【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体是涉及一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构。
技术介绍
[0002]原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。
[0003]在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子,由原子层沉积工艺制作成的膜层具有高纯度和良好均匀性的优点,因此原子层沉积工艺被广泛地应用于半导体制造中,以满足半导体的小尺寸和大高宽比的工艺要求;原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法,当前驱体达到沉积基体表面,它们会在其表面化学吸附并发生表面反应,在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。
[0004]现有技术中,原子层沉积腔室的沉积腔体积是固定的,在对数量较少的半导体进行镀膜时,气体冲入到沉积腔内的时间较长,并且大多数的气体处于无法进行反应的区域,这样会造成气体的浪费,并且在反应的过程中,半单导体处于固定状态,与气体的接触面积较少,会导致反应不均匀。
技术实现思路
[0005]针对现技术所存在的问题,提供一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构,通过第一柔性板、第二柔性板和封堵盘的配合,从而可以对沉积腔的容积进行调节,通过进气管,进气管与环形滑块的配合,从而使半导体能够更均匀的接触气体,提高了沉积均匀性。
[0006]为解决现有技术问题,本专利技术采用的技术方案为: ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构,其特征在于,包括工作台(1)、安装筒(2)、调节机构(3)和上料机构(4);工作台(1)的中心处设置有第一穿孔(11),安装筒(2)呈竖直状态设置在第一穿孔(11)内,安装筒(2)的开口朝着工作台(1)底部;安装筒(2)顶部边缘处设置有第二穿孔(21),第二穿孔(21)内设置有抽气管(22),安装筒(2)顶部还设置有真空泵(23),抽气管(22)远离第二穿孔(21)的一端与真空泵(23)的输入端连接;调节机构(3)设置在安装筒(2)底部内壁,调节机构(3)包括有第一柔性板(31)和第二柔性板(32);第一柔性板(31)有两个,第一柔性板(31)呈弧形形状,两个第一柔性板(31)呈竖直状态设置在安装筒(2)底部,两个第一柔性板(31)相对于安装筒(2)中心处呈镜像设置,每个第一柔性板(31)沿长度方向的两端设置有供第二柔性板(32)插入的插槽(311),第一柔性板(31)能够朝着安装筒(2)中心处往返移动;第二柔性板(32)有两个,第二柔性板(32)呈弧形形状,第二柔性板(32)的两端分别能够滑动的设置在对应第一柔性板(31)相互靠近的插槽(311)内,第二柔性板(32)呈竖直状态设置在两个第一柔性板(31)之间,第二柔性板(32)能够朝着安装筒(2)中心处往返移动;上料机构(4)设置在工作台(1)台面下方,上料机构(4)包括有能沿水平方向和竖直方向往返移动的封堵盘(41),封堵盘(41)呈水平状态设置,封堵盘(41)的直径与安装筒(2)的直径相同,封堵盘(41)用于对安装筒(2)进行密封,封堵盘(41)与第一穿孔(11)同轴设置;封堵盘(41)密封安装筒(2)后,封堵盘(41)、第一柔性板(31)和第二柔性板(32)之间形成沉淀腔;封堵盘(41)中心处设置有进气管(42),进气管(42)呈竖直状态设置,进气管(42)顶部呈封堵状态,进气管(42)底部向下延伸穿过封堵盘(41),进气管(42)外壁沿竖直方向和圆周方向等距设置有多个进气孔(421);封堵盘(41)顶部设置有多个环形滑槽(411),环形滑槽(411)沿封堵盘(41)直径方向等距设置,每个环形滑槽(411)内均滑动设置有环形滑块(412),每个环形滑块(412)顶部沿圆周方向设置有多个安装孔(4121),每个安装孔(4121)内均设置有放置杆(43),放置杆(43)呈竖直状态设置,放置杆(43)沿长度方向设置有多个用于放置半导体的放置架(431)。2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构,其特征在于,调节机构(3)还包括第一伺服电机(33)、第一丝杆(34)、第一锥齿轮(35)、第二锥齿轮(36)和第一滑块(37);安装筒(2)底部内壁中心处设置有第一圆孔(24),第一伺服电机(33)呈竖直状态设置在安装筒(2)顶部中心处,第一伺服电机(33)的输出轴穿过安装筒(2)设置在第一锥齿轮(35)中心处,第一锥齿轮(35)设置在第一圆孔(24)内并且第一锥齿轮(35)与第一圆孔(24)同轴设置;安装筒(2)内壁底部沿圆周方向设置有四个第一滑槽(25),第一滑槽(25)沿安装筒(2)圆周方向等距设置,第一滑槽(25)的长度方向与安装筒(2)直径方向相同;第一丝杆(34)有四个,第一丝杆(34)能够转动的设置在对应的第一滑槽(25)内,第一丝杆(34)的长度方向与第一滑槽(25)的长度方向相同,每个第一丝杆(34)靠近安装筒(2)
底部内壁中心处的一端穿过对应的第一滑槽(25)设置在第一圆孔(24)内;第二锥齿轮(36)有四个,第一丝杆(34)靠近第一圆孔(24)的一端设在对应第二锥齿轮(36)中心处,每个第二锥齿轮(36)均与第一锥齿轮(35)啮合;第一滑块(37)有四个,第一滑块(37)能够滑动的设在对应的第一滑槽(25)内,第一滑块(37)沿第一滑槽(25)长度方向的一端中心处设置有第一螺纹孔(371),第一螺纹孔(371)与对应的第一丝杆(34)螺纹连接;第一柔性板(31)和第二柔性板(32)顶部中心处分别与对应的第一滑块(37)连接。3.根据权利要求1所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构,其特征在于,第一柔性板(31)顶部和底部均设置有第...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋文德,王润鹏,颜烈刚,
申请(专利权)人:道格特半导体科技江苏有限公司,
类型:发明
国别省市:
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