多裸片互连件制造技术

公开了一种包括成型多裸片高密度互连件的装置，该装置包括：具有第一多个互连件(141)和第二多个互连件(142)的桥接裸片(140)。装置还包括具有第一多个接触件(112)和第二多个接触件(114)的第一裸片(110)，其中第二多个接触件被耦合到桥接裸片的第一多个互连件。装置还包括具有第一多个接触件(122)和第二多个接触件(124)的第二裸片(120)，其中第二多个接触件被耦合到桥接裸片的第二多个互连件。经耦合的第二多个接触件和互连件具有比第一裸片和第二裸片的第一多个接触件小的高度。二裸片的第一多个接触件小的高度。二裸片的第一多个接触件小的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多裸片互连件


[0001]本公开一般涉及包括多裸片互连件的半导体器件、封装器件，并且更具体但非排他地，涉及多裸片高密度互连件和多裸片高密度互连件封装器件以及其制造技术。

技术介绍

[0002]集成电路技术通过有源组件的小型化，已经在提高计算能力方面取得长足的进步。诸如多裸片封装的各种封装技术可以在包括处理器、服务器、射频(RF)集成电路等的许多电子器件中找到。高密度互连件技术在高引脚数设备中变得具有成本效益。包括高密度互连件的先进封装和处理技术允许片上系统(SOC)器件，其可以包括多个功能块，其中每个功能块被设计成执行特定功能，例如微处理器功能、图形处理单元(GPU)功能、通信功能(例如，Wi
‑
Fi、蓝牙和其它通信)等。
[0003]工业中已提供两种主要技术来实现封装设计中的高密度互连件，(1)衬底上晶片上芯片(CoWoS)和(2)嵌入式多裸片互连件桥(EMIB)。通常，CoWoS配置提供允许良好的硅(Si)与Si键合的中介层。然而，中介层和硅过孔的使用增加了制造成本和封装尺寸。EMIB配置提供有限的高密度/细间距部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包括多裸片互连件的装置，包括：桥接裸片，具有第一多个互连件和第二多个互连件；第一裸片，具有第一多个接触件和第二多个接触件，其中所述第一裸片的所述第二多个接触件被耦合到所述桥接裸片的所述第一多个互连件，并且其中所述第一裸片的所述第二多个接触件都具有比所述第一裸片的所述第一多个接触件小的高度；以及第二裸片，具有第一多个接触件和第二多个接触件，其中所述第二裸片的所述第二多个接触件被耦合到所述桥接裸片的所述第二多个互连件，并且其中所述第二裸片的所述第二多个接触件都具有比所述第二裸片的所述第一多个接触件小的高度。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一裸片和第二裸片被嵌入成型化合物中。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述桥接裸片的所述第一多个互连件和所述第二多个互连件具有比所述第一裸片的所述第一多个接触件和所述第二裸片的所述第一多个接触件小的间距。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述桥接裸片的所述第一多个互连件和所述第二多个互连件被配置为具有在40μm至55μm范围内的间距的裸片凸块。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一裸片的所述第二多个接触件是焊盘，并且所述第二裸片的所述第二多个接触件是焊盘。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述桥接裸片的所述第一多个互连件和所述第二多个互连件被嵌入第一底部填料中。7.根据权利要求1所述的装置，还包括：封装衬底，具有腔和多个焊盘，其中所述桥接裸片被至少部分地设置在所述腔中，并且其中所述多个焊盘被耦合到所述第一裸片的所述第一多个接触件和所述第二裸片的所述第一多个接触件。8.根据权利要求7所述的装置，还包括：第二底部填料，其中所述第一裸片的所述第一多个接触件和所述第二裸片的所述第一多个接触件被嵌入所述第二底部填料中。9.根据权利要求7所述的装置，还包括：在所述封装衬底外部的多个连接器，其中所述多个焊盘中的至少一个焊盘是。10.根据权利要求1所述的装置，其中所述桥接裸片的所述第一多个互连件和所述第一裸片的所述第二多个接触件的组合高度小于所述第一裸片的所述第一多个接触件的高度。11.根据权利要求1所述的装置，其中所述桥接裸片的所述第二多个互连件和所述第二裸片的所述第二多个接触件的组合高度小于所述第二裸片的所述第一多个接触件的高度。12.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置选自由以下组成的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、访问点、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、膝上型计算机、服务器、基站和机动交通工具中的设备。13.一种用于制造具有多裸片互连件的装置的方法，所述方法包括：提供具有第一多个互连件和第二多个互连件的桥接裸片；提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：LS，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：