一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，属于光刻制程工艺技术领域。该方法是利用双喷头涂胶装置进行；所述双喷头涂胶装置的旋转基座上放置晶圆，EBR(边缘清洗)喷嘴设于晶圆上方，EBR喷嘴为两个并固定于喷嘴基座上，喷嘴基座连接喷嘴支撑臂，由喷嘴支撑臂带动EBR喷嘴沿晶圆径向移动。所述快速去除光阻方法为：晶圆进行高速旋转；EBR喷嘴在晶圆上POS3与晶圆上POS2之间往复高速移动，进行快速的洗边工艺；洗边工艺结束后，喷嘴移动至POS1位置并关液，将晶圆进行高速甩干EBR残余液体。该方法能够解决现有EBR技术存在的清洗效率低、清洗时间长、清洗容易存在光阻残留、对于厚胶清洗效果不佳的问题。于厚胶清洗效果不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法


[0001]本专利技术涉及光刻制程工艺
，具体涉及一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制程工艺飞速发展，光刻做为整套制程的核心工艺，对于光刻工艺的要求越来越严苛。为保证产品的安全性，与设备的稳定性，对于晶圆边缘清洗要求增高。
[0003]光刻涂胶工艺中EBR边缘去胶，做为晶圆去边最有效的方法之一。边缘去胶可以有效的减少晶圆在传送、运输过程中造成的污染。可以有效的保护晶圆工艺图层与减少对后续工艺设备造成污染。
[0004]边缘清洗目前分为两种形式，一种形式为涂胶后进行物理化学清洗，即用相关溶液进行边缘清洗。另一种为涂胶烘烤冷却后进行WEE边缘曝光光学化学处理，即用光刻胶曝光后进行显影后清洗边缘。
[0005]本专利技术通过优化第一种物理化学清洗工艺，大幅度提高清洗效果和缩短其清洗时间。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，该方法能够解决现有EBR 技术存在的清洗效率低、清洗时间长、清洗容易存在光阻残留、对于厚胶清洗效果不佳的问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案如下：
[0008]一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，该方法是利用双喷头涂胶装置进行；所述双喷头涂胶装置包括旋转基座、喷嘴基座、EBR喷嘴和喷嘴支撑臂；其中：所述旋转基座上放置晶圆，并能带动晶圆高速旋转；所述EBR喷嘴设于晶圆上方，并能沿晶圆径向移动，EBR喷嘴固定于喷嘴基座上，喷嘴基座连接喷嘴支撑臂，由喷嘴支撑臂带动EBR喷嘴移动。
[0009]所述喷嘴支撑臂与晶圆边缘处的切线方向相平行；所述EBR喷嘴为两个，两个EBR喷嘴的连线与晶圆边缘处的切线方向相平行，两个喷嘴之间的距离为 2mm
‑
4mm。
[0010]两个喷嘴的喷液方向为沿晶圆直径方向向外45
°
，EBR喷嘴沿晶圆直径方向移动。
[0011]利用上述涂胶装置进行的晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，该方法包括如下步骤：
[0012](1)晶圆放置在旋转基座上，进行高速旋转。
[0013](2)EBR喷嘴移动至晶圆边缘外侧POS1位置(晶圆外Dummy位)后，开启EBR 喷嘴，每个喷嘴流量15ml/min。
[0014](3)开启EBR洗边工艺，将EBR喷嘴在晶圆上POS3与晶圆上POS2之间往复高速移动，进行快速的洗边工艺；
[0015](4)EBR洗边工艺结束后，喷嘴移动至POS1位置进行关闭EBR喷头。
[0016](5)EBR喷嘴关液后，将喷嘴支撑臂(EBR手臂)移动回初始位置后；进行高速甩干EBR残余液体。
[0017]上述步骤(3)中，单喷嘴流量13
‑
20ml/min，双喷嘴流量则为25
‑
40ml/min。
[0018]晶圆上POS2距晶圆边缘0.3
‑
0.5mm，POS3到晶圆边缘的距离为光刻胶待清洗宽度。
[0019]所述喷嘴在POS2和POS3之间反复移动，移动速度为10
‑
20次/s，移动一次的距离是指POS2到POS3之间的距离。
[0020]本专利技术的优点相比于现有技术的有益效果如下：
[0021]现有EBR(EBR：边缘清洗)结构为单独喷嘴喷液，结构单一，清洗速度慢，清洗效果较差。现有EBR喷嘴在晶圆固定位置清洗，清洗后会偶尔存在残留，清洗不彻底。对于厚度小于10μm的EBR清洗较好，大于10μm清洗效果随之光阻厚度的增加，清洗效果变差。
[0022]本专利技术优点为：
