本公开的实施例提供一种引线框的处理方法、引线框以及芯片封装产品。所述引线框的处理方法包括：提供引线框，所述引线框包括用于安装芯片的芯片接合区，所述引线框的部分表面形成有氧化物层，所述氧化物层覆盖所述芯片接合区；对所述芯片接合区内的氧化物层进行形貌处理，以减少所述芯片接合区内的氧化物层粗糙度。采用本公开的实施例的引线框的处理方法处理后的引线框，用于芯片封装时无粘合剂渗出的现象，具有良好的封装可靠性。具有良好的封装可靠性。具有良好的封装可靠性。
【技术实现步骤摘要】
引线框的处理方法、引线框以及芯片封装产品
[0001]本公开涉及芯片封装领域，特别涉及一种引线框的处理方法、引线框以及芯片封装产品。
技术介绍
[0002]在芯片封装的领域，通常使用引线框作为安装芯片的载体，并通过键合线焊接实现芯片与引线框的引脚连接，从而将芯片的电极接出；同时需要使用塑封材料将芯片与键合线密封，以保护芯片与键合线免受外部环境的干扰和影响。
[0003]使用封装材料将芯片、键合线以及引线框的大部分包裹完成封装，因此，封装材料与引线框的结合强度将影响封装强度和稳定性。通常引线框的材质为铜合金，键合线的材质为金，为增强键合线与引线框的焊接牢固性，一般首先在引线框上电镀银，再将键合线焊接在银上。由于封装材料与铜合金的结合力大于其与银的结合力，电镀银的形成减少了与封装材料结合的铜合金的面积，导致封装强度有所下降。在实际封装中，容易出现封装材料与引线框分层的现象。
[0004]为增强封装强度，通常对引线框表面未镀银的区域进行处理，其中一种处理方式为氧化处理，被氧化的引线框表面变得粗糙，与封装材料的结合力有一定加强。
[0005]另一方面，引线框上包括芯片接合区，用于安装芯片，通常通过粘合剂将芯片安装在芯片接合区，在引线框上的与芯片接合区域涂敷粘合剂，再将芯片粘接到粘合剂上，从而将芯片与引线框相互固定，在安装过程中，粘合剂容易外渗出芯片接合区，从而流动至芯片接合区以外的引线框的表面，粘合剂流动并覆盖引线框上的镀银区域，对键合线的键合产生不利影响，粘合剂流动至非镀银区域，容易导致封装失败。<br/>[0006]因此，需要一种新的引线框的处理方法，来防止在芯片封装中粘合剂外渗的现象，并保证封装的可靠性。
技术实现思路
[0007]为解决引线框用于芯片封装时出现的粘合剂渗出的问题，以保证芯片封装的可靠性，本公开的实施例提供一种引线框的处理方法，所述引线框的处理方法包括：提供引线框，所述引线框包括用于安装芯片的芯片接合区，所述引线框的部分表面形成有氧化物层，所述氧化物层覆盖所述芯片接合区；对所述芯片接合区内的氧化物层进行形貌处理，以减少所述芯片接合区内的氧化物层粗糙度。
[0008]在一些实施例中，所述引线框的处理方法还包括：对所述芯片接合区外的氧化物层进行形貌处理。
[0009]在一些实施例中，所述对所述芯片接合区外的氧化物层进行形貌处理与所述对所述芯片接合区内的氧化物层进行形貌处理在同一步骤中进行。
[0010]在一些实施例中，所述形貌处理包括：对所述氧化物层进行机械研磨，以减少所述氧化物层的粗糙度。
[0011]在一些实施例中，所述机械研磨包括：在1～3个标准大气压的压力与10～80℃的温度下，使用氧化铝或工业钻石对所述氧化物层进行研磨。
[0012]在一些实施例中，所述形貌处理包括：对所述芯片接合区内的氧化物层进行化学刻蚀。
[0013]在一些实施例中，所述形貌处理还包括：在进行所述化学刻蚀之前，所述引线框的表面上还形成有掩膜层，所述掩膜层暴露出所述芯片接合区。
[0014]在一些实施例中，所述形貌处理包括：对所述氧化物层进行化学刻蚀。
[0015]在一些实施例中，所述化学刻蚀包括：使用浓度为0.1～2mol/L的刻蚀液，在1～3个标准大气压的压力与10～80℃的温度下，对所述氧化物层进行刻蚀。
[0016]在一些实施例中，所述刻蚀液包括H2SO4溶液、HNO3溶液、HCl溶液、KOH溶液或NaOH溶液。
[0017]在一些实施例中，所述氧化物层通过对所述引线框的部分表面进行氧化处理而形成，所述氧化处理包括：将所述引线框浸入氧化处理液中，以在所述引线框的部分表面形成氧化物层，所述氧化处理液包括氧化剂、第一改性剂与第一添加剂，所述氧化剂的质量分数为1％～10％；对所述引线框进行清洗。
[0018]在一些实施例中，经过所述形貌处理后，在所述芯片接合区外，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～5；在所述芯片接合区内，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～3。
[0019]在一些实施例中，经过所述形貌处理后，所述芯片接合区外的所述氧化物层的厚度为所述芯片接合区内的氧化物层的厚度为
[0020]在一些实施例中，经过所述形貌处理后，在所述芯片接合区外和在所述芯片接合区内，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～3。
[0021]在一些实施例中，经过所述形貌处理后，在所述芯片接合区外和在所述芯片接合区内，所述氧化物层的厚度为
[0022]在一些实施例中，所述引线框的材质为铜或铜合金，所述氧化物层包括铜的氧化物。
[0023]本公开的实施例还提供一种引线框，所述引线框包括适于安装芯片的芯片接合区，所述引线框的部分表面形成有氧化物层，所述氧化物层覆盖所述芯片接合区，在所述芯片接合区内，所述氧化物层的厚度为
[0024]在一些实施例中，在所述芯片接合区内，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～3。
