸附量，提升有效腐蚀，大大提升残芯的均一性。
[0003]然而，该技术下存在以下问题：磁致涡流效应会使槽中产生大量纳米级氢水磁悬液泡，并使其无法快速逸散，堵塞在蚀孔底部，影响进一步发孔，从而使得隧道内产生支孔，影响成品箔的容量与强度。因此，该项技术仍需改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对上述现有技术存在的问题，提供一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法。
[0005]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法，所述方法如下：步骤S1：将原箔至于70
ꢀ‑ꢀ
80℃、0.2%
ꢀ‑ꢀ
4 %氢氧化钠溶液中浸泡1
‑
2min前处理后，用纯水洗涤；步骤S2：将步骤S1中得到的原箔，置于发孔液中，以上N极，下S极，强度为0.02T
‑
0.12 T的恒定磁场强度；以电流范围为0.20 A/cm
‑2‑
0.25 A/cm
‑2恒电流，每40
‑
60s的时间间隔进行3
‑
5次发孔腐蚀处理后，用纯水洗净；步骤S3：将步骤S2中得到的发孔箔，置于扩孔液中，以电流范围为0.16A/cm
‑2‑
0.18A/cm
‑2恒电流，每20
‑
30s的时间间隔进行7
‑
9次扩孔腐蚀处理后，用纯水洗净；步骤S4：将步骤S3得到的扩孔箔，置于HCl溶液中处理，纯水洗净后，再置于HNO3溶液中处理后，纯水洗净；步骤S5：将步骤S4中得到的扩孔箔置于烘箱中热处理后，冷却至常温；步骤S6：将步骤S5中得到的扩孔箔进行化成处理，洗净烘干后得到成品箔；其中，在步骤S2中发孔液中加入钡铁氧体磁粉驱动有机消泡剂以水为载体的水溶液BFE，所述有机消泡剂为有机醚类或有机硅类。
[0006]优选的，所述水溶液BFE的制备方法如下：将1
‑
1.5g/L的50
‑
100nm钡铁氧体磁粉、2
‑
5g/L的聚氧丙烯醚与水在常温下超声混合均匀得到水溶液BFE。
[0007]优选的，步骤S1中所述原箔厚度为125
‑
135μm。
[0008]优选的，步骤S2中所述发孔液为3%
‑ꢀ
5 % HCl、30%
‑ꢀ
50 % H2SO4、0.5%
‑
3 % Al、
0.02%
‑
0.05%水溶液BFE。
[0009]优选的，所述步骤S2中强度为0.06T，以0.20 A/cm
‑2的恒电流密度，每60s的时间间隔进行5次发孔腐蚀处理。
[0010]优选的，步骤S3中所述扩孔液为3%
‑
8 % HNO3、0.07%
‑ꢀ
0.14%H3PO4、0.02%
‑
0.05%缓蚀剂。
[0011]优选的，所述缓蚀剂为聚乙二醇。
[0012]优选的，所述步骤S3中以0.16A/cm
‑2的恒电流密度，每28s的时间间隔进行9次扩孔腐蚀处理。
[0013]优选的，所述步骤S4的具体如下，将步骤S3得到的扩孔箔，置于55
‑
65℃、2.5%
‑
5%的HCl溶液中处理40
‑
60s，纯水洗净后，再置于55
‑
65℃、2.5%
‑
5%的HNO3溶液中处理40
‑
60s，纯水洗净。
[0014]优选的，所述步骤S5中烘箱温度为60
‑
180℃。
[0015]本说明具有以下有益效果：本专利技术在发孔液中，通过添加纳米级的钡铁氧体磁粉、有机消泡剂超声均匀后配置水溶液BFE，添加于槽液中，以磁粉驱动有机消泡剂以水为载体，在磁场作用下，钡铁氧体磁粉会携带聚氧丙烯醚，透过双电层聚集在腐蚀隧道孔之上，聚氧丙烯醚渗透隧道孔内瓦解纳米级氢水磁悬液泡表面的双电层，使得内外液体快速流动，从而使得液泡破灭，通过抑制纳米级氢水液泡产生，降低支孔形成的概率，提升成品箔的容量与强度，解决现有技术中磁致涡流效应会使槽中产生大量纳米级氢水磁悬液泡，堵塞在蚀孔底部，影响进一步发孔，从而使的隧道内产生支孔，影响成品箔的容量与强度的问题；同时提升Cl
