本发明专利技术公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明专利技术公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
【技术实现步骤摘要】
示例性实施方式涉及表面改性剂、叠层结构体和包括该叠层结构体的晶体管、以及制造该叠层结构体的方法。
技术介绍
近来，已通过根据蒸发、溅射在基板上提供具有功能材料的薄膜和根据光刻法将 所述薄膜图案化来实行制造微器件例如半导体器件、集成电路、或有机电致发光显示器件 的方法。光刻法通常可通过如下实行在基板上形成用于图案化的材料的薄膜；在所述薄 膜上形成光刻胶层；在用具有预定或给定图案的光掩模覆盖所述光刻胶层的同时将所述光 刻胶层曝光；用显影溶液将所述光刻胶层显影以提供光刻胶图案；利用所述光刻胶图案掩 模蚀刻所述薄膜；以及除去不合需要的区域以提供具有所需图案的薄膜。然而，由于光刻法 是复杂的方法并且需要在洁净室中实施，因此存在成本较高以及在能量和材料方面效率较 低的问题。作为可供选择的方法，已提出溶液方法例如印刷、滴落、卷对卷(roll-to-roll) 方法、或喷墨印刷作为图案化方法，因为所述溶液方法可以相对低的成本和使用相对少量 的能量实施。然而，所述溶液方法可为复杂的方法且难以提供精细的图案。
技术实现思路
示例性实施方式提供表面改性剂、叠层结构体和包括该叠层结构体的晶体管、以 及制造该叠层结构体的方法。示例性实施方式提供表面改性剂，通过该表面改性剂可不同 地控制其表面特性。示例性实施方式提供可使用所述表面改性剂不同地控制其表面特性的 叠层结构体。示例性实施方式提供包括所述叠层结构体的晶体管。示例性实施方式提供制 造叠层结构体的方法，该叠层结构体的表面特性可通过使用所述表面改性剂不同地控制。根据示例性实施方式，表面改性剂可包括由下面化学式1表示的化合物<formula>formula see original document page 9</formula>其中，在上面化学式1中，L选自C1 C3tl亚烷基、C1 C3tl全氟亚烷基、由下面化学式Ia表示的连接体、芳 族基团、杂环基团、胺基团、酰胺基团、酯基团、和其组合，<formula>formula see original document page 10</formula>其中，在上面化学式la中，A选自0、S、NR1, NHCO, SO2, C00、以及⑶，其中R1为氢或者C1 C3直链或支链烷 基，m为1 3的整数，和η为1 30的整数，X选自由下面化学式Ib 化学式Id表示的官能团、SH、C0NH0H、C00H、OH、C0SH、 COSeH, SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基，<formula>formula see original document page 10</formula>其中，在上面化学式Ib中，D1和D2彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、C1 C3直链或支链烷氧基、以及 0H,<formula>formula see original document page 10</formula>其中，在上面化学式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、OHX1 C3直链或支链烷氧基、以 及NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且独立地为C1 C3直链或支链烷基，和<formula>formula see original document page 10</formula>其中，在上面化学式Id中，D5 D7彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、OHX1 C3直链或支链烷氧基、以 及C1 C3直链或支链烷基，条件是D5 D7不同时为烷基。根据示例性实施方式，叠层结构体可包括至少一个薄膜，所述薄膜包括选自由化 学式2 化学式5之一表示的基团及其组合的基团<formula>formula see original document page 11</formula>其中，在上面化学式2中，L选自C1 C3tl亚烷基、C1 C3tl全氟亚烷基、由下面化学式Ia表示的连接体、芳 族基团、杂环基团、胺基团、酰胺基团、酯基团、和其组合，<formula>formula see original document page 11</formula>其中，在上面化学式Ia中，A选自0、S、NRnNHCO, SO2, C00、以及⑶，其中R1为氢或C1 C3直链或支链烷基， m为1 3的整数，和η为1 30的整数，V为通过将其上形成所述至少一个薄膜的表面的官能团与选自以下的基团结合 而形成的连接体由下面化学式Ib 化学式Id表示的官能团、SH、C0NH0H、C00H、0H、C0SH、 COSeH, SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基，<formula>formula see original document page 