本发明专利技术公开了一种调节器，包括主体和阀板；主体设有用于输送等离子体的传输通道；阀板能活动地安装于主体，并且阀板位于传输通道内；阀板用于在活动过程中调节传输通道的敞开面积。上述调节器中，主体的传输通道内设有阀板，阀板在活动过程中能调节传输通道的敞开面积，进而调节单位时间内通过传输通道的等离子体的数量和密度，满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。本发明专利技术还公开一种应用上述调节器的半导体加工设备，满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。率和均匀性的追求。率和均匀性的追求。
【技术实现步骤摘要】
调节器和半导体加工设备
[0001]本专利技术涉及半导体加工设备
，更具体地说，涉及一种调节器，还涉及一种应用上述调节器的半导体加工设备。
技术介绍
[0002]现有半导体加工设备中，等离子体源腔与反应腔通过转接块连通，转接块设有向反应腔输送等离子体的传输通道。如图1所示，用于执行刻蚀去胶工艺的半导体加工设备包括固态微波源01、等离子体源腔06和反应腔05；等离子体源腔06由微波导管围成；固态微波源01通过微波传输波导02、隔离器03向微波导管传输微波；工作时去胶气体（包括氮气和氧气）经过流量计后混合并进入等离子体源腔06，在微波作用下被解离成活性O2
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自由基，该活性O2
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自由基通过转接块04后进入反应腔05使待加工工件产生工艺反应。
[0003]但是，转接块04的传输通道的截面面积固定，导致其在单位时间内通过的等离子体的数量和密度存在上限，对工艺窗口产生一定的局限性，不能支撑全窗口的工艺。
[0004]因此，如何使等离子体源腔与反应腔之间传输通道的截面面积可调，以满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种调节器，其主体的传输通道内设有阀板，阀板在活动过程中能调节传输通道的敞开面积，进而调节单位时间内通过传输通道的等离子体的数量和密度，利于满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。本专利技术还提供一种应用上述调节器的半导体加工设备，满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种调节器，包括：主体，所述主体设有用于输送等离子体的传输通道；阀板，所述阀板能活动地安装于所述主体，并位于所述传输通道内；所述阀板用于在活动过程中调节所述传输通道的敞开面积。
[0007]可选地，上述调节器中，所述阀板能转动地安装于所述主体。
[0008]可选地，上述调节器中，所述阀板为多个，包括中心阀板和至少一个环形阀板；各阀板逐个套设，且所有的阀板分别能绕同一个轴线独立旋转。
[0009]可选地，上述调节器中，所述环形阀板为一个，且其套设在所述中心阀板外；该环形阀板的内径不小于所述中心阀板的外径、该环形阀板的外径不大于所述传输通道的内径。
[0010]可选地，上述调节器中，所述环形阀板为多个，任意环形阀板的内径不小于套设在其内的环形阀板或中心阀板的外径；任意环形阀板的外径不大于套设在其外的环形阀板的内径，或不大于与之相邻的传输通道的内径。
[0011]可选地，上述调节器中，所有的所述阀板由同一个轴组驱动旋转；所述轴组包括依
次套设的多根轴，各所述轴分别能够独立地绕自身的轴线旋转；所述轴组中轴的数量与所述阀板的数量相同，并与所述阀板一一对应。
[0012]可选地，上述调节器中，所述轴组包括中心轴和逐个套设在所述中心轴外的空心轴；所述中心轴与所述中心阀板固定连接；逐个套设在所述中心轴外的所述空心轴分别与逐个套设在所述中心阀板外的环形阀板固定连接。
[0013]可选地，上述调节器中，所述阀板和与之对应的所述轴通过固定件连接或焊接的方式固定连接。
[0014]可选地，上述调节器中，所述轴组由控制装置驱动旋转，所述控制装置包括：电机，所述电机用于驱动所述轴旋转；所述电机的数量与所述轴组中轴的数量相同，且两者一一对应。
[0015]可选地，上述调节器中，所述控制装置还包括：控制单元，所述控制单元用于接收通讯指令，并根据该通讯指令控制各所述电机；传感器，所述传感器用于检测所述电机的运动状态，并将检测结果传送至所述控制单元；所述传感器的数量与所述电机的数量相同，并且两者一一对应。
[0016]可选地，上述调节器中，所述控制装置还包括外壳；所述电机、所述控制单元和所述传感器均设置在所述外壳内；所述外壳设有通讯端口模块、信号端口模块、电源端口模块。
[0017]可选地，上述调节器中，所述中心阀板为圆形、所述环形阀板为圆环形；所述传输通道的截面为圆形。
