用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置，涉及半导体芯片制造技术领域，承载盘包括承载基底和承载基底上的可更换模块；可更换模块包括卫星盘

【技术实现步骤摘要】
用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置
[0001]本专利技术要求于
2023
年5月
22
日提交的申请号为
2023105813534、
专利技术名称为“用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置”的中国专利申请的优先权
,
其全部内容通过引用结合在本专利技术请中
。


[0002]本专利技术涉及半导体芯片制造
，尤其涉及一种用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置
。

技术介绍

[0003]晶圆外延技术是半导体加工技术中的一个重要环节之一
。
它的目的是在晶圆表面沉积一层具有良好的晶体质量
、
特定物理化学特性以及足够厚度的材料层，以供后续制备半导体器件所使用
。
晶圆外延技术应用非常广泛，主要用于
LED、
光电器件和功率器件等领域
。
[0004]在晶圆外延制造的过程中常会生成副产物，如氮化镓生长过程中会生成副产物氯化铵，这些副产物会在用于晶圆外延制造的设备上形成副产物涂层，为了达到晶圆生长外延的环境温度，设备内部的工作环境温度极高，副产物容易因为受热而无法维持稳定的状态，导致部分副产物颗粒迁移的速率提高，容易迁移到晶圆生长的区域表面，污染晶圆
。
氯气可以有效清除设备上大部分的副产物，因此氯气常被当作设备的清洁气体
。
[0005]由于设备的各个组件之间不可避免地存在缝隙，因此在清洁设备的过程中，氯气容易渗入设备组件之间的缝隙并腐蚀组件，设备组件使用寿命短，设备成本高
。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置，用以解决现有技术中使用氯气进行清洁时容易导致设备组件使用寿命短，设备成本高的缺陷
。
[0007]本专利技术提供一种用于晶圆外延制造的承载盘，包括承载基底和可拆卸固定在承载基底上的可更换模块；可更换模块包括卫星盘
、
盖体和垫片；垫片设置在承载基底上，盖体设置在垫片上；卫星盘设置在承载基底上，且分别与盖体和垫片紧密接触；其中，所有垫片的覆盖面积和所有盖体的覆盖面积相同，并且至少一条相邻盖体之间的缝隙设置于垫片上
。
[0008]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，盖体包括第一盖体和第二盖体；第一盖体设置在相邻的两个卫星盘之间，第二盖体设置在卫星盘和承载基底的边缘之间，相邻的第一盖体和第二盖体之间的缝隙设置于垫片上
。
[0009]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，垫片
、
第一盖体和第二盖体均为柱状，垫片包括第一边缘
、
第二边缘
、
第三边缘和第一过渡边缘；第一过渡边缘分别连接在第一边缘和第二边缘之间
、
第二边缘和第三边缘之间
、
第三边缘和第一边缘之间；第一边缘与卫星盘的部分边缘配合，第二边缘与承载基底的部分边缘配合
。
[0010]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，垫片的第三边缘与相邻垫片的第三边缘配合，一个第一盖体的横截面和两个第二盖体的横截面的组合图形和第三边缘配合的两个垫片的横截面的组合图形相同
。
[0011]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，垫片的第三边缘与另一个卫星盘的部分边缘配合，垫片的横截面为中心轴对称图形，一个第一盖体的横截面和两个第二盖体的横截面的组合图形与一个垫片的横截面相同
。
[0012]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，第一盖体为中心轴对称图形，第一盖体的横截面边缘包括第一盖体边缘
、
第二盖体边缘
、
第三盖体边缘和过渡盖体边缘；过渡盖体边缘分别连接在第一盖体边缘和第二盖体边缘之间
、
第二盖体边缘和第三盖体边缘之间
、
第三盖体边缘和第一盖体边缘之间；第一盖体边缘与承载基底的部分边缘配合，第二盖体边缘和第三盖体边缘沿中心轴对称，第二盖体边缘和第三盖体边缘分别与不同卫星盘的部分边缘配合；第一盖体的第二盖体边缘与垫片的部分第一边缘相同；第一盖体的第一盖体边缘与垫片的部分第二边缘相同
。
[0013]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，第二盖体的横截面边缘包括第四盖体边缘
