铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法技术

本发明专利技术公开一种铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法，属于铝电解电容器用高压铝箔制造技术领域，具体步骤包括：1）对铝箔光箔进行表面处理，提高光箔表面活性；2）预处理完成的铝箔进入液态掩膜剂槽内，在传动作用下铝箔从掩膜槽拉出，使所述掩膜剂在铝箔表面附着形成掩膜层；3）覆盖掩膜剂的铝箔经过干燥后表面形成掩膜干膜；4）通过使用预设好的图形在掩膜干膜面曝光形成均匀的圆孔形状；5）显影后露出均匀孔状的铝箔面；6）将完成显影的铝箔送入腐蚀槽，通过电化学腐蚀在铝箔正反表面形成均匀分布的腐蚀发孔。本发明专利技术制造方法能够有效地控制后期电腐蚀发孔的均匀分布，且易大面积加工，适合产线连续作业。适合产线连续作业。适合产线连续作业。

【技术实现步骤摘要】
铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法


[0001]本专利技术涉及铝电解电容器用高压铝箔制造
，尤其是涉及一种铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法。

技术介绍

[0002]传统高压腐蚀箔是在光箔上直接附加直流电进行电化学腐蚀，在铝箔表面形成空洞并垂直向内延伸，以此增加铝箔的表面积，用于铝电解电容器的正极，增大电容器容量。但这种方法得到的表面孔洞并不均匀，孔与孔之间容易因为腐蚀距离过近而发生并孔，减少表面利用率。中国专利公开号为CN103137403A公布了一种用于透射显微和扫描显微分析用的多孔铝箔网，该方法可以在铝箔单面形成均匀腐蚀孔洞，其所使用的铝箔厚度为10～50μm。中国专利申请号为201510495250.1公布了利用掩膜技术在铝箔表面制备均匀分布的纳米柱阵列方法，经酸液腐蚀后可形成单面表面结构为纳米柱阵列结构的铝塑无胶复合用铝箔。以上专利技术虽能实现铝箔表面孔洞的均匀分布，但受制于涂布方式仅单面形成微结构，且应用领域有限，在连续批量化生产方面略有不足。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是减少高压正极箔不规律腐蚀引起的并孔，实现腐蚀蚀孔的均匀分布，从而提高铝箔利用率，增加电极箔表面积。曝光成像与显影技术在半导体制作工艺中多用于制作线路板线路图形步骤，本专利技术将其与铝电解电容器用高压铝箔制造技术相结合，能有效实现腐蚀蚀孔的均匀分布，且该方法用于双面腐蚀，易大面积加工，适合产线连续作业。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种掩膜均匀腐蚀发孔的铝电解电容器用高压铝箔的制造方法，包括如下步骤：步骤（1）对铝箔光箔进行表面处理，清除表面油污，提高光箔表面活性。
[0005]步骤（2）预处理完成的铝箔进入液态掩膜剂槽内，在传动作用下，铝箔从掩膜槽拉出，同时表面附着一层掩膜剂，所述掩膜剂在铝箔表面附着形成掩膜层。
[0006]步骤（3）覆盖掩膜剂的铝箔进入干燥设备，经过干燥后，表面形成掩膜干膜。
[0007]步骤（4）通过使用预设好的图形对掩膜干膜进行曝光，使掩膜干膜面形成均匀的圆孔形状。
[0008]步骤（5）使用显影剂对步骤（4）中曝光完成的掩膜干膜进行显影，洗去掩膜干膜上的圆孔形状，露出均匀孔状的铝箔面。
[0009]步骤（6）将步骤（5）中的铝箔送入腐蚀槽，通过电化学腐蚀，所述电化学腐蚀采用直流电腐蚀，在铝箔正反表面形成均匀分布的腐蚀发孔。
[0010]优选的，所述铝箔厚度范围为50～150μm。
[0011]优选的，所述步骤（1）中，所述清除表面油污采用了稀硫酸溶液进行表面清理，所述稀硫酸溶液的浓度为2%～5%。
[0012]优选的，所述步骤（2）中所述的掩膜层厚度为1～2μm。
[0013]优选的，所述步骤（2）中的所述掩膜剂为液态耐酸碱感光抗蚀油墨。
[0014]优选的，所述步骤（2）中，所述液态耐酸碱感光抗蚀油墨的粘度为20mpa.s～40mpa.s；所述液态耐酸碱感光抗蚀油墨通过添加有机稀释剂调剂粘度。
[0015]优选的，所述步骤（3）中的烘干设备包括了垂直烘干设备和水平烘干设备，所述垂直烘干设备对铝箔进行预烘，预烘后，再进入充满氮气循环保护的水平烘干设备中，对铝箔进行烘干。
[0016]优选的，所述垂直烘干设备的烘干温度为90℃，烘干时间为30s；所述水平烘干设备的烘干温度为100～200℃，烘干时间为1min～2min。
[0017]优选的，所述步骤（4）中，所述曝光精度为1～5μm，曝光能量为500mJ～2000mJ。