[0018]可选地，上述调节器中，任意所述阀板和相邻的所述阀板之间沿所述轴线方向的间隙尺寸不大于预设值；最外侧的所述环形阀板和所述传输通道的内壁沿所述轴线方向的间隙尺寸不大于所述预设值。
[0019]一种半导体加工设备，包括等离子体源腔、调节器和反应腔；所述调节器为上述技术方案中任意一项所述的调节器；所述等离子体源腔和所述反应腔通过所述调节器的传输通道连通。
[0020]可选地，上述半导体加工设备中，所述等离子体源腔的截面外轮廓与所述调节器中最外侧的环形阀板的外轮廓形状、尺寸均相同。
[0021]本专利技术提供一种调节器，包括主体和阀板；主体设有用于输送等离子体的传输通道；阀板能活动地安装于主体，并且阀板位于传输通道内；阀板用于在活动过程中调节传输通道的敞开面积。
[0022]上述调节器中，主体的传输通道内设有阀板，阀板在活动过程中能调节传输通道的敞开面积，进而调节单位时间内通过传输通道的等离子体的数量和密度，满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。
[0023]本专利技术还提供一种应用上述调节器的半导体加工设备，满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为现有技术中半导体加工设备的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的调节器的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的半导体加工设备的结构示意图；其中，图2
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图3中：调节器100；主体101；中心轴102；第一空心轴103；第二空心轴104；空心轴105；外壳106；控制单元107；信号端口模块108；通讯端口模块109；电源端口模块110；中心阀板111；第一环形阀板112；第二环形阀板113；环形阀板114；第一电机M1；第二电机M2、第三电机M3；第一传感器S1；第二传感器S2；第三传感器S3；固态微波源201；微波传输波导202；隔离器203；法兰卡箍204；固定连接口205；反应腔206；载台207；等离子体源腔208。
具体实施方式
[0026]本专利技术实施例公开了一种调节器，其主体的传输通道内设有阀板，阀板在活动过程中能调节传输通道的敞开面积，进而调节单位时间内通过传输通道的等离子体的数量和密度，利于满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。本专利技术实施例还公开了一种应用上述调节器的半导体加工设备，满足全窗口工艺对刻蚀速率和均匀性的追求。
[0027]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种调节器，其特征在于，包括：主体，所述主体设有用于输送等离子体的传输通道；阀板，所述阀板能活动地安装于所述主体，并位于所述传输通道内；所述阀板用于在活动过程中调节所述传输通道的敞开面积。2.根据权利要求1所述的调节器，其特征在于，所述阀板能转动地安装于所述主体。3.根据权利要求1所述的调节器，其特征在于，所述阀板为多个，包括中心阀板和至少一个环形阀板；各阀板逐个套设，且所有的阀板分别能绕同一个轴线独立旋转。4.根据权利要求3所述的调节器，其特征在于，所述环形阀板为一个，且其套设在所述中心阀板外；该环形阀板的内径不小于所述中心阀板的外径、该环形阀板的外径不大于所述传输通道的内径。5.根据权利要求3所述的调节器，其特征在于，所述环形阀板为多个，任意环形阀板的内径不小于套设在其内的环形阀板或中心阀板的外径；任意环形阀板的外径不大于套设在其外的环形阀板的内径，或不大于与之相邻的传输通道的内径。6.根据权利要求3所述的调节器，其特征在于，所有的所述阀板由同一个轴组驱动旋转；所述轴组包括依次套设的多根轴，各所述轴分别能够独立地绕自身的轴线旋转；所述轴组中轴的数量与所述阀板的数量相同，并与所述阀板一一对应。7.根据权利要求6所述的调节器，其特征在于，所述轴组包括中心轴和逐个套设在所述中心轴外的空心轴；所述中心轴与所述中心阀板固定连接；逐个套设在所述中心轴外的所述空心轴分别与逐个套设在所述中心阀板外的环形阀板固定连接。8.根据权利要求6或7所述的调节器，其特征在于，所述阀板和与之对应的所述轴通过固定件连接或焊接的方式固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄佳伟，卢浩，朱德连，刘磊，郭颂，钱俊，朱小庆，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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