一种温度失控保护电路及具有该电路的颈部按摩器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种温度失控保护电路及具有该电路的颈部按摩器，其中温度失控保护电路包括供电单元、开关控制电路、单片机U1和发热装置，所述发热装置包括加热片和侦测所述加热片温度的温度传感器RT1，所述开关控制电路包括三极管Q12、MOS管Q11和MOS管Q51，所述单片机U1的引脚2与所述三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的发射极接地，所述三极管Q12的集电极与所述MOS管Q11的栅极连接，所述MOS管Q11的源极与所述供电单元连接，所述单片机U1的引脚18与所述MOS管Q51的栅极连接，所述MOS管Q51的源极接地。本发明专利技术还提供了一种具有温度失控保护电路的颈部按摩器。本实用新型专利技术的有益效果是：可实现温度失控断电保护，从而避免烫伤人体。体。体。

【技术实现步骤摘要】
一种温度失控保护电路及具有该电路的颈部按摩器


[0001]本技术涉及颈部按摩器，尤其涉及一种温度失控保护电路及具有该电路的颈部按摩器。

技术介绍

[0002]现有的颈部按摩器，具有加热功能，温度控制在最高42度左右，但存在温度失控的风险，容易导致烫伤人体，缺少保护功能。

技术实现思路

[0003]为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种温度失控保护电路及具有该电路的颈部按摩器。
[0004]本技术提供了一种温度失控保护电路，包括供电单元、开关控制电路、单片机U1和发热装置，所述发热装置包括加热片和侦测所述加热片温度的温度传感器RT1，所述开关控制电路包括三极管Q12、MOS管Q11和MOS管Q51，所述单片机U1的引脚2与所述三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的发射极接地，所述三极管Q12的集电极与所述MOS管Q11的栅极连接，所述MOS管Q11的源极与所述供电单元连接，所述单片机U1的引脚18与所述MOS管Q51的栅极连接，所述MOS管Q51的源极接地，所述加热片的两端分别与所述MOS管Q51的漏极、MOS管Q11的漏极连接，所述温度传感器RT1的两端分别与所述单片机U1的引脚17、MOS管Q11的漏极连接。
[0005]作为本技术的进一步改进，所述供电单元包括电源输入座J1，所述电源输入座J1与所述MOS管Q11的源极连接。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述单片机的引脚15和引脚16分别与所述MOS管Q11的漏极连接。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述温度失控保护电路还包括电源滤波电容CS53和电源滤波电容CS54，所述电源滤波电容CS53的一端与所述MOS管Q11的源极连接，所述电源滤波电容CS53的另一端接地，所述电源滤波电容CS54的一端与所述MOS管Q11的漏极连接，所述电源滤波电容CS54的另一端接地。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述温度失控保护电路还包括上拉电阻R34，所述上拉电阻R34的一端与所述MOS管Q11的源极连接，所述上拉电阻R34的另一端与所述MOS管Q11的栅极连接。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述温度失控保护电路还包括下拉电阻RS35，所述下拉电阻RS35的一端与所述三极管Q12的基极连接，所述下拉电阻RS35的另一端接地。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述温度失控保护电路还包括下拉电阻R89，所述下拉电阻R89的一端与所述MOS管Q51的栅极连接，所述下拉电阻R89的另一端接地。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述温度失控保护电路还包括下拉电阻RS26，所述下拉电阻RS26的一端与所述单片机的引脚17连接，所述下拉电阻RS26的另一端接地。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述温度失控保护电路还包括限流电阻R88，所述限流电阻R88的一端与所述单片机的引脚18连接，所述限流电阻R88的另一端与所述MOS管Q51的栅极连接。
[0013]本专利技术还提供了一种具有温度失控保护电路的颈部按摩器，包括如上述中任一项所述的温度失控保护电路。
[0014]本技术的有益效果是：通过上述方案，可实现温度失控断电保护，从而避免烫伤人体。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的方案。
[0016]图1是本技术一种温度失控保护电路的原理框图。
[0017]图2是本技术一种温度失控保护电路的电路图。
[0018]图3是本技术一种温度失控保护电路的局部电路图。
具体实施方式
[0019]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0020]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0021]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0022]下面结合附图说明及具体实施方式对本技术作进一步说明。
[0023]如图1所示，一种温度失控保护电路，包括供电单元101、开关控制电路102、单片机103和发热装置104，其中，供电单元101可优选采用电池供电，电池为产品总供电，电流回路经过、开关控制电路102后，向单片机103和发热装置104供电。
[0024]如图2、3所示，所述发热装置104包括加热片1和侦测所述加热片温度的温度传感器RT1，所述开关控制电路102包括三极管Q12、MOS管Q11和MOS管Q51，所述单片机U1的引脚2
与所述三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的发射极接地，所述三极管Q12的集电极与所述MOS管Q11的栅极连接，所述MOS管Q11的源极与所述供电单元连接，所述单片机U1的引脚18与所述MOS管Q51的栅极连接，所述MOS管Q51的源极接地，所述加热片1的两端分别与所述MOS管Q51的漏极、MOS管Q11的漏极连接，所述温度传感器RT1的两端分别与所述单片机U1的引脚17、MOS管Q11的漏极连接。
[0025]所述供电单元包括电源输入座J1，所述电源输入座J1与所述MOS管Q11的源极连接，TS1 TP2为测试点。
[0026]所述单片机的引脚15和引脚16分别与所述MOS管Q11的漏极连接。
[0027]所述温度失控保护电路还包括电源滤波电容CS53和电源滤波电容CS54，所述电源滤波电容CS53的一端与所述MOS管Q11的源极连接，所述电源滤波电容CS53的另一端接地，所述电源滤波电容CS54的一端与所述MOS管Q11的漏极连接，所述电源滤波电容CS54的另一端接地。
[0028]所述温度失控保护电路还包括上拉电阻R34，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度失控保护电路，其特征在于：包括供电单元、开关控制电路、单片机U1和发热装置，所述发热装置包括加热片和侦测所述加热片温度的温度传感器RT1，所述开关控制电路包括三极管Q12、MOS管Q11和MOS管Q51，所述单片机U1的引脚2与所述三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的发射极接地，所述三极管Q12的集电极与所述MOS管Q11的栅极连接，所述MOS管Q11的源极与所述供电单元连接，所述单片机U1的引脚18与所述MOS管Q51的栅极连接，所述MOS管Q51的源极接地，所述加热片的两端分别与所述MOS管Q51的漏极、MOS管Q11的漏极连接，所述温度传感器RT1的两端分别与所述单片机U1的引脚17、MOS管Q11的漏极连接。2.根据权利要求1所述的温度失控保护电路，其特征在于：所述供电单元包括电源输入座J1，所述电源输入座J1与所述MOS管Q11的源极连接。3.根据权利要求1所述的温度失控保护电路，其特征在于：所述单片机的引脚15和引脚16分别与所述MOS管Q11的漏极连接。4.根据权利要求1所述的温度失控保护电路，其特征在于：所述温度失控保护电路还包括电源滤波电容CS53和电源滤波电容CS54，所述电源滤波电容CS53的一端与所述MOS管Q11的源极连接，所述电源滤波电容CS53的另一端接地，所述电源滤波电容CS54的一端与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐文军，胡自华，
申请(专利权)人：深圳市富临通实业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：