一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，涉及晶体管技术领域，包括包括晶体管主体和连接电路，所述晶体管主体的内部设置有连接电路，且连接电路的上端设置有断路器，所述连接电路的下端设置有熔断器，所述晶体管主体的表面开设有散热孔，所述晶体管主体的内部固定连接有散热片，所述连接电路的下端设置有分流器。该基于MOS晶体管的防击穿保护结构，与现有的普通晶体管相比，当电流进过连接电路时被外界连接的主控制器监测，当有过量的电流进入晶体管主体时断路器断开工作，从而防止了晶体管主体被击穿，当一次性电流过大时，断路器来不及工作，熔断器受电流高温加热被熔断开，从而保护了晶体管主体。从而保护了晶体管主体。从而保护了晶体管主体。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构


[0001]本技术涉及晶体管
，具体为一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构。

技术介绍

[0002]晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，由两个PN结构成，按极性分为锗NPN型晶体管、硅NPN型晶体管、锗PNP晶体管和硅PNP型晶体管。晶体管按功能和用途为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。
[0003]在现有技术中，晶体管使用过程时可能会因为电流过大击穿该晶体管，缺少一种能够防止晶体管被击穿的保护结构。
[0004]于是，有鉴于此，针对现有的结构不足予以研究改良，提出一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，包括晶体管主体和连接电路，所述晶体管主体的内部设置有连接电路，且连接电路的上端设置有断路器，所述连接电路的下端设置有熔断器。
[0007]优选的，所述晶体管主体的表面开设有散热孔，且散热孔3分布两排排列在晶体管主体1表面。
[0008]优选的，所述晶体管主体的内部固定连接有散热片，且散热片4分布在连接电路7的两侧。
[0009]优选的，所述连接电路的下端设置有分流器，且分流器8将连接电路7分为三条电路。
[0010]优选的，所述分流器的下端固定连接有端体，且端体2的前端设置为方形下方为圆柱体。
[0011]优选的，所述端体的表面设置有栅绝缘层，且栅绝缘层9包裹在端体2外侧。
[0012]优选的，所述端体卡合连接在晶体管主体的下端，且端体2插入晶体管主体1内部。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]1.本技术通过断路器、熔断器和连接电路的设置，当电流进过连接电路时被外界连接的主控制器监测，当有过量的电流进入晶体管主体时断路器断开工作，从而防止了晶体管主体被击穿，当一次性电流过大时，断路器来不及工作，熔断器受电流高温加热被熔断开，从而保护了晶体管主体；
[0015]2.本技术通过晶体管主体、散热孔和散热片的设置，当晶体管主体内部温度
过高时，散热片可以通过散热孔将热量排出，从而保护了晶体管主体的内部元件，防止连接电路因温度过高降低使用寿命，容易被电流击穿；
[0016]3.本技术通过端体和栅绝缘层的设置，栅绝缘层中形成高阻区，使得静电释放时，栅绝缘层中电流横向扩散，增加了端体的抗静电击穿能力。
附图说明
[0017]图1为本技术主体立体结构示意图；
[0018]图2为本技术主体结构的主视示意图；
[0019]图3为本技术主体结构的剖视示意图；
[0020]图4为本技术端体2结构示意图。
[0021]图中：1、晶体管主体；2、端体；3、散热孔；4、散热片；5、断路器；6、熔断器；7、连接电路；8、分流器；9、栅绝缘层。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]如图1
‑
图2所示，一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，包括晶体管主体1和连接电路7，晶体管主体1的内部设置有连接电路7，且连接电路7的上端设置有断路器5，连接电路7的下端设置有熔断器6，当电流进过连接电路7时被外界连接的主控制器监测，当有过量的电流进入晶体管主体1时断路器5断开工作，从而防止了晶体管主体1被击穿，当一次性电流过大时，断路器5来不及工作，熔断器6受电流高温加热被熔断开，从而保护了晶体管主体1。
[0024]进一步的，晶体管主体1的表面开设有散热孔3，且散热孔3分布两排排列在晶体管主体1表面，晶体管主体1的内部固定连接有散热片4，且散热片4分布在连接电路7的两侧，当晶体管主体1内部温度过高时，散热片4可以通过散热孔3将热量排出，从而保护了晶体管主体1的内部元件，防止连接电路7因温度过高降低使用寿命，容易被电流击穿。
[0025]如图3
‑
图4所示，连接电路7的下端设置有分流器8，且分流器8将连接电路7分为三条电路，分流器8的下端固定连接有端体2，且端体2的前端设置为方形下方为圆柱体，端体2的表面设置有栅绝缘层9，且栅绝缘层9包裹在端体2外侧，栅绝缘层9中形成高阻区，使得静电释放时，栅绝缘层9中电流横向扩散，增加了端体2的抗静电击穿能力。
[0026]进一步的，端体2卡合连接在晶体管主体1的下端，且端体2插入晶体管主体1内部，方便端体2与晶体管主体1之间的连接。
[0027]工作原理：在使用该基于MOS晶体管的防击穿保护结构时，首先当电流进过连接电路7时被外界连接的主控制器监测，当有过量的电流进入晶体管主体1时断路器5断开工作，从而防止了晶体管主体1被击穿，当一次性电流过大时，断路器5来不及工作，熔断器6受电流高温加热被熔断开，从而保护了晶体管主体1，当晶体管主体1内部温度过高时，散热片4可以通过散热孔3将热量排出，从而保护了晶体管主体1的内部元件，防止连接电路7因温度
过高降低使用寿命，容易被电流击穿，栅绝缘层9中形成高阻区，使得静电释放时，栅绝缘层9中电流横向扩散，增加了端体2的抗静电击穿能力，这就是该基于MOS晶体管的防击穿保护结构的工作原理。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，包括晶体管主体(1)和连接电路(7)，其特征在于，所述晶体管主体(1)的内部设置有连接电路(7)，且连接电路(7)的上端设置有断路器(5)，所述连接电路(7)的下端设置有熔断器(6)。2.根据权利要求1所述的一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述晶体管主体(1)的表面开设有散热孔(3)，且散热孔(3)分布两排排列在晶体管主体(1)表面。3.根据权利要求1所述的一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述晶体管主体(1)的内部固定连接有散热片(4)，且散热片(4)分布在连接电路(7)的两侧。4.根据权利要求1所述的一种基于MOS晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐文军，
申请(专利权)人：深圳市富临通实业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：