【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成组合件和形成集成组合件的方法
[0001]相关专利资料
[0002]本申请要求2021年4月6日提交的第17/223,254号美国专利申请案的优先权和权益,所述美国专利申请案的公开内容以引用的方式并入本文中。
[0003]形成集成组合件(例如,集成存储器装置)的方法。集成组合件。
技术介绍
[0004]存储器提供用于电子系统的数据存储装置。快闪存储器是一种类型存储器,且大量用于现代计算机和装置中。例如,现代个人计算机可使BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例,越来越常见的是,计算机和其它装置利用呈固态硬盘的快闪存储器替代传统的硬盘驱动器。作为又一实例,快闪存储器在无线电子装置中普及,这是因为快闪存储器使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议,且使制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。
[0005]NAND可以是快闪存储器的基本架构,且可经配置以包括竖直堆叠的存储器单元。
[0006]在具体地描述NAND之前,可能有帮助的是更一般化地描述集成布置内的存储器阵列的关系。图1示出包含以下各项的现有技术装置1000的框图:存储器阵列1002,其具有布置成行和列的多个存储器单元1003;以及存取线1004(例如,用以传导信号WL0到WLm的字线);和第一数据线1006(例如,用以传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004和第一数据线1006可用于将信息传送到存储器单元1003及从其传送信息。行解码器1007和列解码器1008解码地址线1009上的地址信号A ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成组合件,其包括:存储器区和邻近于所述存储器区的另一区;布置在所述存储器区内的沟道材料柱和布置在所述另一区内的导电柱;源极结构,其耦合到所述沟道材料柱的下部区;面板,其跨越所述存储器区和所述另一区延伸,且将第一存储器块区与第二存储器块区分开;掺杂半导体材料,其在所述存储器区和所述另一区内紧邻所述面板;所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的所述源极结构的至少部分;以及环,其横向包围所述导电柱的下部区;所述环在所述导电柱与所述掺杂半导体材料之间;所述环包括两个或更多个材料的层压物,其中所述材料中的至少一个被配置为槽且所述材料中的另一个延伸到所述槽中;且其中所述材料中的一或多个是绝缘的。2.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述环的最上部表面与所述源极结构的最上部表面共同延伸。3.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述导电柱中的至少一些与在所述导电柱中的所述至少一些下方的逻辑电路系统耦合。4.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述掺杂半导体材料包括硅。5.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个包括二氧化硅。6.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个包括经碳掺杂的氧化硅。7.根据权利要求6所述的集成组合件,其中碳的存在浓度在约10
15
个原子/cm3到约10
25
个原子/cm3的范围内。8.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个包括经碳掺杂的氮化硅。9.根据权利要求8所述的集成组合件,其中碳的存在浓度在约10
15
个原子/cm3到约10
25
个原子/cm3的范围内。10.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个包括SiON,其中所述化学式指示主要成分而不是特定化学计量。11.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个是含金属材料。12.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述含金属材料是金属氮化物。13.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述含金属材料包含W、Ti、WN和TiN中的一或多种。14.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个由硅组成。15.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个基本上由碳组成。16.根据权利要求15所述的集成组合件,其中所述碳大体上完全处于非晶相。17.根据权利要求1所述的集成组合件,其包括在所述存储器区和所述另一区上方的竖
直堆叠导电层级;且其中所述沟道材料柱和所述柱延伸穿过所述竖直堆叠导电层级。18.根据权利要求17所述的集成组合件,其中所述竖直堆叠导电层级的上部导电层级为存储器单元层级,且其中所述竖直堆叠导电层级的下部导电层级为选择装置层级。19.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述环中的每一个是外部环且横向包围包括第二半导体材料的内部环。20.根据权利要求19所述的集成组合件,其中所述第二半导体材料由硅组成。21.一种集成组合件,其包括:第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区和在所述第一存储器区与所述第二存储器区之间的中间区;第一沟道材料柱,其布置于所述第一存储器区内;第二沟道材料柱,其布置在所述第二存储器区内;导电柱,其布置在所述中间区内;面板,其跨越所述第一存储器区、所述中间区和所述第二存储器区延伸;所述面板横向处于第一存储器块区与第二存储器块区之间;掺杂第一半导体材料,其在所述第一存储器区、所述第二存储器区和所述中间区内且紧邻所述面板;所述掺杂第一半导体材料是所述第一存储器区和所述第二存储器区内的导电源极结构的至少部分;以及环,其横向包围所述导电柱的下部区且在所述导电柱与所述掺杂第一半导体材料之间;所述环包括两个或更多个材料的层压物;所述环的内部区通过包含第二半导体材料的中介区与所述导电柱间隔开;所述掺杂第一半导体材料直接接触所述环的外部横向边缘。22.根据权利要求21所述的集成组合件,其中所述层压物的所述材料中的一个包括经碳掺杂的氧化硅。23.根据权利要求21所述...
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