一种高散热的新型封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高散热的新型封装结构，包括第一芯片、第二芯片、第一基岛、第二基岛、第一引脚、多个第二引脚和塑封体，第一芯片的发热量大于第二芯片，第一芯片设置在第一基岛上，第二芯片设置在第二基岛上，第一引脚与第一基岛一体成型。采用双基岛设计，第一芯片产生的热量通过第一基岛快速传递给第一引脚，第一引脚再传递给PCB板，所以第一芯片的发热量允许较大；第二芯片设置在第二基岛上，主要通过塑封体向外散热，第二芯片发热量较小，不会导致温升过高。第一基岛和第二基岛侧面都可以设置多个引脚，满足大部分芯片对接口数量的需求，实现多芯片组合结构产品的封装需求；生产可以采用成本较低的冲压成型工艺，成本得到有效控制。有效控制。有效控制。

【技术实现步骤摘要】
一种高散热的新型封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种高散热的新型封装结构。

技术介绍

[0002]第三代半导体(SiC和GaN)又称宽禁带半导体，禁带宽度在2.2eV以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。由于SiC和GaN材料具有比Si基更好的热传导性能，在用作高功率功能应用时常常会采用设计散热良好和采用高导热的产品结构和工艺材料进行封装。目前使用较普遍的封装形式有QFN、TO252、TO220、T0247、PDFN等封装形式，其中QFN框架由于采用蚀刻加工，成本较高且无外伸的引脚散热，散热性稍差，TO系列产品由于受产品结构限制引脚数量有限(2
‑
5只)，无法满足多引脚产品需求，PDFN封装的引脚数不少，市面上最多的有8个引脚，但是也无外伸的引脚散热，散热性稍差。鉴于以上所述，对于同时有成本、引脚数量及高散热要求的封装产品，现有的QFN、TO系列及PDFN封装结构都不能满足需求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种高散热的新型封装结构，在一定程度上能同时满足成本、引脚数量及高散热的复合要求。
[0004]本技术是这样实现的：一种高散热的新型封装结构，包括第一芯片、第二芯片、第一基岛、第二基岛、第一引脚、多个第二引脚和塑封体，所述第一芯片的发热量大于第二芯片，所述第一基岛和第二基岛平行并列间隙布置，所述第一芯片设置在第一基岛上，所述第二芯片设置在第二基岛上，所述第一引脚设置在第一基岛的侧面，并且与第一基岛一体成型，所述第二引脚与第一芯片和第二芯片通过键合引线实现电连接，所述塑封体用于包裹第一芯片、第二芯片、第一基岛和第二基岛，以及第一引脚和第二引脚的内侧部分，所述第一引脚和第二引脚的外侧部分露出于塑封体外。
[0005]其中，所述第一芯片为GaN芯片、SiC芯片或Si基芯片。
[0006]其中，所述第一引脚的宽度大于等于第一基岛宽度的70％。
[0007]其中，所述第二引脚数量为八个，其中一个位于第一基岛的侧面，七个位于第二基岛的侧面。
[0008]其中，所述位于第一基岛侧面的第二引脚与第一引脚之间的间距大于1.6mm。
[0009]其中，位于第二基岛最外侧的一个第二引脚与其相邻的第二引脚之间的间距大于1.6mm。
[0010]其中，所述第一引脚的宽度为5
‑
6mm，第一引脚和第二引脚的脚掌长度为0.5
‑
1mm。
[0011]其中，所述第一基岛和/或第二基岛的背面裸露于塑封体外。
[0012]本技术的有益效果为：所述高散热的新型封装结构采用双基岛设计，第一引脚设置在第一基岛的侧面，并且与第一基岛一体成型，第一引脚外侧部分露出于塑封体外，第一芯片产生的热量可以通过第一基岛快速传递给第一引脚，第一引脚再传递给PCB板，以
及散热到空气中，所以第一芯片的发热量允许较大；第二芯片设置在第二基岛上，主要通过塑封体向外散热，由于第二芯片发热量较小，不会导致温升过高。第一基岛和第二基岛侧面都可以设置多个引脚，数量可以达到9个，满足大部分芯片对接口数量的需求，更容易实现多芯片组合结构功能产品的封装需求；生产可以采用成本较低的冲压成型工艺，取代生产成本较高的蚀刻工艺(也可以采用蚀刻工艺)，成本得到有效控制，采用冲压成型工艺的产品在散热性能上更好，散热效果更显著。
附图说明
[0013]图1是本技术所述新型封装结构的立体图；