、
第五盖体边缘和第六盖体边缘；第四盖体边缘与第一盖体的部分边缘配合，第五盖体边缘与承载基底的部分边缘配合，第六盖体边缘与卫星盘的部分边缘配合；第二盖体的第六盖体边缘与垫片的部分第一边缘相同；第二盖体的第五盖体边缘与垫片的部分第二边缘相同
。
[0014]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，卫星盘的厚度大于盖体的厚度，卫星盘的厚度大于垫片的厚度
。
[0015]根据本专利技术提供的一种用于晶圆外延制造的承载盘，卫星盘的厚度等于盖体的厚度和垫片的厚度之和
。
[0016]本专利技术还提供一种晶圆外延的制造装置，包括外盖组件和反应室组件，反应室组件包括反应室壳体
、
加热模块，反应室组件还包括如上述任一项所述的用于晶圆外延制造的承载盘；加热模块和承载盘设置于反应室壳体内，承载盘设置于加热模块之上；当外盖组件盖设于反应腔室组件时，外盖组件和反应室组件形成密闭的反应腔
。
[0017]根据本专利技术提供的一种晶圆外延的制造装置，外盖组件包括温控模块；温控模块用于通过循环液调整反应腔工作时的外盖组件的温度
。
[0018]根据本专利技术提供的一种晶圆外延的制造装置，还包括设置于外盖组件和
/
或反应室组件的温度传感器，温度传感器用于检测反应腔工作时的环境温度
。
[0019]本专利技术提供的用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置，承载盘包括承载基底和可拆卸固定在承载基底上的可更换模块；可更换模块包括卫星盘
、
盖体和垫片；垫片设置在承载基底上，盖体设置在垫片上；卫星盘设置在承载基底上，且分别与盖体和垫片紧密接触；其中，所有垫片的覆盖面积和所有盖体的覆盖面积相同，并且至少一条相邻盖体之间的缝隙设置于垫片上
。
通过上述方式，本专利技术通过垫片将盖体和承载基底隔离，至少一条相邻盖体之间的缝隙设置于垫片上，当使用氯气进行清洁时，氯气进入盖体之间的缝隙后会受到垫片的阻挡，无法直接腐蚀造价昂贵的承载基底，从而延长了承载基底的使用寿命，降低设备成本
。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0021]图
1(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于晶圆外延制造的承载盘，其特征在于，包括：承载基底和可拆卸固定在所述承载基底上的可更换模块；所述可更换模块包括卫星盘
、
盖体和垫片；所述垫片设置在所述承载基底上，所述盖体设置在所述垫片上；所述卫星盘设置在所述承载基底上，且分别与所述盖体和垫片紧密接触；其中，所有垫片的覆盖面积和所有盖体的覆盖面积相同，并且至少一条相邻盖体之间的缝隙设置于所述垫片上
。2.
根据权利要求1所述的用于晶圆外延制造的承载盘，其特征在于，所述盖体包括第一盖体和第二盖体；所述第一盖体设置在相邻的两个卫星盘之间，所述第二盖体设置在所述卫星盘和所述承载基底的边缘之间，相邻的第一盖体和第二盖体之间的缝隙设置于所述垫片上
。3.
根据权利要求2所述的用于晶圆外延制造的承载盘，其特征在于，所述垫片
、
所述第一盖体和所述第二盖体均为柱状，所述垫片包括第一边缘
、
第二边缘
、
第三边缘和第一过渡边缘；所述第一过渡边缘分别连接在所述第一边缘和所述第二边缘之间
、
所述第二边缘和所述第三边缘之间
、
所述第三边缘和所述第一边缘之间；所述第一边缘与所述卫星盘的部分边缘配合，所述第二边缘与所述承载基底的部分边缘配合
。4.
根据权利要求3所述的用于晶圆外延制造的承载盘，其特征在于，所述垫片的第三边缘与相邻垫片的第三边缘配合，一个所述第一盖体的横截面和两个所述第二盖体的横截面的组合图形和第三边缘配合的两个垫片的横截面的组合图形相同
。5.
根据权利要求3所述的用于晶圆外延制造的承载盘，其特征在于，所述垫片的第三边缘与另一个卫星盘的部分边缘配合，所述垫片的横截面为中心轴对称图形，一个所述第一盖体的横截面和两个所述第二盖体的横截面的组合图形与一个垫片的横截面相同
。6.
根据权利要求3‑5任一项所述的用于晶圆外延制造的承载盘，其特征在于，所述第一盖体为中心轴对称图形，所述第一盖体的横截面边缘包括第一盖体边缘
、
第二盖体边缘
、
第三盖体边缘和过渡盖体边缘；所述过渡盖体边缘分别连接在所述第一盖体边缘和所述第二盖体边缘之间
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴芃逸，周韧林，杨焕荣，林冠良，陈学敏，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：