晶片载放台制造技术

本发明专利技术提供一种晶片载放台，其能够抑制晶片的端子孔的正上方附近成为温度特异点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、供电端子(54)、以及供电端子孔(36)。陶瓷基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于陶瓷基材(20)的下表面，且形成有制冷剂流路(32)。供电端子(54)与电极(26)连接。供电端子孔(36)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)，且对供电端子(54)进行收纳。供电端子孔(36)与制冷剂流路(32)交叉。供电端子孔(36)与制冷剂流路(32)交叉。供电端子孔(36)与制冷剂流路(32)交叉。

【技术实现步骤摘要】
晶片载放台


本专利技术涉及晶片载放台。

技术介绍

以往，已知有将内置有电极的陶瓷基材和内部形成有制冷剂流路的冷却基材进行接合而得到的晶片载放台。专利文献1中，作为上述晶片载放台，公开了用于向电极供电的构成。具体而言，在沿着上下方向贯穿冷却基材的供电端子孔内配置绝缘管，使供电端子在该绝缘管内穿过，并将该供电端子与电极连接。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2021
‑
64661号公报

技术实现思路

然而，供电端子孔为了配置绝缘管而具有比较大的直径，并且，需要以避开制冷剂流路的方式进行设置，因此，晶片中，端子孔的正上方附近与其他部分相比，排热较差，有时成为温度特异点(高温点)。本专利技术是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，抑制晶片的供电端子孔的正上方附近成为温度特异点。
[0001]本专利技术的晶片载放台具备：陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有晶片载放面，且内置有电极；冷却基材，该冷却基材接合于所述陶瓷基材的下表面，且形成有制冷剂流路；供电端子，该供电端子与所述电极连接；以及供电端子孔，该供电端子孔沿着上下方向贯穿所述冷却基材，且对所述供电端子进行收纳，所述供电端子孔与所述制冷剂流路交叉。该晶片载放台中，供电端子孔与制冷剂流路交叉。因此，不需要以避开供电端子孔的方式设置制冷剂流路。所以，能够抑制晶片的供电端子孔的正上方附近成为温度特异点。应予说明，本说明书中，有时采用上下、左右、前后等对本专利技术进行说明，不过，上下、左右、前后只不过是相对的位置关系。因此，在改变了晶片载放台的朝向的情况下，有时上下变为左右、左右变为上下，这种情形也包含在本专利技术的技术范围中。另外，“制冷剂流路”可以为在冷却基材的内部所设置的制冷剂流路，也可以为在冷却基材的上表面或下表面所设置的制冷剂流路沟。
[0002]本专利技术的晶片载放台(上述[1]所述的晶片载放台)中，所述制冷剂流路中可以被供给电绝缘性的液体。据此，即便冷却基材具有导电性，供电端子也会因电绝缘性的液体而与冷却基材绝缘。
[0003]本专利技术的晶片载放台(上述[1]或[2]所述的晶片载放台)中，在所述供电端子孔中
可以配置有供所述供电端子穿过且对所述供电端子进行支撑的绝缘管。据此，供电端子支撑于绝缘管，因此，能够防止供电端子被制冷剂流按压而折损。另外，能够提高冷却基材和供电端子的耐电压。
[0004]本专利技术的晶片载放台(上述[3]所述的晶片载放台)中，所述绝缘管的上端可以固定于所述陶瓷基材，所述绝缘管的侧面可以具有与所述供电端子孔的内壁抵接或接近的凸部。据此，能够通过凸部来限制对供电端子进行支撑的绝缘管在供电端子孔内移动。
[0005]本专利技术的晶片载放台(上述[1]～[4]中的任一项所述的晶片载放台)中，所述冷却基材可以为单层结构。据此，不需要粘贴冷却基材来制造，因此，能够降低冷却基材的制造成本。
