【技术实现步骤摘要】
具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极及其制备方法
[0001]本专利技术属于电子元器件的钽电解电容器制备领域,具体涉及一种具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极及其制备方法。
技术介绍
[0002]钽电解电容器因其具有高比容,小体积,可靠性高和频率特性好等优点成为在严苛环境中无法被替代的一类电子元器件。与此同时,钽电容的劣势也非常明显,综合表现为以下两点。其一,价格昂贵,钽电解电容器的成本除了来源于钽材料本身外与其阳极块复杂的制造工艺也密切相关;其二,尽管钽电容的电容密度远远高于铝电解电容器,但由于受到烧结工艺的限制,其阳极块无法得到更大的尺寸,这就导致钽电容器的容量受到限制,无法像铝电解电容器那样广泛应用于电力电子领域。
[0003]事实上,如果利用刻蚀钽箔作为钽电解电容器的阳极,则一切问题都可以迎刃而解。一方面,刻蚀箔的制备只需要经过电化学刻蚀,其工艺过程非常简单,可以大大降低钽电容的生产成本。另外,箔式电容器的封装方式一般为卷绕式,可以制备很大体积的电容器,这也就解决了钽电容器容量较小的问题。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:以脉冲直流电源为能量源,以预处理后的钽箔作为阳极,以石墨电极或惰性金属作为阴极,阳极与阴极均与脉冲直流电源相连接,置于腐蚀液中,进行电化学腐蚀;将刻蚀箔在磷酸水溶液中进行阳极氧化,得到腐蚀钽箔。2.根据权利要求1所述的一种具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极的制备方法,其特征在于,钽箔预处理的过程如下:将厚度为20
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200μm的高纯钽箔裁剪,超声清洗,烘干后在氢氟酸
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HNO3混酸中化学抛光,烘干。3.根据权利要求2所述的一种具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极的制备方法,其特征在于,氢氟酸
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HNO3的体积比为20:55;抛光时间为30
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120s。4.根据权利要求1所述的一种具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极的制备方法,其特征在于,腐蚀液为0.01
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0.04mol/L溴化盐的甲醇溶液。5.根据权利要求4所述的一种具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极的制备方法,其特征在于,溴化盐...
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