[0025]在一些实施例中，所述引线框的材质为铜或铜合金，所述氧化物层包括铜的氧化物。
[0026]本公开的实施例还提供一种芯片封装产品，所述芯片封装产品包括：以上任意的引线框；安装于所述芯片接合区的芯片；将所述芯片与所述引线框电连接的键合线；封装材料，所述封装材料将所述芯片、所述键合线、与所述引线框的至少部分封装。
[0027]在一些实施例中，所述芯片封装产品还包括：位于所述引线框与所述芯片之间的粘合剂，所述粘合剂与所述引线框和所述芯片粘接。
[0028]在一些实施例中，所述粘合剂包括环氧树脂与银。
[0029]与现有技术相比，本公开实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0030]本公开的实施例的引线框的处理方法对引线框进行处理，对引线框的表面上的氧化物层进行形貌处理，减少芯片接合区内的氧化物层的粗糙度，从而降低芯片接合区内的氧化物层的表面能，在芯片通过粘合剂安装于引线框时，粘合剂不容易从芯片接合区渗出而影响后续封装。
[0031]本公开的实施例中，所述形貌处理包括对芯片接合区内的氧化物层进行机械研磨或化学刻蚀，经过形貌处理之后，芯片接合区内的氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在引线框的表面上占的面积之比为1～3，相比形貌处理之前，芯片接合区内的氧化物层与粘合剂之间的表面张力有所下降，从而粘合剂不容易渗出芯片接合区而影响后续芯片封装。
[0032]本公开还提供一种引线框，所述引线框的表面形成有氧化物层，引线框的表面的芯片接合区内的氧化物层与芯片接合区外的氧化物层具有不同的厚度与粗糙度。芯片接合区内的氧化物层的表面能较低，在将芯片通过粘合剂安装于引线框的芯片接合区时，可以控制粘合剂的渗出，避免影响后续芯片封装。芯片接合区外的氧化物层，在通过封装材料将芯片与至少部分的引本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种引线框的处理方法，其特征在于，包括：提供引线框，所述引线框包括用于安装芯片的芯片接合区，所述引线框的部分表面形成有氧化物层，所述氧化物层覆盖所述芯片接合区；对所述芯片接合区内的氧化物层进行形貌处理，以减少所述芯片接合区内的氧化物层粗糙度。2.根据权利要求1所述的引线框的处理方法，其特征在于，还包括：对所述芯片接合区外的氧化物层进行形貌处理。3.根据权利要求2所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述对所述芯片接合区外的氧化物层进行形貌处理与所述对所述芯片接合区内的氧化物层进行形貌处理在同一步骤中进行。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述形貌处理包括：对所述氧化物层进行机械研磨，以减少所述氧化物层的粗糙度。5.根据权利要求4所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述机械研磨包括：在1～3个标准大气压的压力与10～80℃的温度下，使用氧化铝或工业钻石对所述氧化物层进行研磨。6.根据权利要求1所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述形貌处理包括：对所述芯片接合区内的氧化物层进行化学刻蚀。7.根据权利要求6所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述形貌处理还包括：在进行所述化学刻蚀之前，所述引线框的表面上还形成有掩膜层，所述掩膜层暴露出所述芯片接合区。8.根据权利要求1
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3中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述形貌处理包括：对所述氧化物层进行化学刻蚀。9.根据权利要求8所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述化学刻蚀包括：使用浓度为0.1～2mol/L的刻蚀液，在1～3个标准大气压的压力与10～80℃的温度下，对所述氧化物层进行刻蚀。10.根据权利要求8所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述刻蚀液包括H2SO4溶液、HNO3溶液、HCl溶液、KOH溶液或NaOH溶液。11.根据权利要求1
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3中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述氧化物层通过对所述引线框的部分表面进行氧化处理而形成，所述氧化处理包括：将所述引线框浸入氧化处理液中，以在所述引线框的部分表面形成氧化物层，所述氧化处理液包括氧化剂、第一改性剂与第一添加剂，所述氧化剂的质量分数...
【专利技术属性】
技术研发人员：关耀辉，高证良，庄清洲，
申请(专利权)人：先进半导体材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：
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