半导体装置制造方法及图纸

目的在于提供能够抑制流通大电流时的电路图案与端子之间的接合部位的发热的半导体装置。半导体装置具备电路基板(1)和端子(3)，该电路基板(1)具有电路图案(2)。端子(3)具有在俯视观察时呈矩形形状的电极接合部(4)、主配线部(5)和一对副配线部(6)。电极接合部(4)的下表面通过接合材料(8)与电路图案(2)接合。主配线部(5)从电极接合部(4)的边(4a)直立设置状地设置。一对副配线部(6)从主配线部(5)的宽度方向的两端沿电极接合部(4)的与边(4a)相邻的边(4b)、(4c)延伸。一对副配线部的下端部(6)凸出至比电极接合部(4)的下表面更靠下方处。一对副配线部(6)的下端部与电极接合部(4)的下表面一起通过接合材料(8)与电路图案(2)接合。接合。接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]当前，在半导体装置设置有作为外部电极的端子，该端子的一端部与电路图案接合，另一端部与外部设备连接。就这样的半导体装置而言，存在如下问题，即，在电路图案与端子之间的接合面积小的情况下，在电路图案与端子之间的接合部位流过的电流的电流密度变高，在流通大电流时该接合部位局部地发热，由此半导体装置的寿命下降。
[0003]例如，在专利文献1中公开了如下构造，为了使电极与配线图案(相当于电路图案)之间的接合面积增加，在电极的一端部设置有三角形的一对弯折部分，一对弯折部分以相对于接合面而直立设置的方式弯折。
[0004]专利文献1：日本实开平02
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077870号公报
[0005]在专利文献1所记载的技术中，一对弯折部分的下端在与配线图案抵接的状态下接合，因此接合面以一对弯折部分的下端的面积的量增加。但是，由于一对弯折部分的下端的面积窄，所以接合面的增加量少，因此，对配线图案与电极之间的接合部位的发热进行抑制的效果不充分。

