半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置具备半导体元件、以及将上述半导体元件接合于支撑部件的导电性接合材料。上述半导体元件具有第一～第四元件侧面，上述导电性接合材料具有第一～第四端缘。在与上述第一方向正交的第二方向上，上述第一元件侧面与上述第一端缘的在第一方向上的距离与上述第一元件侧面的中央相比，偏靠上述第一元件侧面的两端较大。在上述第二方向上，上述第二元件侧面与上述第二端缘的在上述第一方向上的距离与上述第二元件侧面的中央相比，偏靠上述第二元件侧面的两端较大。在上述第一方向上，上述第三元件侧面与上述第三端缘的在上述第二方向上的距离与上述第三元件侧面的中央相比，偏靠上述第三元件侧面的两端较大。在上述第一方向上，上述第四元件侧面与上述第四端缘的在上述第二方向上的距离与上述第四元件侧面的中央相比，偏靠上述第四元件侧面的两端较大。偏靠上述第四元件侧面的两端较大。偏靠上述第四元件侧面的两端较大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，关于具备半导体元件的半导体装置，提出了各种各样的结构。在专利文献1中公开了以往的半导体装置的一例。该文献中公开的半导体装置具备引线、半导体元件以及导电性接合材料。半导体元件在该半导体元件的厚度方向上观察时为矩形形状。半导体元件配置于引线。导电性接合材料使引线与半导体元件导通接合。
[0003]在上述半导体装置中，例如在将半导体元件接合于引线时，在高温状态下将导电性接合材料接合于引线以及半导体元件。由此引线以及导电性接合材料成为高温状态，在之后冷却时，因引线与导电性接合材料的线膨胀系数的差，在导电性接合材料产生热应力。该热应力在半导体元件的厚度方向上观察时在该半导体元件的外周附近相对较大。尤其是，在半导体元件的拐角部附近，热应力容易集中于导电性接合材料的周缘部。在导电性接合材料的周缘部，若热应力变大，则在该周缘部产生裂纹，产生导电性接合材料从该周缘部剥离之类的不良状况。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018－113359号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]鉴于上述的事情，本公开的一个课题是提供一种半导体装置，其适合于抑制使配置有半导体元件的支撑部件与该半导体元件导通接合的导电性接合材料的剥离等。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]由本公开的第一方案提供的半导体装置具备支撑部件、半导体元件、以及导电性接合材料。上述支撑部件具有朝向厚度方向的一方侧的主面。上述半导体元件具有在上述厚度方向上相互朝向相反侧的元件主面及元件背面、以及配置于上述元件背面的背面电极。上述导电性接合材料使上述支撑部件的上述主面与上述背面电极导通接合。上述半导体元件具有朝向与上述厚度方向正交的第一方向的一方侧的第一元件侧面及朝向另一方侧的第二元件侧面、以及朝向与上述厚度方向以及上述第一方向正交的第二方向的一方侧的第三元件侧面及朝向另一方侧的第四元件侧面。上述导电性接合材料具有在上述厚度方向上观察时相对于上述第一元件侧面位于上述第一方向的一方侧的第一端缘以及相对于上述第二元件侧面位于上述第一方向的另一方侧的第二端缘、以及相对于上述第三元件侧面位于上述第二方向的一方侧的第三端缘以及相对于上述第四元件侧面位于上述第二方向的另一方侧的第四端缘。上述第一元件侧面与上述第一端缘的在上述第一方向上的第一距离与上述第一元件侧面的在上述第二方向上的中央相比，在偏靠两端较大。上述第二元
件侧面与上述第二端缘的在上述第一方向上的第二距离与上述第二元件侧面的在上述第二方向上的中央相比，在偏靠两端较大。上述第三元件侧面与上述第三端缘的在上述第二方向上的第三距离与上述第三元件侧面的在上述第一方向上的中央相比，在偏靠两端较大。上述第四元件侧面与上述第四端缘的在上述第二方向上的第四距离与上述第四元件侧面的在上述第一方向上的中央相比，在偏靠两端较大。