[0006]冷却基材为单层结构的本专利技术的晶片载放台(上述[5]所述的晶片载放台)中，所述制冷剂流路可以具有在所述冷却基材的上表面或下表面所设置的制冷剂流路沟。例如，在冷却基材的上表面具有制冷剂流路沟的情况下，将制冷剂流路沟的上表面以陶瓷基材(或将陶瓷基材和冷却基材进行接合的接合层)覆盖而形成制冷剂流路。另外，在冷却基材的下表面具有制冷剂流路沟的情况下，将制冷剂流路沟的下表面以板部件(例如设置板)覆盖而形成制冷剂流路。
[0007]本专利技术的晶片载放台(上述[1]～[6]中的任一项所述的晶片载放台)中，所述制冷剂流路可以具备俯视时分别从一端至另一端按一笔画的要领设置的多个线条，所述供电端子孔可以设置于所述多个线条中的1个以上。
附图说明
图1是设置于腔室94的晶片载放台10的纵向截面图。图2是晶片载放台10的俯视图。图3是表示供电端子孔36的周边的放大截面图。图4是晶片载放台10的制造工序图。图5是表示省略了绝缘管55的供电端子孔36的周边的放大截面图。图6是晶片载放台210的纵向截面图。图7是晶片载放台310的纵向截面图。图8是晶片载放台10的另一例的俯视图。附图标记说明10
…
晶片载放台，12
…
聚焦环，20
…
陶瓷基材，22
…
中央部，22a
…
晶片载放面，24
…
外周部，24a
…
聚焦环载放面，26
…
晶片吸附用电极，27
…
孔，30
…
冷却基材，32
…
制冷剂流路，34
…
凸缘部，36
…
供电端子孔，40
…
金属接合层，42
…
绝缘膜，52
…
晶片吸附用直流电源，54
…
供电端子，55
…
绝缘管，55a
…
凸部，56
…
供电棒，62
…
RF电源，64
…
供电端子，70
…
夹紧部件，70a
…
内周台阶面，72
…
螺栓，76、77
…
密封圈，78
…
O形环，94
…
腔室，95
…
喷头，96
…
设置板，97
…
贯通孔，110
…
接合体，120
…
陶瓷烧结体，130
…
圆形块体，131、133
…
圆板部件，132
…
沟，136a、136b
…
贯通孔，210
…
晶片载放台，230
…
冷却基材，232
…
制冷剂流路，236
…
供电端子孔，282
…
制冷剂流路沟，310
…
晶片载放台，330
…
冷却基材，332
…
制冷剂流路，336
…
供电端子孔，382
…
制冷剂流路沟，432
…
制冷剂流路，432a
…
第一线条，432b
…
第二线条。
具体实施方式
以下，参照附图，对本专利技术的优选实施方式进行说明。图1是设置于腔室94的晶片载放台10的纵向截面图(沿包含晶片载放台10的中心轴在内的面切断时的截面图)，图2是晶片载放台10的俯视图，图3是表示供电端子孔36的周边的放大截面图。晶片载放台10是为了利用等离子体对晶片W进行CVD、刻蚀等而采用的部件，其固定于在半导体处理用的腔室94的内部所设置的设置板96。晶片载放台10具备：陶瓷基材20、冷却基材30、以及金属接合层40。陶瓷基材20在具有圆形的晶片载放面22a的中央部22的外周具备具有环状的聚焦环载放面24a的外周部24。以下，聚焦环有时简称为“FR”。在晶片载放面22a载放有晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片载放台，具备：陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有晶片载放面，且内置有电极；冷却基材，该冷却基材接合于所述陶瓷基材的下表面，且形成有制冷剂流路；供电端子，该供电端子与所述电极连接；以及供电端子孔，该供电端子孔沿着上下方向贯穿所述冷却基材，且对所述供电端子进行收纳，所述供电端子孔与所述制冷剂流路交叉。2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其中，所述制冷剂流路中被供给电绝缘性的液体。3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其中，在所述供电端子孔中配置有供所述供电端子穿过且对所述供电端子进行支撑的绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：久野达也，井上靖也，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：