一种基于制造技术

本发明专利技术提供一种基于

【技术实现步骤摘要】
一种基于CPL的高耐压GaN HEMT及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种基于
CPL
的高耐压
GaN HEMT
及制备方法
。

技术介绍

[0002]继以半导体
Si
为代表的第一代半导体材料和以
GaAs
为代表的第二代半导体材料之后，以
GaN
为代表的宽禁带半导体材料，在近年来迅速发展起来的新型半导体材料
。GaN
材料是直接宽带隙半导体材料，因其带隙宽度大
、
发光效率高
、
电子漂移饱和速度高
、
热导率高
、
硬度大
、
介电常数小
、
化学性质稳定以及抗辐射
、
耐高温等特点，使其高亮度蓝光发光二极管
、
蓝光激光器和紫外探测器等光电子器件以及抗辐射
、
高频
、
高温
、
高压等电子器件领域有着巨大的应用潜力和广阔的市场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于
CPL
的高耐压
GaN HEMT
，其特征在于，包括：多个带电钝化层和
AlN
层；所述带电钝化层位于栅极和漏极之间的钝化层中；所述带电钝化层的深度和宽度各不相同；所述带电钝化层用于平滑所述栅极和所述漏极之间的电场线；所述
AlN
层位于衬底和
GaN
层之间；所述
AlN
层用于平滑所述栅极和所述漏极之间的电场线；所述
AlN
层的厚度非均匀
。2.
根据权利要求1所述的一种基于
CPL
的高耐压
GaN HEMT
，其特征在于，靠近栅极的所述带电钝化层的宽度最小且深度最小
。3.
根据权利要求1所述的一种基于
CPL
的高耐压
GaN HEMT
，其特征在于，靠近漏极的所述带电钝化层的宽度最大且深度最大
。4.
根据权利要求1所述的一种基于
CPL
的高耐压
GaN HEMT
，其特征在于，在栅极和源极之间的下方的所述
AlN
层的厚度大
。5.
根据权利要求1所述的一种基于
CPL
的高耐压
GaN HEMT
，其特征在于，在深度大的所述带电钝化层下方的
AlN
层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄汇钦，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：