晶圆扇出型封装方法和结构技术

本公开提供的一种晶圆扇出型封装方法和结构，涉及半导体封装技术领域。该晶圆扇出型封装方法包括：提供具有第一涂层的晶圆；其中，第一涂层包括覆盖部和超出晶圆边缘预设距离的去胶部。在去胶部上形成微纳结构；采用旋涂工艺在第一涂层上形成光刻胶；光刻胶在微纳结构上的张力小于在覆盖部上的张力，以使微纳结构上的光刻胶在离心力作用下脱离第一涂层。该方法能在旋涂过程中自动去除边缘的光刻胶，省去了后续的边缘胶清洗工艺，工艺步骤简单，边缘胶去除效果好，封装效率高。封装效率高。封装效率高。

【技术实现步骤摘要】
晶圆扇出型封装方法和结构


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体而言，涉及一种晶圆扇出型封装方法和结构。

技术介绍

[0002]在扇出型封装工艺中，通常会使用光刻工艺，即先旋涂一层光刻胶，再进行曝光、显影形成图案化开口。后续会对光刻胶进行移除，尤其是位于晶圆边缘的光刻胶，难以去除。为了对晶圆边缘的光刻胶进行清除，大多采用以下方式：第一，使用喷洒去胶液的方式进行晶圆的边缘胶移除。这种方式中，去胶液的喷洒形状以及喷嘴的高度和喷嘴压力，需要常常调整，操作麻烦，难于控制。
[0003]第二，将晶圆边缘刻蚀一凹槽，在光刻胶旋涂后，可将边缘多余的光刻胶埋入凹槽内。这种方式可能有多余的光刻胶溢出，并且仅适用在第一层光刻工艺中，对于其它层的光刻工艺，无法适用。
[0004]第三，在光刻胶的涂布机构上新增一个圆环片，控制旋转步骤及转速，使光刻胶由于离心力延伸至圆环片，这样晶圆边缘光刻胶的最高厚度累积在圆环片上。但这种方式需要确保圆环片的表面粗造度与晶圆当下工艺匹配，加工困难，圆环片与晶圆之间的间隙以及平坦度等难控制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆扇出型封装方法，其特征在于，包括：提供具有第一涂层（140）的晶圆（120）；其中，所述第一涂层（140）包括覆盖所述晶圆（120）的覆盖部（141）和超出所述晶圆（120）边缘预设距离的去胶部（143）；在所述去胶部（143）上形成微纳结构（145）；采用旋涂工艺在所述第一涂层（140）上形成光刻胶（150）；所述光刻胶（150）在所述微纳结构（145）上的张力小于在所述覆盖部（141）上的张力，以使所述微纳结构（145）上的光刻胶（150）在离心力作用下脱离所述第一涂层（140）。2.根据权利要求1所述的晶圆扇出型封装方法，其特征在于，提供具有第一涂层（140）的晶圆（120）的步骤包括：提供具有衬底（110）的晶圆（120）；在晶圆（120）上形成第一涂层（140）。3.根据权利要求2所述的晶圆扇出型封装方法，其特征在于，在晶圆（120）上形成第一涂层（140）的步骤包括：在所述晶圆（120）上形成介电层（130）；在所述介电层（130）上形成所述第一涂层（140）。4.根据权利要求3所述的晶圆扇出型封装方法，其特征在于，在所述介电层（130）上形成所述第一涂层（140）的步骤包括：采用沉积工艺在所述介电层（130）上形成所述第一涂层（140）。5.根据权利要求3所述的晶圆扇出型封装方法，其特征在于，所述第一涂层（140）包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：康志龙，姚大平，
申请(专利权)人：江苏中科智芯集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：