基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种技术，通过按基板处理的步骤设定符合处理条件的基板位置，能够使基板质量接近均匀。上述技术具有：支承部，其能够支承至少1个基板；控制部，其具有存储制程的存储部，该制程能够设定所述基板的支承位置，在所述制程中，所述控制部能够对所述支承部进行升降控制，使得所设定的所述支承位置为预先确定的基准位置。的基准位置。的基准位置。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]以往，已知有具有搬入和搬出基板的加载互锁真空室的基板处理装置。基板处理装置的加载互锁真空室具有将室内空气切换为大气状态和真空状态的功能(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1：日本特开2012
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99711号公报

技术实现思路

[0005]专利技术要解决的课题
[0006]但是，在基板处理装置中，在执行对基板进行处理的制程时，有时在将基板位置固定的状态下执行多个步骤。
[0007]本公开的目的在于提供一种技术，通过按基板处理的步骤设定符合处理条件的基板位置，能够使基板质量(品质)接近均匀。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：支承部，其能够支承至少1个基板；以及控制部，其具有存储制程的存储部，该制程能够设定所述基板的支承位置，在所述制程中，所述控制部能够对所述支承部进行升降控制，使得所设定的所述支承位置为预先确定的基准位置。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，通过按基板处理的步骤设定符合处理条件的基板位置，能够使基板质量接近均匀。
附图说明
[0012]图1是本公开的一实施方式的基板处理装置的概略结构图。
[0013]图2是本公开的一实施方式的基板处理装置的概略纵向剖视图。
[0014]图3是本公开的一实施方式的基板处理装置的加载互锁真空室的概略纵向剖视图。
[0015]图4是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的控制部结构的图。
[0016]图5是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的制程步骤的设定的图。
[0017]图6是表示图5中的制程步骤中的基板支承件的控制模式的图。
[0018]图7是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的温度测定模式的流程的流程图。
[0019]图8是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的温度监视模式的流程的流程
图。
[0020]图9是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的显示部的图。
[0021]符号说明
[0022]10基板处理装置
[0023]32舟皿(支承部的一例)
[0024]100 基板
[0025]110 温度传感器
[0026]120控制器(控制部的一例)
[0027]121B RAM(存储部的一例)
[0028]121C存储部(存储部的一例)
[0029]122A显示部
具体实施方式
[0030]以下，一边参照附图一边对本公开的一实施方式进行说明。此外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的图，附图所示的各要素的尺寸关系、各要素的比例等未必与现实一致。另外，在多个附图的彼此之间，各要素的尺寸关系、各要素的比例等也未必一致。
[0031]如图1及图2所示，本实施方式的基板处理装置10具有：大气搬送室(EFEM：Equipment Front End Module)12；作为载置部的装载端口29
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3，其与大气搬送室12连接，载置部载置作为基板收纳容器的晶圆盒(pod)27
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3；作为预备室的加载互锁真空室14A、14B，其被压力控制；作为真空搬送室的搬送室16；处理室18A、18B，其进行针对基板100的处理。另外，处理室18A与处理室18B之间由边界壁20遮挡。在本实施方式中，作为基板100，例如使用制造硅晶圆等半导体装置的半导体晶圆。
[0032]在本实施方式中，加载互锁真空室14A、14B的各结构(也包含加载互锁真空室14A、14B所附带的结构)分别为一样的结构。因此，有时将加载互锁真空室14A、14B统称为“加载互锁真空室14”。此外，本实施方式的加载互锁真空室14是本公开中容器的一例。
[0033]另外，在本实施方式中，处理室18A、18B的各结构(也包含处理室18A、18B所附带的结构)分别为一样的结构。因此，有时将处理室18A、18B统称为“处理室18”。
[0034]如图2所示，在加载互锁真空室14与搬送室16之间形成有将相邻的室连通的连通部22。该连通部22通过闸阀(gate valve)24进行开闭。
[0035]如图2所示，在搬送室16与处理室18之间形成有将相邻的室连通的连通部26。该连通部26通过闸阀28进行开闭。