‑
在蚀孔隧道的吸附量，提升有效腐蚀，大大提升残芯的均一性。
附图说明
[0016]图1：添加水溶液BFE与未添加水溶液BFE的极化曲线测试图；图2：样品1中未添加水溶BFE时残芯蚀孔的微观图；图3：样品2中添加水溶液BFE时残芯蚀孔的微观图；图4：样品3中添加水溶液BFE时残芯蚀孔的微观图；图5：样品4中添加水溶液BFE时残芯蚀孔的微观图。
具体实施方式
[0017]下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明，但并不作为对本专利技术限制的依据。
[0018]一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法，所述方法如下：步骤S1：将选用的125
‑
135μm原箔至于70
ꢀ‑ꢀ
80℃、0.2%
ꢀ‑ꢀ
4 %氢氧化钠溶液中浸泡1
‑
2min前处理后，用纯水洗涤；步骤S2：将步骤S1中得到的原箔，置于含3%
‑ꢀ
5 % HCl、30%
‑ꢀ
50 % H2SO4、0.5%
‑
3 % Al、0.02%
‑
0.05%水溶液BFE的发孔液中，以上N极，下S极，强度为0.02T
‑
0.12 T的恒定磁场强度；以电流范围为0.20 A/cm
‑2‑
0.25 A/cm
‑2恒电流，每40
‑
60s的时间间隔进行3
‑
5次发孔腐蚀处理后，用纯水洗净；步骤S3：将步骤S2中得到的发孔箔，置于含3%
‑
8 % HNO3、0.07%
‑ꢀ
0.14%H3PO4、0.02%
‑
0.05%缓蚀剂的扩孔液中，以电流范围为0.16A/cm
‑2‑
0.18A/cm
‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述方法如下：步骤S1：将原箔至于70
ꢀ‑ꢀ
80℃、0.2%
ꢀ‑ꢀ
4 %氢氧化钠溶液中浸泡1
‑
2min前处理后，用纯水洗涤；步骤S2：将步骤S1中得到的原箔，置于发孔液中，以上N极，下S极，强度为0.02T
‑
0.12 T的恒定磁场强度；以电流范围为0.20 A/cm
‑2‑
0.25 A/cm
‑2恒电流，每40
‑
60s的时间间隔进行3
‑
5次发孔腐蚀处理后，用纯水洗净；步骤S3：将步骤S2中得到的发孔箔，置于扩孔液中，以电流范围为0.16A/cm
‑2‑
0.18A/cm
‑2恒电流，每20
‑
30s的时间间隔进行7
‑
9次扩孔腐蚀处理后，用纯水洗净；步骤S4：将步骤S3得到的扩孔箔，置于HCl溶液中处理，纯水洗净后，再置于HNO3溶液中处理后，纯水洗净；步骤S5：将步骤S4中得到的扩孔箔置于烘箱中热处理后，冷却至常温；步骤S6：将步骤S5中得到的扩孔箔进行化成处理，洗净烘干后得到成品箔；其中，在步骤S2中发孔液中加入钡铁氧体磁粉驱动有机消泡剂以水为载体的水溶液BFE，所述有机消泡剂为有机醚类或有机硅类。2.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述水溶液BFE的制备方法如下：将1
‑
1.5g/L的50
‑
100nm钡铁氧体磁粉、2
‑
5g/L的聚氧丙烯醚与水在常温下超声混合均匀得到水溶液BFE。3.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，步骤S1中所述原箔厚度为125
‑
135μm。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小兵，李姜红，王建中，朱伟晨，吴迎香，冒慧敏，徐中均，
申请(专利权)人：南通海一电子有限公司宁夏海力电子有限公司，
类型：发明
国别省市：