[0014]图2是本技术所述新型封装结构的内部结构示意图(隐藏塑封体)；
[0015]图3是本技术所述新型封装结构的内部结构侧视图(隐藏塑封体)；
[0016]图4是本技术所述第一基岛、第二基岛、第一引脚和第二引脚的连接关系示意图；
[0017]图5是本技术所述第一基岛、第二基岛、第一引脚和第二引脚另一角度的连接关系示意图；
[0018]图6是本技术所述第一基岛、第二基岛、第一引脚和第二引脚连接关系的俯视图。
[0019]其中，1、第一芯片；2、第二芯片；3、第一基岛；4、第二基岛；5、第一引脚；6、第二引脚；7、塑封体；8、键合引线。
具体实施方式
[0020]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0021]作为本技术所述高散热的新型封装结构的实施例，如图1至图6所示，包括第一芯片1、第二芯片2、第一基岛3、第二基岛4、第一引脚5、多个第二引脚6和塑封体7，所述第一芯片1的发热量大于第二芯片2，所述第一基岛3和第二基岛4平行并列间隙布置，所述第一芯片1设置在第一基岛3上，所述第二芯片2设置在第二基岛4上，所述第一引脚5设置在第一基岛3的侧面，并且与第一基岛3一体成型，所述第二引脚6与第一芯片1和第二芯片2通过键合引线8实现电连接，第一芯片1和第二芯片2之间也可以通过键合引线8实现芯片互联，所述塑封体7用于包裹第一芯片1、第二芯片2、第一基岛3和第二基岛4，以及第一引脚5和第二引脚6的内侧部分，所述第一引脚5和第二引脚6的外侧部分露出于塑封体7外。所述第二基岛4为独立基岛，第二引脚5为独立引脚。
[0022]所述高散热的新型封装结构采用双基岛设计，第一引脚5设置在第一基岛3的侧面，并且与第一基岛3一体成型，第一引脚5外侧部分露出于塑封体7外，第一芯片1产生的热量可以通过第一基岛3快速传递给第一引脚5，第一引脚5再传递给PCB板，以及散热到空气中，所以第一芯片1的发热量允许较大；第二芯片2设置在第二基岛4上，主要通过塑封体7向外散热，由于第二芯片2发热量较小，不会导致温升过高。第一基岛3和第二基岛4侧面都可以设置多个引脚，数量可以达到9个，满足大部分芯片对接口数量的需求，更容易实现多芯
片组合结构功能产品的封装需求；生产可以采用成本较低的冲压成型工艺，取代生产成本较高的蚀刻工艺(也可以采用蚀刻工艺)，成本得到有效控制，采用冲压成型工艺的产品在散热性能上更好，散热效果更显著。
[0023]在本实施例中，所述第一芯片1为GaN芯片或SiC芯片，此类第三代半导体芯片适合用作功率器件，发热量比较大，对散热要求较高，而对散热要求较高的第一芯片1就要设置在第一基岛3上。当然，所述第一芯片1也可以为发热量大的Si基芯片。
[0024]在本实施例中，所述第一引脚5的宽度大于等于第一基岛3宽度的70％，第一引脚5的宽度优选值为5
‑
6mm，与第一基岛3一体连接的宽度很大，外露的面积也很大，能保证较好的导热能力和散热能力。
[0025]在本实施例中，所述第二引脚6数量为八个，其中一个位于第一基岛3的侧面，七个位于第二基岛4的侧面。可以满足大部分芯片对I/O接口需求。
[0026]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高散热的新型封装结构，其特征在于，包括第一芯片、第二芯片、第一基岛、第二基岛、第一引脚、多个第二引脚和塑封体，所述第一芯片的发热量大于第二芯片，所述第一基岛和第二基岛平行并列间隙布置，所述第一芯片设置在第一基岛上，所述第二芯片设置在第二基岛上，所述第一引脚设置在第一基岛的侧面，并且与第一基岛一体成型，所述第二引脚与第一芯片和第二芯片通过键合引线实现电连接，所述塑封体用于包裹第一芯片、第二芯片、第一基岛和第二基岛，以及第一引脚和第二引脚的内侧部分，所述第一引脚和第二引脚的外侧部分露出于塑封体外。2.根据权利要求1所述高散热的新型封装结构，其特征在于，所述第一芯片为GaN芯片、SiC芯片或Si基芯片。3.根据权利要求1所述高散热的新型封装结构，其特征在于，所述第一引脚的宽度大于等于第一基岛宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄乙为，饶锡林，易炳川，施保球，斯毅平，刘方标，李立，饶阳帆，曾庆果，
申请(专利权)人：气派科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：