一种半导体饱和蒸汽试验用治具制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体饱和蒸汽试验用治具，包括上模板、下模板、上密封条和下密封条，上模板上设有上容置槽，上密封条设置在上容置槽内，下模板上设有下容置槽，下密封条设置在下容置槽内，上密封条和下密封条用于密封半导体的引脚，上容置槽和/或下容置槽底部设有多个通孔。在做PCT实验时，把待测的半导体产品排列地放置在下模板上的下密封条上，然后盖上上模板，在实验时，蒸汽从上容置槽和下容置槽底部的通孔进入，对上模板和下模板之间的半导体产品蒸煮，由于上密封条和下密封条夹紧半导体的引脚，形成密封效果，蒸汽不会与半导体的引脚接触，不会导致引脚部分氧化，自然也不会影响在后面的性能测试工序的测试正确率。会影响在后面的性能测试工序的测试正确率。会影响在后面的性能测试工序的测试正确率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体饱和蒸汽试验用治具


[0001]本申请涉及半导体测试
，尤其是涉及一种半导体饱和蒸汽试验用治具。

技术介绍

[0002]PCT试验一般称为压力锅蒸煮试验或是饱和蒸汽试验，最主要是将待测品置于严苛的温度、饱和湿度(100％R.H.)及压力环境下测试，测试待测品耐高湿能力，如果待测品是半导体的话，则用来测试半导体封装的抗湿气能力，如果半导体封装的不好，湿气会沿者塑封体与导线框架(引脚)的结合处渗入封装体之中，造成爆米花效应、分层、断路或短路等相关问题。PCT试验还属于加速寿命试验，加快试验过程，缩短产品或系统的寿命试验时间，在产品的设计阶段，能快速暴露产品的缺陷和薄弱环节。
[0003]现有技术中在做PCT试验时，操作方式为人工核对数量后，用锡纸包裹半导体，在锡纸上扎出多个孔，放到盘子上，然后放置在蒸汽锅内蒸煮，锡纸能防止半导体丢失，扎出多个孔是让蒸汽进入锡纸内，由于引脚暴露在高温高湿环境中，容易引起引脚部分氧化，从而导致在后面的性能测试工序的测试正确率下降，有待改进。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中PCT试验的半导体引脚容易氧化的技术问题，本技术提供了一种半导体饱和蒸汽试验用治具。
[0005]本申请提供的技术方案为：一种半导体饱和蒸汽试验用治具，包括上模板、下模板、上密封条和下密封条，所述上模板上设有上容置槽，所述上密封条设置在上容置槽内，所述下模板上设有下容置槽，所述下密封条设置在下容置槽内，所述上密封条和下密封条用于密封半导体的引脚，所述上容置槽和/或下容置槽底部设有多个通孔。
[0006]其中，所述上模板和下模板上还设有锁紧装置。
[0007]其中，所述上模板上阵列设有多个上容置槽，下模板上阵列设有多个下容置槽。
[0008]其中，所述上密封条和下密封条上均设有凹槽，两个凹槽合围成通气道，所有通气道相互导通，所述上模板或下模板上还设有抽真空孔，所述通气道与抽真空孔导通，所述半导体的引脚外侧端设置在所述凹槽内。
[0009]其中，所述下模板上表面还设有用于指示放置半导体数量的数字标号。
[0010]本技术的有益技术效果为：在做PCT实验时，把待测的半导体产品排列地放置在下模板上的下密封条上，然后盖上上模板，在实验时，蒸汽从上容置槽和下容置槽底部的通孔进入，对上模板和下模板之间的半导体产品蒸煮，由于上密封条和下密封条夹紧半导体的引脚，形成密封效果，蒸汽不会与半导体的引脚接触(不包括引脚的根部)，不会导致引脚部分氧化，自然也不会影响在后面的性能测试工序的测试正确率。
附图说明
[0011]图1是本技术所述半导体饱和蒸汽试验用治具实施例一的立体图；
[0012]图2是本技术所述半导体饱和蒸汽试验用治具实施例一的分解结构示意图；
[0013]图3是本技术所述半导体饱和蒸汽试验用治具实施例一的俯视图；
[0014]图4是图3中A
‑
A向剖示图；
[0015]图5是图4中B处放大图；
[0016]图6是本技术所述半导体饱和蒸汽试验用治具实施例二的立体图；
[0017]图7是本技术所述半导体饱和蒸汽试验用治具实施例二的俯视图；
[0018]图8是图7中C