11</formula>其中，在上面化学式Ib中，D1和D2彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、C1 C3直链或支链烷氧基、以及 0H,<formula>formula see original document page 11</formula>其中，在上面化学式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、OHX1 C3直链或支链烷氧基、以 及NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且独立地为C1 C3直链或支链烷基，和<formula>formula see original document page 12</formula>其中，在上面化学式Id中，D5 D7彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、OHXi C3直链或支链烷氧基、以 及Ci c3直链或支链烷基，条件是d5 D7不同时为烷基，<formula>formula see original document page 12</formula>其中，在上面化学式3中，L和X’与在上面化学式2中所定义的相同，和T为乙基或乙烯基，<formula>formula see original document page 12</formula>其中，在上面化学式4中，L和X’与在上面化学式2中所定义的相同，<formula>formula see original document page 12</formula>其中，在上面化学式5中，L和X’与在上面化学式2中所定义的相同，和Z选自三唑基团、苯并三唑基 团、咪唑基团、苯并咪唑基团、四唑基团、吡啶基团、吡唑基团、异噁唑基团、以及吲嗪酮 (indolizinone)基团。所述至少一个薄膜可包括第一和第二薄膜，所述第二薄膜在所述第一薄膜的表面上。所述第二薄膜可包括至少两个具有彼此不同的表面特性的区域。所述第一薄膜可包括 无机材料、有机材料、或者无机材料与有机材料的复合材料。所述有机材料可包括塑料，和 所述无机材料可包括玻璃和金属的至少一种。所述第一薄膜可包括选自以下的一种硅(Si)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、锆 (Zr)、铪(Hf)、镧(La)、钆(Gd)本文档来自技高网...
【技术保护点】
表面改性剂，包括由下面的化学式１表示的化合物： ［化学式１］ ＊＊＊ 其中，在上面化学式１中， Ｌ选自Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３０］亚烷基、Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３０］全氟亚烷基、由下面化学式１ａ表示的连接体、芳族基团、杂环基团、胺基团、酰胺基团、酯基团、和其组合， ［化学式１ａ］ ＊－［－（ＣＨ↓［２］）↓［ｍ］－Ａ－］↓［ｎ］－＊ 其中，在上面化学式１ａ中， Ａ选自Ｏ、Ｓ、ＮＲ↓［１］、ＮＨＣＯ、ＳＯ↓［２］、ＣＯＯ、以及ＣＯ，其中Ｒ↓［１］为氢或者Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］直链或支链烷基，ｍ为１～３的整数，和ｎ为１～３０的整数， Ｘ选自由下面化学式１ｂ～化学式１ｄ表示的官能团、ＳＨ、ＣＯＮＨＯＨ、ＣＯＯＨ、ＯＨ、ＣＯＳＨ、ＣＯＳｅＨ、ＳｅＨ、ＳＯ↓［３］Ｈ、ＣＮ、氨基、以及氧膦基， ［化学式１ｂ］Ｏ＝＊－Ｄ↓［１］ 其中，在上面化学式１ｂ中， Ｄ↓［１］和Ｄ↓［２］彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］直链或支链烷氧基、以及ＯＨ， ［化学式１ｃ］ Ｏ＝＊－Ｄ↓［３］ 其中，在上面化学式１ｃ中， Ｄ↓［３］和Ｄ↓［４］彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、ＯＨ、Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］直链或支链烷氧基、以及ＮＲ↓［２］Ｒ↓［３］，其中Ｒ↓［２］和Ｒ↓［３］彼此相同或不同并且独立地为Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］直链或支链烷基，和 ［化学式１ｄ］Ｄ↓［７］－＊－Ｄ↓［５］ 其中，在上面化学式１ｄ中， Ｄ↓［５］～Ｄ↓［７］彼此相同或不同，并且独立地选自卤素、ＯＨ、Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］直链或支链烷氧基、以及Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］直链或支链烷基，条件是Ｄ↓［５］～Ｄ↓［７］不同时为烷基。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴正一，俞炳旭，金渡桓，李相润，李芳璘，郑银贞，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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