一种埋引线框架封装基板结构及电路板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种埋引线框架封装基板结构及电路板，属于电路板技术领域，包括：引线框架以及封装基板。所述封装基板固定在所述引线框架顶部；所述封装基板上设有用于封装芯片的塑封位，封装在塑封位的芯片通过金线与所述引线框架连接。该结构将普通封装基板与引线框架相结合，既能够实现高I/O数小型化又提高了散热能力，能够满足电路板轻薄化、高性能的要求。要求。要求。

【技术实现步骤摘要】
一种埋引线框架封装基板结构及电路板


[0001]本技术涉及电路板
，尤其涉及一种埋引线框架封装基板结构及电路板。

技术介绍

[0002]随着电子产品的小型化、高性能化、多功能化需求推动，相应地，半导体集成电路的封装也要朝着轻薄短小高性能的方向发展。而半导体集成电路封装的主要载体是引线框架和封装基板，常规引线框架和封装基板是分开使用的，为两种封装模式，两者各有优缺点。其中，引线框架导热性能好，但难实现高I/O数小型化；封装基板可以实现高I/O数小型化，但散热性相对于引线框架而言更差，不能满足高散热要求的芯片的应用要求，如电源管理模块芯片等等。
[0003]因此，需要对现有的电路板封装结构进行改进，以满足集成电路轻薄化、高性能的要求。

