一种焊盘修复方法及修复设备技术

本发明专利技术属于半导体加工技术领域，特别的涉及一种焊盘修复方法及修复设备，该焊盘修复方法，包括如下步骤：S

【技术实现步骤摘要】
一种焊盘修复方法及修复设备


[0001]本专利技术属于半导体加工
，特别的涉及一种焊盘修复方法及修复设备。

技术介绍

[0002]随着显示屏LED封装领域往更高封装效率、更优的封装结构、更好的封装质量和更小的封装尺寸等方向发展，MIP（Micro/Mini in package）、COB（Chip on Board）和COG（Chip On Glass）三种新型封装方式脱颖而出，三种封装方式共同点是都需要在布满焊盘的基板（Board、Glass）上贴装LED芯片或者IC，在贴装和返修过程中，由于各种原因，导致基板上LED焊盘和IC焊盘损坏。
[0003]目前，针对焊盘修复的方法及设备，如CN114126284A公开的一种印刷线路板焊盘、线路缺陷修复方法，包括下述步骤：S1、检测出印刷线路板焊盘、线路缺陷部位；S2、采用激光加工设备刻蚀所述印刷线路板焊盘、线路缺陷部位；S3、设置微笔直写的第一直写参数，按照所述第一直写参数，将导电电子浆料分配于经 过激光加工设备刻蚀后的所述印刷线路板焊盘、线路缺陷部位；S4、采用高温退火固化方式或者激光烧结固化方式，使导电电子浆料具备导电性，完成 缺陷焊盘、线路的修复。又如CN115863499A公开的基于3D扫描的焊盘修复控制方法、系统、终端及介质，其中，基于3D扫描的焊盘修复控制方法，其特征是，包括以下步骤：利用3D扫描方法采集目标焊盘中缺陷部的深度数据和形状数据；将缺陷部的深度数据与目标焊盘的层结构参数对比分析后确定缺陷部的受损膜层；依据受损膜层的分布情况对形状数据进行分割处理，得到每个受损膜层的平面形状；通过控制焊盘修复组件按照平面形状依次对相应的受损膜层进行材料涂覆，并对涂覆层进行固化和修型处理，直至所有受损膜层完成修复。
[0004]而包含上述所列举的现有技术的修复方法及设备，只能应对COB基板膜层厚度最低50微米级别；对于膜层更薄的基板，例如目前市场上出现的COG基板膜层厚度为0.5微米级别的焊盘修复，修复精度差，存在无法维修、良率低等情况。

