一种减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，属于LED制造领域。该方法在加大涂胶过程中的排风值的同时，增加喷胶前晶圆边缘溶剂润洗过程，在保证胶膜厚度的均匀性基础上，降低了排风增大导致均匀性变差的问题、减小了晶圆平边部位风纹宽度、节约了光刻胶；使平边风纹宽度由864μm宽降到457μm以内，降低了晶圆无效区、提高了晶圆利用率、降低了产品成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led制造领域，具体涉及一种减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺。

技术介绍

1、在led制造领域，pss(图形化蓝宝石衬底)工艺产品生产过程中，先将入厂晶圆进行清洗，去除表面颗粒，然后进行涂胶，曝光，显影，在晶圆表面形成光刻胶图案。之后将检查合格的晶圆送到刻蚀部门进行刻蚀工艺，干法刻蚀主要是根据光刻胶图案将光刻胶连同底部蓝宝石材料一起刻蚀掉，在平整的蓝宝石晶圆上留下图案。由于led产业下滑，pss工艺生产的每一片衬底需要减小无效区的面积，提高晶圆利用率，降低产品成本。pss工艺生产过程中，涂胶这道工序中，平边结构晶圆的平边处容易产生风纹，造成刻蚀不良形成无效区，增加pss工艺产品成本。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中存在的上述不足之处，本专利技术的目的在于提供一种减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，该方法在加大涂胶过程中的排风值的同时，增加喷胶前晶圆边缘溶剂润洗过程；在保证胶膜厚度的均匀性基础上，降低了排风增大导致均匀性变差的影响，减小了涂胶风纹宽度，提高了产品良率，节约了光刻胶，使得平边风纹由8本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，其特征在于：该方法具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，其特征在于：步骤(1)中涂胶腔室排风参数为70～400Pa。

3.根据权利要求1所述的减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，其特征在于：步骤(2)中预处理过程为：将晶圆置于涂胶腔承片台上，承片台转速设置为3000rmp以上，旋转1～10s；承片台转速不变，溶剂背洗，旋转1～6s；停止喷洒溶剂，承片台转速不变，旋转1～10s，甩干；承片台转速调整为80～150rmp；在晶圆边缘位置喷洒溶剂，流量为0.2～2ml，流速为0.1～1ml/s，旋...

【技术特征摘要】

1.一种减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，其特征在于：该方法具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，其特征在于：步骤(1)中涂胶腔室排风参数为70～400pa。

3.根据权利要求1所述的减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，其特征在于：步骤(2)中预处理过程为：将晶圆置于涂胶腔承片台上，承片台转速设置为3000rmp以上，旋转1～10s；承片台转速不变，溶剂背洗，旋转1～6s；停止喷洒溶剂，承片台转速不变，旋转1～10s，甩干；承片台转速调整为80～150rmp；在晶圆边缘位置喷洒溶剂，流量为0.2～2ml，流速为0.1～1ml/s，旋转1～10s。

4.根据权利要求1所述的减小晶圆平边部位风纹宽度的工艺，其特征在于：步骤(3)中，进行光刻胶涂覆时，根据实际需求设置打胶量、打胶速率及转速。

5....

【专利技术属性】
技术研发人员：李成华，李庆斌，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：