‑
C向剖示图；
[0019]图9是图8中D处放大图。
[0020]其中，1、上模板；11、上容置槽；12、通孔；2、下模板；21、下容置槽；22、通孔；23、抽真空孔；24、数字标号；3、上密封条；31、凹槽；4、下密封条；41、凹槽；5、通气道；100、半导体；101、引脚。
具体实施方式
[0021]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0022]作为本技术所述半导体饱和蒸汽试验用治具的实施例一，如图1至图5所示，包括上模板1、下模板2、上密封条3和下密封条4，所述上模板1上设有上容置槽11，所述上密封条3设置在上容置槽11内，所述下模板2上设有下容置槽21，所述下密封条4设置在下容置槽21内，所述上密封条3和下密封条4用于密封半导体100的引脚101，所述上容置槽11和下容置槽21底部设有多个通孔12、22。
[0023]在做PCT实验时，把待测的半导体100排列地放置在下模板2上的下密封条4上，然后盖上上模板1，放入实验箱。在实验时，蒸汽从上容置槽11和下容置槽21底部的通孔12、22进入，对上模板1和下模板2之间的半导体100蒸煮，由于上密封条3和下密封条4夹紧半导体100的引脚101，形成密封效果，蒸汽不会与半导体100的引脚101接触(不包括引脚101的根部)，不会导致引脚101部分氧化，自然也不会影响在后面的性能测试工序的测试正确率。
[0024]在本实施例中，所述上模板1和下模板2上还设有锁紧装置(未示出)。如果不把上模板1和下模板2锁紧，仅靠上模板1的重力，有可能影响对引脚101的密封效果。设置锁紧装置目的就是把上模板1和下模板2锁紧，以保证密封效果。锁紧装置优选能快速拆装的，比如快速锁扣。
[0025]在本实施例中，所述上模板1上阵列设有多个上容置槽11，下模板2上阵列设有多个下容置槽21。这样每个治具内具有多排放置半导体100的区域，可以同时对更多的半导体100进行实验。
[0026]在本实施例中，所述下模板2上表面还设有用于指示放置半导体100数量的数字标号24。本技术改变了传统的盘子分类方法，是一种打破现有操作模式的创新设计，下模板2上的数字标号24能快速的核对半导体100的数量，从而提高实验效率。
[0027]本申请所述的治具长宽比优选3：2，每块治具还可以设置独立的编号进行区分，防止混料。
[0028]作为本技术所述半导体饱和蒸汽试验用治具的实施例二，如图6至图9所示，
与实施例一不同之处在于所述上密封条3和下密封条4上均设有凹槽31、41，两个凹槽31、41合围成通气道5，所有通气道5相互导通，所述下模板2上还设有抽真空孔23，所述通气道5与抽真空孔23导通，所述半导体100的引脚101外侧端设置在所述凹槽31、41内。
[0029]在做PCT实验时，把待测的半导体100产品排列地放置在下模板2上的下密封条4上，然后盖上上模板1，利用真空泵与抽真空孔23连接，对通气道5进行抽真空；大气压力可以将上模板1压紧在下模板2上。如果真空泵不能将通气道5内的空气抽出，达不到要求的真空度时，说明上模板1和下模板2之间漏气，需要对治具进行调整或维修。其它结构及有益效果均与实施例一一致，此处不再赘述。
[0030]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体饱和蒸汽试验用治具，其特征在于，包括上模板、下模板、上密封条和下密封条，所述上模板上设有上容置槽，所述上密封条设置在上容置槽内，所述下模板上设有下容置槽，所述下密封条设置在下容置槽内，所述上密封条和下密封条用于密封半导体的引脚，所述上容置槽和/或下容置槽底部设有多个通孔。2.根据权利要求1所述的半导体饱和蒸汽试验用治具，其特征在于，所述上模板和下模板上还设有锁紧装置。3.根据权利要求1所述的半导体饱和蒸汽试验用治具，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德朋，刘方标，饶锡林，易炳川，黄乙为，施保球，
申请(专利权)人：气派科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：