【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谱波形的控制方法、激光装置、曝光装置和电子器件的制造方法
[0001]本公开涉及谱波形的控制方法、激光装置、曝光装置和电子器件的制造方法。
技术介绍
[0002]近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。
[0003]KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽,大约为350~400pm。因此,在利用使KrF和ArF激光这样的紫外线透过的材料构成投影透镜时,有时会产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrowing Module:LNM)。下面,将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:国际公开第2002/073670号
[0007]专利文献2:美国专利申请公开第2011/200922号说明书
技术实现思路
[0008]本公开的1个观点的谱波形的控制方法是从激光装置输出到曝光装置的激光的谱波形的控制方法,其中,控制方法包含以下步 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种控制方法,其是从激光装置向曝光装置输出的激光的谱波形的控制方法,其中,所述控制方法包含以下步骤:取得所述曝光装置的纵向色差;使用所述纵向色差与所述谱波形的评价值之间的关系设定所述评价值的目标值;以及使用所述目标值对所述谱波形进行控制。2.根据权利要求1所述的控制方法,其中,取得所述纵向色差的步骤包含以下步骤:所述激光装置将具有第1波长的激光输出到所述曝光装置;所述激光装置从所述曝光装置接收基于所述第1波长的第1焦点位置;所述激光装置将具有与所述第1波长不同的第2波长的激光输出到所述曝光装置;所述激光装置从所述曝光装置接收基于所述第2波长的第2焦点位置;以及使用所述第1波长和所述第2波长以及所述第1焦点位置和所述第2焦点位置计算所述纵向色差。3.根据权利要求1所述的控制方法,其中,取得所述纵向色差的步骤包含以下步骤:所述曝光装置将设定第1波长的设定信号发送到所述激光装置;所述曝光装置计测基于所述第1波长的第1焦点位置;所述曝光装置将设定与所述第1波长不同的第2波长的设定信号发送到所述激光装置;所述曝光装置计测基于所述第2波长的第2焦点位置;以及使用所述第1波长和所述第2波长以及所述第1焦点位置和所述第2焦点位置计算所述纵向色差。4.根据权利要求1所述的控制方法,其中,取得所述纵向色差的步骤包含以下步骤:使用第1波长、第1焦点位置、与所述第1波长不同的第2波长、以及第2焦点位置计算所述纵向色差,所述第1焦点位置是使具有所述第1波长的激光入射到所述曝光装置的情况下的所述曝光装置中的焦点位置,所述第2焦点位置是使具有所述第2波长的激光入射到所述曝光装置的情况下的所述曝光装置中的焦点位置。5.根据权利要求4所述的控制方法,其中,取得所述纵向色差的步骤包含以下步骤:取得所述第1焦点位置与第2焦点位置之差相对于所述第1波长与第2波长之差的比率。6.根据权利要求1所述的控制方法,其中,所述关系被规定为,与所述纵向色差的变化对应的对比度的变化比使所述评价值固定的情况下的所述对比度的变化小。7.根据权利要求1所述的控制方法,其中,所述关系被规定为,所述评价值与指数为1以上的所述纵向色差的幂成反比。8.根据权利要求1所述的控制方法,其中,所述关系被规定为,所述评价值与所述纵向色差的平方成反比。9.根据权利要求1所述的控制方法,其中,所述关系被存储于将所述纵向色差和所述评价值对应起来的表。
10.根据权利要求1所述的控制方法,其中,所述控制方法还包含以下步骤:根据从所述激光装置输出的激光的干涉图案取得计测波形;以及使用所述计测波形计算所述评价值,使用所述评价值和所述目标值对所述谱波形进行控制。11.根据权利要求10所述的控制方法,其中,使用所述计测波形计算表示波长与光强度之间的关系的所述谱波形,计算所述谱波形的波长区域中所包含的代表波长,使用针对所述波长区域对相对于所述代表波...
【专利技术属性】
技术研发人员:古卷贵光,大贺敏浩,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:
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