[0036]在大气搬送室12中，在分别载置于装载端口29
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1～29
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3的晶圆盒27
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1～27
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3与加载互锁真空室14之间，设置有搬送基板100的作为大气侧搬送装置的大气机器人30。该大气机器人30构成为能够在大气中同时搬送多张基板100。
[0037]在加载互锁真空室14中搬送和搬出基板100。具体而言，在加载互锁真空室14中，通过大气机器人30搬入未处理的基板100，通过真空机器人70搬出所搬入的未处理的基板100。另一方面，在加载互锁真空室14中，通过真空机器人70搬入处理完的基板100，通过大气机器人30搬出所搬入的处理完的基板100。
[0038]此外，有时将搬送基板的大气机器人30及真空机器人70统称为“搬送机器人”。
[0039]另外，在加载互锁真空室14的室内设置有作为支承基板100的基板支承件的舟皿(boat)32。如图3所示，舟皿32形成为以规定间隔(详细而言，沿上下方向规定间隔)多层地支承多张(例如10～30张)基板100，并且水平地收容基板100。具体而言，该舟皿32为上板部34和下板部36通过多个(例如3个)支柱部38连接的构造。
[0040]另外，在支柱部38的长边方向内侧，以预定间隔(详细而言，沿上下方向规定间隔)而分别平行地形成有对基板100进行支承的多个(例如10～30个)支承槽40。此外，本实施方式的支承槽40是本公开中的支承部的一例。另外，支承槽40也可以改称为基板100的插槽。在此，本公开中的支承部可以包含包括舟皿、支柱部、支承槽的结构。另外，也可以将舟皿、支柱部、支承槽中任一个进行组合作为支承部。另外，本公开中的支承部也可以包含载置台、载置台的支承部。
[0041]另外，舟皿32可以由金属材料构成，优选由热传导性优异的金属材料(例如，铁、铜、铝)构成，也可以由碳化硅、石英等构成。
[0042]在构成加载互锁真空室14的顶板部15A连接与加载互锁真空室14的内部连通的气体供给管42。在气体供给管42从上游侧起依次设置有供给非活性气体(例如氮气、稀有气体)的未图示的气体供给源、气体供给阀43。
[0043]另外，在顶板部15A例如设置有冷却液循环流路等未图示的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：支承部，其能够支承至少1个基板；以及控制部，其具有存储制程的存储部，该制程能够设定所述基板的支承位置，在所述制程中，所述控制部能够对所述支承部进行升降控制，使得所设定的所述支承位置为预先确定的基准位置。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述制程具有至少1个步骤，在所述步骤中设定所述支承位置。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有：温度传感器，其能够测定所述基板的温度，所述控制部对所述支承部进行升降控制，使得所述支承位置为作为所述基准位置的所述温度传感器的测定位置。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，执行所述制程时的所述支承部的升降动作，通过所述制程所确定的控制模式来指定。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有：温度传感器，其能够测定所述基板的温度，所述控制部对所述支承部进行升降控制，使得所述支承位置为作为所述基准位置的所述温度传感器的测定位置，所述控制模式具有以下模式中的至少1个：能够控制所述支承部的升降动作的升降模式、能够测定所述基板的温度的温度测定模式、以及按照预先设定的条件持续监视所述基板的温度的温度监视模式。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，在所述升降模式下，能够指定所述支承位置，使所述支承部进行升降动作，使得指定的所述支承位置为所述基准位置。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，在所述升降模式下，进行所述支承部的升降动作的控制，使得指定的所述支承位置以最短时间移动到所述基准位置。8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，在所述温度测定模式下，能够指定所有的所述支承位置或特定所述支承位置，使所述支承部进行升降动作使得指定的所述支承位置为所述基准位置，利用所述温度传感器在所述基准位置进行所述支承位置的所述基板的温度测定。9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，在所述温度测定模式下指定了所有的所述支承位置时，反复进行所述支承部的升降动作和所述基板的温度测定，使得所有的所述支承位置为...

【专利技术属性】
技术研发人员：久田拓，八岛司，辻村新，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：