【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器(capacitor)，特别是涉及一种具有掺杂介电层(doped dielectric)的薄膜电容器(thin film capacitor)。
技术介绍
参阅图1，显示有一种三层结构的现有电容器1，包含一个第一电极11、一个与 该第一电极11相反设置的第二电极12，及一层夹置于该等电极11、12间且是由绝缘材料 (insulator)所构成的介电层(dielectriclayer) 13。如以下公式(I)所示C-rA<formula>formula see original document page 3</formula>]...................................................(Ι)该三层结构的现有电容器1的电容值(capacitance，C)是正比于任意一个电极 11、12的面积(A)与该介电层13的介电系数(permittivity，ε )，而且是反比于该介电层 13的厚度(d)。一般而言，经由增加任意一个电极11、12的面积㈧与该介电层13的介电 系数(ε ...
【技术保护点】
一种薄膜电容器，包含：一个第一电极；一个与该第一电极相对立设置的第二电极；及一层夹置于该第一、二电极间的介电膜层结构；其特征在于：该介电膜层结构具有一层经掺杂的介电层，该经掺杂的介电层具有一大于零且小于１０↑［１０］原子／ｃｍ↑［３］的掺杂浓度的掺杂物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶家福，
申请(专利权)人：源泰投资股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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