技术实现思路

[0005]如上所述，现有技术中的定位缺陷部位、预处理、打印缺陷部位和固化的修复方式，一方面无法满足基板膜层更薄的焊盘的修复，另一方面，无法对大面积脱落进行修复，本专利技术的目的是针对这一缺陷，提供一种基于玻璃基板焊盘修复方法及修复设备，针对COG封装中出现的焊盘损坏进行修复，尤其能够对超薄玻璃基（COG基板膜层低于50微米级别），修复精度高，而且对于焊盘结构大面积脱落的情况进行修复，修复成功率高，不会出现相邻焊盘短路的情况。修复后无法导电性能受到影响，修复后无法保证正常的功能。
[0006]本专利技术第一方面，提供一种焊盘修复方法，包括如下步骤：S
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1. 定位待修复焊盘，定位出缺陷部位；S
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2. 围绕所述缺陷部位打印围坝，所述围坝包围的区域包括所述缺陷部位和部分完整部位；
S
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3. 对围坝进行固化；S
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4. 在缺陷部位打印填充修复材料；S
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5. 对修复材料进行固化；S
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6. 采用刻蚀溶液处理所述围坝包围的区域，使得焊盘表面的保护层被去除；S
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7.在所述围坝的包围区域打印导电浆料；S
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8.激光烧结导电浆料，完成焊盘修复。
[0007]通常，焊盘的结构自下而上依次是基板、第一导电层、第一保护层、树脂层、第二保护层以及第二导电层。焊盘需要连通第二导电层来实现导电，故在焊盘修复过程中，第二导电层不可以被破坏，第二导电层上方的第二保护层需要去除，以降低导电银浆(焊盘)和第二导电层之间的接触电阻。
[0008]现有技术中，通常对于缺陷部位的处理方式是采用铣削等物理方式来去除第二导电层表面的第二保护层，但是由于第二保护层往往比较薄，这种方式，难以满足精度上的高要求，对设备精度要求极高。通常出现去除不彻底或者去除过度而损伤第二导电层的情况，导致修复后无法正常形式功能。
[0009]本专利技术，采用刻蚀溶液对保护层进行化学去除，根据保护层的厚度，通过控制刻蚀溶液的浓度和用量，可以对保护层进行精准去除，无需依赖高精度的设备，即可以实现超薄膜层焊盘的修复，可以实现纳米级膜层的去除。
[0010]在采用刻蚀溶液对保护层进行精准去除的基础上，本专利技术设置围坝，通过围坝来限制刻蚀溶液的刻蚀范围，防止刻蚀溶液溢出焊盘以外部位，避免对其它区域的破坏。
[0011]围坝以内包含焊盘完整部位，去除完整部位表面的保护层，暴露其下方的导电层，有利于增大导电面积，确保修复焊盘正常功能的行使。
[0012]作为上述技术方案的优选，所述保护层为致密氮化硅膜层，所述刻蚀溶液为氢氟酸。致密氮化硅膜层是常用的保护层，采用氢氟酸进行刻蚀，原理：致密氮化硅膜层为Si3N4可与氢氟酸反应生成气体排出设备，脱离基板加热条件下氢氟酸水溶液和致密氮化硅膜层反应：Si3N4+ 12 HF == 3SiF4↑ꢀ
+ 4NH3↑
。致密氮化硅膜层和氢氟酸反应产生的主体物质均为气体，通过有机排风处理轻松脱离玻璃基基板，较其他的修复处理方案，后处理方式简单。
[0013]作为上述技术方案的优选，在步骤S
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6之后，进行红外热处理。为了确保保护层的去除效果，氢氟酸通常会设定稍过量，通过红外热处理，去除过量的氢氟酸。
[0014]作为上述技术方案的优选，所述围坝的材料为耐刻蚀溶液的树脂。
[0015]作为上述技术方案的优选，所述围坝的材料为耐刻蚀溶液的环氧树脂。
[0016]所述围坝的高度根据实际氢氟酸的使用量而定，围坝保证氢氟酸不会外溢，氢氟酸的液面与围坝齐平或略低于围坝。综合围坝的打印工艺，优选围坝的高度不超过20μm，尤其是不超过15μm，更加优选不超过10μm。
[0017]作为上述技术方案的优选，所述修复材料为耐刻蚀溶液的树脂，更加优选为耐刻蚀溶液的环氧树脂。
[0018]本专利技术的第二方面，提供一种焊盘修复的设备，包括：基板固定部件，用于固定待修复基板；定位系统，对待修复基板的缺陷部位进行定位；
围坝打印部件，围绕所述缺陷部位打印围坝；修复材料打印部件，向所述缺陷部位打印修复材料；刻蚀溶液注入部件，向所述缺陷部位注入刻蚀溶液；导电浆料打印部件，向所述缺陷部位打印所述导电浆料；固化部件，固化所述围坝和所述修复材料；激光烧结部件，烧结所述导电浆料。
[0019]作为上述技术方案的优选，该修复设备还包括红外热处理部件，刻蚀溶液为氢氟酸溶液时，在氢氟酸注入与保护层反应完之后，对缺陷部位进行红外热处理，以去除余量的氢氟酸。
[0020]作为上述技术方案的优选，该修复设备还包括排风部件，用于排出保护层去除过程中会产生的气体。
[0021]作为上述技术方案的优选，该修复设备还包括进料载台和出料载台，安装在设备机架上，分别位于运动平台的两侧，进料载台用于将待修复基板送入到基板固定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种焊盘修复方法，其特征在于，至少包括如下步骤：S
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1. 定位待修复焊盘，定位出缺陷部位；S
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2. 围绕所述缺陷部位打印围坝，所述围坝包围的区域包括所述缺陷部位和部分完整部位；S
‑
3. 对围坝进行固化；S
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4. 在缺陷部位打印填充修复材料；S
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5. 对修复材料进行固化；S
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6. 采用刻蚀溶液处理所述围坝包围的区域，使得焊盘表面的保护层被去除；S
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7. 在所述围坝的包围区域打印导电浆料；S
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8. 激光烧结导电浆料，完成焊盘修复。2.根据权利要求1所述的一种焊盘修复方法，其特征在于， 所述保护层为致密氮化硅膜层，所述刻蚀溶液为氢氟酸。3.根据权利要求2所述的一种焊盘修复方法，其特征在于，在步骤S
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6之后，进行红外热处理。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉祥，曹方义，
申请(专利权)人：芯体素杭州科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：