[0023]第一：提高EBR边缘清洗效率，缩短EBR清洗时间(时间最大可缩短一半) 提高Track涂胶工艺产能。
[0024]第二：提高EBR边缘清洗洁净度，保证边缘光阻完全去除。
[0025]第三：可以有效的去除10μm以上厚胶光阻。
附图说明
[0026]图1为本专利技术晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法示意图。
[0027]图中：1
‑
喷嘴支撑臂，2
‑
喷嘴基座，3
‑
EBR喷嘴，4
‑
晶圆，5
‑
光刻胶去除区域(EBR 清洗区域)，6
‑
EBR喷嘴移动区域。
具体实施方式
[0028]为了进一步理解本专利技术，以下结合实例对本专利技术进行描述，但实例仅为对本实用专利技术的特点和优点做进一步阐述，而不是对本专利技术权利要求的限制。
[0029]本专利技术提供一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，该方法是利用双喷头涂胶装置进行。如图1所示，所述双喷头涂胶装置包括旋转基座、喷嘴基座2、EBR喷嘴3和喷嘴支撑臂1；其中：所述旋转基座上放置晶圆，并能带动晶圆高速旋转；所述EBR喷嘴3设于晶圆4上方，并能沿晶圆径向移动，EBR喷嘴3固定于喷嘴基座2上，喷嘴基座2连接喷嘴支撑臂1，由喷嘴支撑臂1带动EBR喷嘴3移动，对EBR清洗区域5进行去除。
[0030]所述喷嘴支撑臂1与晶圆边缘处的切线方向相平行；所述EBR喷嘴3为两个，两个EBR喷嘴的连线与晶圆边缘处的切线方向相平行，两个喷嘴之间的距离为 2mm
‑
4mm。EBR喷嘴移动区域6为图1中POS1
‑
POS3。
[0031]两个喷嘴的喷液方向为沿晶圆直径方向向外45
°
。
[0032]利用上述涂胶装置进行的晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，该方法包括如下步骤：
[0033](1)晶圆放置在旋转基座上，进行高速旋转。
[0034](2)EBR喷嘴3移动至晶圆边缘外侧POS1位置(晶圆外Dummy位)后，开启 EBR喷嘴3，单喷嘴流量13
‑
20ml/min，双喷嘴流量则为25
‑
40ml/min。
[0035](3)开启EBR洗边工艺，将EBR喷嘴3在晶圆上POS3与晶圆上POS2之间往复高速移
动，移动速度为10
‑
20次/s，进行快速的洗边工艺；切边宽度1mm(即POS3 到晶圆边缘距离)，POS2到边缘距离为0.3
‑
0.5mm。
[0036](4)EBR洗边工艺结束后，喷嘴移动至POS1位置进行关闭EBR喷头。(此位置在晶圆外侧，若在晶圆内关液会导致晶圆边缘溅影缺陷)
[0037](5)EBR喷嘴关液后，将喷嘴支撑臂移动回初始位置。进行高速甩干EBR残余液体。
[0038]下表1为EBR清洗示例及清洗效果：
[0039]表1
[0040][0041]现有EBR清洗是指单喷嘴且在固定位置清洗的方式。
[0042]本专利技术方法采用双喷嘴喷液设计方案，在保证单只喷嘴出液量不变的情况下，增加一倍的液量，更加快速的去除光阻；同时EBR喷嘴进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，其特征在于：该方法是利用双喷头涂胶装置进行；所述双喷头涂胶装置包括旋转基座、喷嘴基座、EBR喷嘴和喷嘴支撑臂；其中：所述旋转基座上放置晶圆，并能带动晶圆高速旋转；所述EBR喷嘴设于晶圆上方，并能沿晶圆径向移动，EBR喷嘴固定于喷嘴基座上，喷嘴基座连接喷嘴支撑臂，由喷嘴支撑臂带动EBR喷嘴移动。2.根据权利要求1所述的晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，其特征在于：所述喷嘴支撑臂与晶圆边缘处的切线方向相平行；所述EBR喷嘴为两个，两个EBR喷嘴的连线与晶圆边缘处的切线方向相平行，两个喷嘴之间的距离为2mm
‑
4mm。3.根据权利要求2所述的晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，其特征在于：两个喷嘴的喷液方向为沿晶圆直径方向向外45
°
，EBR喷嘴沿晶圆直径方向移动。4.根据权利要求1
‑
3任一所述的晶圆边缘双喷头快速去除光阻方法，其特征在于：所述快速去除光阻方法包括如下步骤：(1)晶圆放置在旋转基座上，进行高速旋转。(2)EBR喷嘴3移动至...

【专利技术属性】
技术研发人员：王延明，胡苏，邢栗，张德强，孙会权，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：