半导体集成电路装置制造方法及图纸

一种半导体集成电路装置，具备：一个以上的第一晶体管，控制输入电源线和输出电源线之间的导通；一个以上的第二晶体管，控制上述输入电源线和上述输出电源线之间的导通；第一缓冲器，向与上述一个以上的第一晶体管连接的第一控制线供给用于驱动上述一个以上的第一晶体管的第一控制信号；第二缓冲器，经由上述第一控制线被供给上述第一控制信号，产生用于驱动上述一个以上的第二晶体管的第二控制信号，并将其供给至与上述一个以上的第二晶体管连接的第二控制线；以及一个以上的电容器，连接在上述第一控制线和上述输出电源线之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对待机状态的逻辑块(logic block)进行电源切断的低耗电技术 等中所利用的有效的半导体集成电路装置。
技术介绍
以往，在半导体集成电路装置中采用了多种低耗电技术。例如，采用了用于切断待 机状态的逻辑块的电源供给的电源开关，以此来削减电量消耗。即，在作为半导体集成电路 装置内部的电源(下面也称为假想电源)的假想电源线和半导体集成电路装置的外部的电 源(外部电源)之间设有电源开关，从而控制从外部电源向假想电源线的供电。通过互不相同的电源开关向待机状态的逻辑块和活性化的逻辑块供电。然而，在 为了使待机状态的逻辑块活性化而接通(ON)电源开关的瞬间有时会产生冲击电流(rush current)。若产生冲击电流，则外部电源的电源电压力会变动，向其他的活性化的逻辑块的 供电也变得不稳定，逻辑块有误动作的危险。因此，在日本特开2008-34667号公报(以下称为文献1)中，公开了防止冲击电流 的技术。在文献1的技术中，作为电源开关而采用了晶体管，晶体管的栅极和漏极之间通 过电容器来连接，从而防止冲击电流的产生。另外，文献1的技术中设置了控制电路，根据 电源电压上升30%本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路装置，其特征在于，具备：一个以上的第一晶体管，控制输入电源线和输出电源线之间的导通；一个以上的第二晶体管，控制上述输入电源线和上述输出电源线之间的导通；第一缓冲器，向与上述一个以上的第一晶体管连接的第一控制线供给第一控制信号，该第一控制信号用于驱动上述一个以上的第一晶体管；第二缓冲器，经由上述第一控制线被供给上述第一控制信号而产生第二控制信号，并将该第二控制信号供给至与上述一个以上的第二晶体管连接的第二控制线，上述第二控制信号用于驱动上述一个以上的第二晶体管；以及一个以上的电容器，连接在上述第一控制线和上述输出电源线之间。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田哲也，萩原洋介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]