技术实现思路

[0004]为克服相关技术中存在的问题，本技术的目的之一是提供一种埋引线框架封装基板结构，该结构将普通封装基板与引线框架相结合，既能够实现高I/O数小型化又提高了散热能力，能够满足电路板轻薄化、高性能的要求。
[0005]一种埋引线框架封装基板结构，包括：
[0006]引线框架；
[0007]封装基板，所述封装基板固定在所述引线框架顶部；所述封装基板上设有用于封装芯片的塑封位，封装在塑封位的芯片通过金线与所述引线框架连接。
[0008]在本技术较佳的技术方案中，所述封装基板与所述引线框架之间通过沉铜孔电连接；
[0009]所述沉铜孔底部与所述引线框架电联接、顶部贯穿所述封装基板顶部。
[0010]在本技术较佳的技术方案中，所述沉铜孔的顶部设有焊盘；所述沉铜孔的壁厚为8μm
‑
15μm。
[0011]在本技术较佳的技术方案中，所述封装基板顶部设有模塑料，所述模塑料与所述封装基板之间形成所述塑封位。
[0012]在本技术较佳的技术方案中，所述塑封位中填充有环氧树脂，封装在所述塑封位的芯片，位于所述环氧树脂上。
[0013]在本技术较佳的技术方案中，封装在所述塑封位的芯片与所述封装基板之间的距离大于0.5μm，且芯片通过金线与所述沉铜孔电连接。
[0014]在本技术较佳的技术方案中，所述引线框架包括框架本体，所述框架本体上蚀刻有铜柱；所述框架本体上覆盖有CBF膜，所述CBF膜上设有电镀层，所述电镀层上压合有板材。
[0015]本技术的目的之二是提供一种电路板，包括如上所述的埋引线框架封装基板结构；所述封装基板上封装有芯片。
[0016]本技术的有益效果为：
[0017]本技术提供的一种埋引线框架封装基板结构及电路板，包括：引线框架以及封装基板。封装基板固定在引线框架顶部；封装基板上设有用于封装芯片的塑封位，封装在塑封位的芯片通过金线与引线框架连接。该结构将普通封装基板与引线框架相结合，在应用过程中，封装基板用于承载芯片，能够实现高I/O数小型化。而芯片产生的热量通过到金线传递给引线框架，使得引线框架能够快速地将热量散发出去，实现高效散热。因此，本申请的埋引线框架封装基板结构既能够实现高I/O数小型化又提高了散热能力，能够满足电路板轻薄化、高性能的要求。
附图说明
[0018]图1是本技术的实施例中提供的埋引线框架封装基板结构的结构示意图；
[0019]图2是本技术的实施例中提供的引线框架的结构示意图。
[0020]附图标记：
[0021]1、引线框架；2、封装基板；3、沉铜孔；4、焊盘；5、模塑料；6、金线；7、芯片；8、环氧树脂；11、框架本体；12、铜柱；13、CBF膜；14、板材；15、电镀层。
具体实施方式
[0022]下面将参照附图更详细地描述本技术的优选实施方式。虽然附图中显示了本技术的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本技术而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本技术更加透彻和完整，并且能够将本技术的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0023]在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0024]实施例：
[0025]如图1
‑
图2所示，本技术提供的一种埋引线框架封装基板结构，该结构包括引线框架1和封装基板2。所述封装基板2固定在所述引线框架1顶部；所述封装基板2上设有用于封装芯片7的塑封位，封装在塑封位的芯片7通过金线6与所述引线框架1连接。所述金线6起到传递信号以及传递热量的作用。
[0026]更具体地，所述引线框架1包括框架本体11，所述框架本体11上蚀刻有铜柱12；所述框架本体11上覆盖有CBF膜13，所述CBF膜13上设有电镀层15，所述电镀层15上压合有板材14。所述封装基板2与所述引线框架1均可以设置多层，以满足不同集成电路的需求。
[0027]上述的一种埋引线框架封装基板结构，该结构将普通封装基板2与引线框架1相结合，在应用过程中，封装基板2用于承载芯片7，能够实现高I/O数小型化。而芯片7产生的热量通过到金线6传递给引线框架1，使得引线框架1能够快速地将热量散发出去，实现高效散热。因此，本申请的埋引线框架封装基板结构既能够实现高I/O数小型化又提高了散热能
力，能够满足电路板轻薄化、高性能的要求。
[0028]更具体地，本申请的埋引线框架封装基板结构的生产过程包括以下步骤：
[0029]将大块的厚铜板切割成生产适合的尺寸；然后在厚铜板上蚀刻铜柱12；而后通过AOI技术对蚀刻铜柱12后的铜板进行检测。在检测合格的产品压CBF膜13，而后通过沉铜、干膜、电镀、压合基板、激光钻孔、蚀刻线路、电镀、表面处理等多个生产工艺，得到最终的成本。
[0030]进一步地，所述封装基板2与所述引线框架1之间通过沉铜孔3电连接；
[0031]所述沉铜孔3底部与所述引线框架1电联接、顶部贯穿所述封装基板2顶部。更进一步地，所述沉铜孔3的顶部设有焊盘4；所述沉铜孔3的壁厚为8μm
‑
15μm。该壁厚的沉铜孔3可以满足电流信号的传输要求，又降低了生产成本。所述封装基板2与所述引线框架1之间通过沉铜孔3电连接，能够实现不同线路板层之间的信号传输。生产过程中，不需要传输信号的电路板层则无需沉铜。
[0032]进一步地，所述封装基板2顶部设有模塑料5，所述模塑料5与所述封装基板2之间形成所述塑封位。所述模塑料5用于密封芯片7，能够对芯片7形成保护，延长芯片7的使用寿命。
[0033]进一步地，所述塑封位中填充有环氧树脂8，封装在所述塑封位的芯片7，位于所述环氧树脂8上。更具体地，封装在所述塑封位的芯片7与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋引线框架封装基板结构，其特征在于，包括：引线框架(1)；封装基板(2)，所述封装基板(2)固定在所述引线框架(1)顶部；所述封装基板(2)上设有用于封装芯片(7)的塑封位，封装在塑封位的芯片(7)通过金线(6)与所述引线框架(1)连接。2.根据权利要求1所述的埋引线框架封装基板结构，其特征在于：所述封装基板(2)与所述引线框架(1)之间通过沉铜孔(15)(3)电连接；所述沉铜孔(15)(3)底部与所述引线框架(1)电联接、顶部贯穿所述封装基板(2)顶部。3.根据权利要求2所述的埋引线框架封装基板结构，其特征在于：所述沉铜孔(15)(3)的顶部设有焊盘(4)；所述沉铜孔(15)(3)的壁厚为8μm
‑
15μm。4.根据权利要求1所述的埋引线框架封装基板结构，其特征在于：所述封装基板(2)顶部设有模塑料(5)，所述模塑料(5)与所述封装基板(2)之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴世平，李春斌，胡诗益，
申请(专利权)人：深圳明阳电路科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：