[0011]由本公开的第二方案提供的半导体装置的制造方法具备：准备具有朝向厚度方向的一方侧的主面的支撑部件的工序；在上述主面上配置导电性接合材料的工序；以背面电极位于上述导电性接合材料上的方式相对于上述支撑部件配置半导体元件的工序，该半导体元件具有在上述厚度方向上相互朝向相反侧的元件主面及元件背面、以及配置于上述元件背面的上述背面电极，而且在上述厚度方向上观察时为矩形形状；以及通过对上述导电性接合材料进行加热来利用上述导电性接合材料接合上述支撑部件的上述主面和上述背面电极的工序，配置上述导电性接合材料的工序包含在上述导电性接合材料形成伸出部的工序，在上述厚度方向上观察时，该伸出部从与上述半导体元件的四角分别对应的位置朝向上述半导体元件的外侧延伸。
[0012]专利技术效果
[0013]根据上述结构，在半导体装置中，能够抑制使配置有半导体元件的支撑部件与该半导体元件导通接合的导电性接合材料的剥离等。
[0014]本公开的其它特征以及优点通过参照附图在以下进行的详细的说明将变得更加清楚。
附图说明
[0015]图1是表示本公开的第一实施方式所涉及的半导体装置的立体图。
[0016]图2是表示本公开的第一实施方式所涉及的半导体装置的立体图(透过封固树脂)。
[0017]图3是本公开的第一实施方式所涉及的半导体装置的俯视图(透过封固树脂)。
[0018]图4是沿图3的IV－IV线的剖视图。
[0019]图5是沿图3的V－V线的剖视图。
[0020]图6是沿图3的VI－VI线的剖视图。
[0021]图7是图3的局部放大图。
[0022]图8是沿图7的VIII－VIII线的剖视图。
[0023]图9是沿图7的IX－IX线的剖视图。
[0024]图10是沿图7的X－X线的剖视图。
[0025]图11是图7的局部放大图。
[0026]图12是图7的局部放大图。
[0027]图13是图7的局部放大图。
[0028]图14是图7的局部放大图。
[0029]图15是表示本公开的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的一个工序的剖视图。
[0030]图16是表示与图15连续的工序的剖视图。
[0031]图17是表示与图15连续的工序的主要部分俯视图。
[0032]图18是表示与图16连续的工序的剖视图。
[0033]图19是表示与图16连续的工序的主要部分俯视图。
[0034]图20是表示第一实施方式的第一变形例所涉及的半导体装置的与图3相同的俯视图。
[0035]图21是图20的局部放大图。
具体实施方式
[0036]以下，参照附图对本公开的优选的实施方式具体地进行说明。
[0037]本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等用语仅作为标记使用，并非意在对这些对象物标注顺序。
[0038]在本公开中，“某物A形成于某物B”以及“某物A形成在某物B上”在没有特别说明的情况下，包含“某物A直接形成于某物B”、以及“在某物A与某物B之间夹有其它物，并且某物A形成于某物B”。同样，“某物A配置于某物B”以及“某物A配置在某物B上”在没有特别说明的情况下，包含“某物A直接配置于某物B”、以及“在某物A与某物B之间夹有其它物，并且某物A配置于某物B”。同样，“某物A位于某物B上”在没有特别说明的情况下，包含“某物A与某物B相接而某物A位于某物B上”、以及“在某物A与某物B之间夹有其它物，并且某物A位于某物B上”。另外，“在某方向观察时某物A与某物B重叠”在没有特别说明的情况下，包含“某物A与某物B的全部重叠”、以及“某物A与某物B的一部分重叠”。
[0039]图1～图14表示本公开的第一实施方式所涉及的半导体装置。本实施方式的半导体装置A10具备第一引线1、第二引线2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：支撑部件，其具有朝向厚度方向的一方侧的主面；半导体元件，其具有在上述厚度方向上相互朝向相反侧的元件主面及元件背面、以及配置于上述元件背面的背面电极；以及导电性接合材料，其使上述支撑部件的上述主面与上述背面电极导通接合，上述半导体元件具有朝向与上述厚度方向正交的第一方向的一方侧的第一元件侧面及朝向另一方侧的第二元件侧面、以及朝向与上述厚度方向以及上述第一方向正交的第二方向的一方侧的第三元件侧面及朝向另一方侧的第四元件侧面，上述导电性接合材料具有在上述厚度方向上观察时相对于上述第一元件侧面位于上述第一方向的一方侧的第一端缘以及相对于上述第二元件侧面位于上述第一方向的另一方侧的