改善制造技术

本发明专利技术公开一种改善

【技术实现步骤摘要】
改善NOR型闪存存储器耐受力的方法


[0001]本专利技术涉及一种闪存存储器技术，且特别涉及一种改善
NOR
型闪存存储器耐受力的方法
。

技术介绍

[0002]闪存存储器由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人电脑和其他电子设备所广泛采用的一种存储器
。
闪存存储器一般来说包括基板
、
依序堆叠于基板上的隧穿氧化层
、
浮置栅极
、
介电层与控制栅极
、
以及源极与漏极
。
[0003]闪存存储器包括或非式
(NOR
型
)
闪存存储器以及与非式
(NAND
型
)
闪存存储器，其中
NOR
型闪存存储器在数据读取速度方面较快，其是通过热电子注入的方式进行写入
(program)
，使电子隧穿于浮置栅极内，另通过
FN
隧穿效应
(Fowler Nordheim tunneling)
进行抹除
。
然而，经过多次写入
/
抹除循环之后，电子容易累积于靠近漏极端的隧穿氧化层以及隧穿氧化层与基板的交界处中
。
由于电子的累积会导致临界电压
V
T
改变，使存储器窗口
(memory window)
逐渐缩小，导致抹除所需的时间逐渐增加，最终使得
NOR
型闪存存储器的耐受力
(endurance)
降低而有寿命短的问题
。
[0004]传统的解决方法是对含有闪存存储器的整体半导体装置进行加热退火，使在漏极端的隧穿氧化层以及隧穿氧化层与基板的交界处中的陷入电子
(trapped electron)
移出
。
然而，由于半导体装置通常已封装，所以这样的加热方式往往因为封装材的温度限制而无法达到所需高温，且整体效率不佳
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种改善
NOR
型闪存存储器耐受力的方法，能有效降低
NOR
型闪存存储器内的界面陷阱
(interface traps)
与本体陷阱
(bulk traps)
，同时不影响半导体装置中的封装材料与内连线，从而改善
NOR
型闪存存储器的耐受力与使用寿命
。
[0006]本专利技术改善
NOR
型闪存存储器耐受力的方法，其中
NOR
型闪存存储器包括基板
、
形成于基板内的阱区
、
依序堆叠于基板上的隧穿氧化层
、
浮置栅极
、
介电层与控制栅极
、
以及设置于阱区中的源极与漏极，方法包括：检测
NOR
型闪存存储器的抹除时间；以及在抹除时间超出一预定值时，使源极处于浮置状态，施加负电压于控制栅极，以及施加正电压于阱区，以对漏极端进行焦耳加热
。
[0007]在本专利技术的一实施例中，进行上述焦耳加热的时间大于1秒
。
[0008]在本专利技术的一实施例中，进行上述焦耳加热的时间大于
60
秒
。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述阱区为
P
型掺杂区
。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述负电压为
‑
2V。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述负电压小于
‑
2V。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述正电压介于
3V
至
5V
之间
。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述漏极的电压为
0V。
[0014]在本专利技术的一实施例中，所述焦耳加热的温度在
150℃
至
800℃
之间
。
[0015]基于上述，根据本专利技术的改善
NOR
型闪存存储器耐受力的方法，通过在进行写入
/
抹除的过程中，同时检测所需的抹除时间，抹除时间超出一预定值时，通过对漏极端进行焦耳加热的方式，使靠近漏极端的隧穿氧化层以及隧穿氧化层与基板的交界处的陷入电子移出，以改善
NOR
型闪存存储器的耐受力
。
而且，因为焦耳加热不会对半导体装置的其他部位加热，因此不影响半导体装置中的内连线或整体封装结构，而可改善其使用寿命
。
[0016]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下
。
附图说明
[0017]图1是一种
NOR
型闪存存储器的示意图；
[0018]图2是本专利技术的一实施例的一种改善
NOR
型闪存存储器的耐受力的步骤图
。
[0019]符号说明
[0020]10:NOR
型闪存存储器
[0021]100:
基板
[0022]102:
阱区
[0023]110:
隧穿氧化层
[0024]120:
浮置栅极
[0025]130:
介电层
[0026]140:
控制栅极
[0027]150:
源极
[0028]160:
漏极
[0029]S1、S2、S3:
步骤
具体实施方式
[0030]以下内容提供许多不同的实施方式或实施例，用于实施本专利技术的不同特征
。
而且，这些实施例仅为示范例，并不用来限制本专利技术的范围与应用
。
再者，为了清楚起见，各区域或结构元件的相对尺寸
(
如长度
、
厚度
、
间距等
)
及相对位置可能缩小或放大
。
另外，在各附图中使用相似或相同的元件符号表示相似或相同元件或特征
。
[0031]图1是一种
NOR
型闪存存储器的示意图
。
图2是依照本专利技术的一实施例的一种改善
NOR
型闪存存储器的耐受力的步骤图
。
[0032]请参照图1，
NOR
型闪存存储器
10
包括基板
100、
形成于基板内的阱区
102、
依序堆叠于基板
100
上的隧穿氧化层
110、
浮置栅极
120、
介电层
130
以及控制栅极
140、
以及设置于阱区
102
中的源极...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善
NOR
型闪存存储器耐受力的方法，其中所述
NOR
型闪存存储器包括基板
、
形成于所述基板内的阱区
、
依序堆叠于所述基板上的隧穿氧化层
、
浮置栅极
、
介电层与控制栅极
、
以及设置于所述阱区中的源极与漏极，所述方法包括：检测所述
NOR
型闪存存储器的抹除时间；以及在所述抹除时间超出一预定值时，使所述源极处于浮置状态，施加负电压于所述控制栅极，以及施加正电压于所述阱区，以对所述漏极端进行焦耳加热
。2.
如权利要求1所述的改善
NOR
型闪存存储器耐受力的方法，其中进行所述焦耳加热的时间大于1秒
。3.
如权利要求1所述的改善
NOR
型闪存存储器耐受力的方法，其中进行所述焦耳加热的时间大于
60
秒
。4.
如权利要求1所述的改...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文岳，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：