【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。
技术介绍
[0002]以往,已知有具有搬入和搬出基板的加载互锁真空室的基板处理装置。基板处理装置的加载互锁真空室具有将室内空气切换为大气状态和真空状态的功能(例如,参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1:日本特开2012
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99711号公报
技术实现思路
[0005]专利技术要解决的课题
[0006]但是,在基板处理装置中,在执行对基板进行处理的制程时,有时在将基板位置固定的状态下执行多个步骤。
[0007]本公开的目的在于提供一种技术,通过按基板处理的步骤设定符合处理条件的基板位置,能够使基板质量(品质)接近均匀。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本公开的一方式,提供一种技术,具有:支承部,其能够支承至少1个基板;以及控制部,其具有存储制程的存储部,该制程能够设定所述基板的支承位 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:支承部,其能够支承至少1个基板;以及控制部,其具有存储制程的存储部,该制程能够设定所述基板的支承位置,在所述制程中,所述控制部能够对所述支承部进行升降控制,使得所设定的所述支承位置为预先确定的基准位置。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述制程具有至少1个步骤,在所述步骤中设定所述支承位置。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置具有:温度传感器,其能够测定所述基板的温度,所述控制部对所述支承部进行升降控制,使得所述支承位置为作为所述基准位置的所述温度传感器的测定位置。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,执行所述制程时的所述支承部的升降动作,通过所述制程所确定的控制模式来指定。5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置具有:温度传感器,其能够测定所述基板的温度,所述控制部对所述支承部进行升降控制,使得所述支承位置为作为所述基准位置的所述温度传感器的测定位置,所述控制模式具有以下模式中的至少1个:能够控制所述支承部的升降动作的升降模式、能够测定所述基板的温度的温度测定模式、以及按照预先设定的条件持续监视所述基板的温度的温度监视模式。6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,在所述升降模式下,能够指定所述支承位置,使所述支承部进行升降动作,使得指定的所述支承位置为所述基准位置。7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,在所述升降模式下,进行所述支承部的升降动作的控制,使得指定的所述支承位置以最短时间移动到所述基准位置。8.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,在所述温度测定模式下,能够指定所有的所述支承位置或特定所述支承位置,使所述支承部进行升降动作使得指定的所述支承位置为所述基准位置,利用所述温度传感器在所述基准位置进行所述支承位置的所述基板的温度测定。9.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,在所述温度测定模式下指定了所有的所述支承位置时,反复进行所述支承部的升降动作和所述基板的温度测定,使得所有的所述支承位置为...
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