第二端缘、以及相对于上述第三元件侧面位于上述第二方向的一方侧的第三端缘以及相对于上述第四元件侧面位于上述第二方向的另一方侧的第四端缘，上述第一元件侧面与上述第一端缘的在上述第一方向上的第一距离与上述第一元件侧面的在上述第二方向上的中央相比，在偏靠两端较大，上述第二元件侧面与上述第二端缘的在上述第一方向上的第二距离与上述第二元件侧面的在上述第二方向上的中央相比，在偏靠两端较大，上述第三元件侧面与上述第三端缘的在上述第二方向上的第三距离与上述第三元件侧面的在上述第一方向上的中央相比，在偏靠两端较大，上述第四元件侧面与上述第四端缘的在上述第二方向上的第四距离与上述第四元件侧面的在上述第一方向上的中央相比，在偏靠两端较大。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第一端缘包含：在上述第二方向上延伸的第一端缘第一部；以及与上述第一端缘第一部相连，且在上述第一方向上位于上述第一端缘第一部的外侧、而且在上述第二方向上位于偏靠上述第三端缘的端部的第一端缘第二部以及位于偏靠上述第四端缘的端部的第一端缘第三部，上述第二端缘包含：在上述第二方向上延伸的第二端缘第一部；以及与上述第二端缘第一部相连，且在上述第一方向上位于上述第二端缘第一部的外侧、而且在上述第二方向上位于偏靠上述第三端缘的端部的第二端缘第二部以及位于偏靠上述第四端缘的端部的第二端缘第三部，上述第三端缘包含：在上述第一方向上延伸的第三端缘第一部；以及与上述第三端缘第一部相连，且在上述第二方向上位于上述第三端缘第一部的外侧、而且在上述第二方向上位于偏靠上述第一端缘的端部的第三端缘第二部以及位于偏靠上述第二端缘的端部的第三端缘第三部，上述第四端缘包含：在上述第一方向上延伸的第四端缘第一部；以及与上述第四端缘第一部相连，且在上述第二方向上位于上述第四端缘第一部的外侧、而且在上述第二方向上位于偏靠上述第一端缘的端部的第四端缘第二部以及位于偏靠上述第二端缘的端部的第四端缘第三部。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述第一端缘第二部具有第一端缘第一倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第一端
缘第一倾斜部与上述第一端缘第一部相连，而且在与上述第一方向以及上述第二方向交叉的第三方向上延伸，上述第一端缘第三部具有第一端缘第二倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第一端缘第二倾斜部与上述第一端缘第一部相连，而且在与上述第一方向以及上述第二方向交叉的第四方向上延伸，上述第二端缘第二部具有第二端缘第一倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第二端缘第一倾斜部与上述第二端缘第一部相连，而且在上述第四方向上延伸，上述第二端缘第三部具有第二端缘第二倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第二端缘第二倾斜部与上述第二端缘第一部相连，而且在上述第三方向上延伸，上述第三端缘第二部具有第三端缘第一倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第三端缘第一倾斜部与上述第三端缘第一部相连，而且在上述第三方向上延伸，上述第三端缘第三部具有第三端缘第二倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第三端缘第二倾斜部与上述第三端缘第一部相连，而且在上述第四方向上延伸，上述第四端缘第二部具有第四端缘第一倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第四端缘第一倾斜部与上述第四端缘第一部相连，而且在上述第四方向上延伸，上述第四端缘第三部具有第四端缘第二倾斜部，在上述厚度方向上观察时，该第四端缘第二倾斜部与上述第四端缘第一部相连，而且在上述第三方向上延伸。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野弘匡，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：