[0018]优选的，所述步骤（6）中所述的直流电腐蚀的腐蚀电流密度为0.05A/cm2～0.5A/cm2。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过在铝箔表面附着掩膜层，进行干燥后，利用预制点状图形对附着有掩膜干膜的铝箔曝光，形成具有均匀点状暴露的铝箔，通过电化学腐蚀后，在铝箔正反表面形成腐蚀发孔，相对于传统的发孔工艺，本专利技术制造方法能够有效地控制后期电腐蚀发孔的均匀分布。由于其工艺步骤简单，操作方便，易批量化生产，具有较好的应用价值。
附图说明
[0020]图1为本专利技术制造方法的流程示意图。
[0021]图2为本专利技术制造方法中步骤4
‑
6的铝箔表面状态示意图。
具体实施方式
[0022]以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本专利技术作进一步描述，但并不因此而限制本专利技术的保护范围。
[0023]实施例1一种掩膜均匀腐蚀发孔的铝电解电容器用高压铝箔的制造方法，包括如下步骤：步骤1：使用2%～5%的稀硫酸溶液对铝箔光箔进行表面处理，清除表面油污和氧化物，暴露新鲜铝层，提高铝箔表面活性。
[0024]步骤2：配制液态掩膜剂，掩膜剂为液态耐酸碱感光抗蚀油墨，加入适量的有机稀释剂如酒精，丙酮调整液态耐酸碱感光抗蚀油墨粘度至20mpa.s～40mpa.s，预处理完成的铝箔从掩膜剂槽中带出，使铝箔表面覆盖一层掩膜层，该掩膜层厚度为1～2μm。
[0025]步骤3：掩膜层通过垂直烘干设备90℃烘干30s，后进入水平烘干设备，烘干温度100～200℃，烘干时间1min～2min；经过烘干后的铝箔表面形成掩膜干膜。
[0026]步骤4：通过设计好点状图形的菲林对掩膜干膜进行曝光，曝光精度为1～5μm，曝光能量为1000～2000mJ。
[0027]步骤5：使用显影剂对曝光完成的掩膜干膜进行显影，暴露出掩膜干膜下点状阵列的铝材，铝材点状直径为2～10μm。
[0028]步骤6：对步骤5中得到的铝箔使用直流腐蚀，铝箔表面出现均匀的预蚀蚀坑，腐蚀
电流密度为0.1A/cm2～0.5A/cm2，得到表面均匀分布的腐蚀发孔，发孔孔径为2～6μm，孔距为4～10μm。
[0029]实施例2一种掩膜均匀腐蚀发孔的铝电解电容器用高压铝箔的制造方法，包括如下步骤：步骤1：使用2%～5%的稀硫酸溶液对铝箔光箔进行表面处理，清除表面油污和氧化物，暴露新鲜铝层，提高铝箔表面活性。
[0030]步骤2：配制液态掩膜剂，掩膜剂为液态耐酸碱感光抗蚀油墨，加入适量的有机稀释剂如酒精，丙酮调整液态耐酸碱感光抗蚀油墨粘度至20mpa.s～40mpa.s，预处理完成的铝箔从掩膜剂槽中带出，使铝箔表面覆盖一层掩膜层，该掩膜层厚度为1～2μm。
[0031]步骤3：掩膜层通过垂直烘干设备90℃烘干30s，后进入水平烘干设备，烘干温度100～200℃，烘干时间1min～2min；经过烘干后的铝箔表面形成掩膜干膜。
[0032]步骤4：通过激光扫描程序对掩膜干膜进行曝光，曝光精度为1～2μm，曝光能量为500～1000mJ。
[0033]步骤5：使用显影剂对曝光完成的掩膜干膜进行显影，暴露出掩膜干膜下点状阵列的铝材，铝材点状直径为2～4μm。
[0034]步骤6：对步骤5中得到的铝箔使用直流腐蚀，铝箔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤（1）对铝箔光箔进行表面处理，清除表面油污，提高光箔表面活性；步骤（2）预处理完成的铝箔进入液态掩膜剂槽内，在传动作用下，铝箔从掩膜槽拉出，同时表面附着一层掩膜剂,所述掩膜剂在铝箔表面附着形成掩膜层；步骤（3）覆盖掩膜剂的铝箔进入干燥设备，经过干燥后，表面形成掩膜干膜；步骤（4）通过使用预设好的图形对掩膜干膜进行曝光，使掩膜干膜面形成均匀的圆孔形状；步骤（5）使用显影剂对步骤（4）中曝光完成的掩膜干膜进行显影，洗去掩膜干膜上的圆孔形状，露出均匀孔状的铝箔面；步骤（6）将步骤（5）中的铝箔送入腐蚀槽，通过电化学腐蚀，所述电化学腐蚀采用直流电腐蚀，在铝箔正反表面形成均匀分布的腐蚀发孔。2.根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法，其特征在于，所述铝箔厚度范围为50～150μm。3.根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法，其特征在于，所述步骤（2）中所述的掩膜层厚度为1～2μm。4.根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用高压铝箔掩膜均匀腐蚀发孔的制造方法，其特征在于，所述步骤（2）中的所述掩膜剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建中，陆云龙，
申请(专利权)人：南通海一电子有限公司宁夏海力电子有限公司，
类型：发明
国别省市：