【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机。
技术介绍
1、等离子刻蚀机，应用于半导体行业。等离子体刻蚀机应用到感应耦合等离子体刻蚀法，该工艺是化学过程和物理过程共同作用。它的基本原理是在真空低气压下，icp射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合工艺气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的rf射频的作用下，这些等离子体对衬底片的表面进行轰击，衬底片图形区域的半导体的化学键被打断，与刻蚀的工艺气体生成挥发性物质，以气体形式脱离衬底片，从真空管路被抽走。
2、由此可见，在刻蚀过程中需要向等离子体刻蚀机的反应腔室内提供工艺气体，主要是设置进气喷嘴喷射工艺气体。但是，目前等离子体刻蚀机的进气喷嘴结构固定，无法实现刻蚀不同衬底片或者进行不同刻蚀工艺。
技术实现思路
1、本申请提供一种进气喷嘴装置，用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，所述进气喷嘴装置包括喷气头和输气部，所述喷气头包括底部和围绕所述底部的筒部，所述喷气头设置有...
【技术保护点】
1.一种进气喷嘴装置，用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，其特征在于，所述进气喷嘴装置包括喷气头和输气部，所述喷气头包括底部和围绕所述底部的筒部，所述喷气头设置有贯通所述底部的中心喷气孔和侧向贯通所述筒部的侧向喷气孔；所述输气部的至少部分插装于所述筒部中，所述输气部可相对所述筒部移动，以调节至与所述中心喷气孔、所述侧向喷气孔中至少一者连通或者均不连通。
2.根据权利要求1所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述输气部可相对所述筒部转动和/或轴向移动。
3.根据权利要求2所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述喷气头的底部设置朝上凸出的进气部，所...
【技术特征摘要】
1.一种进气喷嘴装置，用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，其特征在于，所述进气喷嘴装置包括喷气头和输气部，所述喷气头包括底部和围绕所述底部的筒部，所述喷气头设置有贯通所述底部的中心喷气孔和侧向贯通所述筒部的侧向喷气孔；所述输气部的至少部分插装于所述筒部中，所述输气部可相对所述筒部移动，以调节至与所述中心喷气孔、所述侧向喷气孔中至少一者连通或者均不连通。
2.根据权利要求1所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述输气部可相对所述筒部转动和/或轴向移动。
3.根据权利要求2所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述喷气头的底部设置朝上凸出的进气部，所述进气部具有第一中空腔，所述第一中空腔连通所述中心喷气孔；且所述进气部的侧壁设置有连通所述第一中空腔的连通孔，所述输气部包括输气管，所述输气管的管壁可插入至所述进气部和所述筒部之间并与所述进气部、所述筒部的表面密封配合，所述输气管的管壁设置有输气孔，所述输气管移动时可带动所述输气孔移动，继而调节所述输气孔与所述连通孔或所述侧向喷气孔的连通或不连通。
4.根据权利要求3所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述输气孔包扩第一输气孔、第二输气孔，所述输气部移动时可带动所述第一输气孔与所述连通孔连通或不连通，以及带动所述第二输气孔与所述侧向喷气孔连通或不连通。
5.根据权利要求4所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述输气管的管壁设置有第二中空腔，且所述输气管的管壁还设有进气孔，所述进气孔、所述第一输气孔以及所述第二输气孔均连通所述第二中空腔。
6.根据权利要求5所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述第二中空腔为环形腔，且所述输气管的管壁沿周向分布多个所述进气孔。
7.根据权利要求4所述的进气喷嘴...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭颂，张彪，刘磊，李娜，王海东，刘海洋，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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