技术实现思路

[0006]因此，本专利技术的目的在于，提供能够抑制流通大电流时的电路图案与端子之间的接合部位的发热的半导体装置。
[0007]本专利技术涉及的半导体装置具有：电路基板，其具有在上表面搭载半导体元件的电路图案；以及作为外部电极的端子，其一端部与所述电路图案接合，另一端部与外部设备连接，所述端子具有：在俯视观察时呈矩形形状的电极接合部，其下表面通过接合材料与所述电路图案接合；主配线部，其从所述电极接合部的第1边直立设置状地设置；以及一对副配线部，其从所述主配线部的宽度方向的两端沿所述电极接合部的与所述第1边相邻的第2边及第3边延伸，一对所述副配线部的下端部凸出至比所述电极接合部的下表面更靠下方处，一对所述副配线部的下端部与所述电极接合部的下表面一起通过所述接合材料与所述电路图案接合。
[0008]专利技术的效果
[0009]根据本专利技术，除了由接合材料实现的电路图案与电极接合部之间的接合以外，一对副配线部的下端部在凸出至比电极接合部的下表面更靠下方的状态下通过接合材料与电路图案接合，因此，与一对副配线部的下端通过接合材料与电路图案接合的情况相比，电路图案与端子之间的接合面积增加。由此，能够抑制流通大电流时的电路图案与端子之间的接合部位的发热。
[0010]本专利技术的目的、特征、方案及优点通过以下的详细说明和附图变得更清楚。
附图说明
[0011]图1是表示实施方式1涉及的半导体装置所具有的端子与电路图案接合后的状态的正视图。
[0012]图2是图1的A
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A线剖视图。
[0013]图3是实施方式2涉及的半导体装置所具有的端子的正视图。
[0014]图4是图3的B
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B线剖视图。
[0015]图5是表示实施方式2涉及的半导体装置所具有的端子与电路图案接合后的状态的正视图。
[0016]图6是图5的C
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C线剖视图。
[0017]图7是表示实施方式3涉及的半导体装置所具有的端子与电路图案接合后的状态的正视图。
[0018]图8是图7的D
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D线剖视图。
[0019]图9是表示实施方式4涉及的半导体装置所具有的端子与电路图案接合后的状态的正视图。
具体实施方式
[0020]＜实施方式1＞
[0021]＜半导体装置的结构＞
[0022]以下，使用附图对实施方式1进行说明。图1是表示实施方式1涉及的半导体装置所具有的端子3与电路图案2接合后的状态的正视图。图2是图1的A
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A线剖视图。
[0023]如图1和图2所示，半导体装置具有电路基板1、半导体元件(省略图示)和端子3。半导体装置还具有将电路基板1及半导体元件封装的封装树脂(省略图示)和填充封装树脂的壳体(省略图示)等，但它们与现有的结构相同，因此省略它们的说明。
[0024]电路基板1例如是使用氮化铝或氮化硅等导热性优异的陶瓷或导热性优异的树脂等而形成的。在电路基板1的上表面设置有电路图案2。电路图案2是使用铜或铝合金等而形成的，在电路图案2的上表面搭载半导体元件(省略图示)。
[0025]端子3是外部电极，具有与电路图案2接合的一端部和与外部设备(省略图示)连接的另一端部。具体地说，端子3具有电极接合部4、主配线部5、设备连接部7和一对副配线部6。
[0026]电极接合部4、主配线部5、一对副配线部6及设备连接部7例如是通过对使用铜或铜合金形成的具有一定厚度的1片金属板(以下称为“加工前的金属板”)进行加工而制作出的。
[0027]如图2所示，电极接合部4具有彼此相对的边4a、4d和与这些边4a、4d相邻的边4b、4c，在俯视观察时形成为矩形形状。电极接合部4的下表面通过焊料等接合材料8与电路图案2接合。
[0028]如图1和图2所示，主配线部5在作为电极接合部4的第1边的边4a直立设置状地设置。具体地说，主配线部5是通过以下方式形成的，即，将成为主配线部5的部分相对于加工前的金属板中的成为电极接合部4的部分而沿边4a向上方进行弯折加工。虽然未图示，但主配线部5的下端位于与电极接合部4的下表面相同的高度位置，通过接合材料8与电极接合
部4的下表面一起接合至电路图案2。
[0029]如图1和图2所示，一对副配线部6从主配线部5的宽度方向的两端沿电极接合部4的与边4a相邻的作为第2边的边4b及作为第3边的边4c延伸。具体地说，一对副配线部6是通过将成为一对副配线部6的部分相对于加工前的金属板中的成为主配线部5的部分向边4b、4c的方向进行弯折加工而形成的，一对副配线部6沿电极接合部4的边4b、4c的外周而直立设置状地配置。一对副配线部6的上端位于比主配线部5的上端更靠上方处。
[0030]另一方面，一对副配线部6的下端部凸出至比电极接合部4的下表面更靠下方处。因此，一对副配线部6的下端部在凸出至比电极接合部4的下表面更靠下方的状态下，通过接合材料8与电极接合部4的下表面及主配线部5的下端一起接合至电路图案2。
[0031]设备连接部7是通过将成为设备连接部7的部分相对于加工前的金属板中的成为主配线部5的部分向电极接合部4的与边4a相对的边4d进行弯折加工而形成的，设备连接部7与外部设备(省略图示)连接。设备连接部7在俯视观察时形成为矩形形状，从主配线部5的上端部向电极接合部4的边4d延伸。
[0032]这里，电极接合部4、主配线部5及一对副配线部6相当于与电路图案2接合的端子3的一端部，设备连接部7相当于与外部设备(省略图示)连接的端子3的另一端部。
[0033]另外，在电极接合部4形成有从上表面朝向下表面而贯通的槽9。如图2所示，槽9是从电极接合部4的边4d的中央部沿与边4b、4c平行的方向而形成至边4b、4c的中央部。并且，槽9在该部位处在与边4a、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具有：电路基板，其具有在上表面搭载半导体元件的电路图案；以及作为外部电极的端子，其一端部与所述电路图案接合，另一端部与外部设备连接，所述端子具有：在俯视观察时呈矩形形状的电极接合部，其下表面通过接合材料与所述电路图案接合；主配线部，其从所述电极接合部的第1边直立设置状地设置；以及一对副配线部，其从所述主配线部的宽度方向的两端沿所述电极接合部的与所述第1边相邻的第2边及第3边延伸，一对所述副配线部的下端部凸出至比所述电极接合部的下表面更靠下方处，一对所述副配线部的下端部与所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：中原贤太，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：