转接板的制备方法及转接板技术

本发明专利技术涉及一种转接板的制备方法及转接板。转接板的制备方法包括：提供初始子转接板，初始子转接板包括相对的第一表面及第二表面；于初始子转接板靠近第一表面的内部形成多个第一互连结构，各第一互连结构的第一端面与第一表面相齐平；于初始子转接板靠近第二表面的内部形成多个第一盲孔，以形成子转接板；各第一盲孔与各第一互连结构一一对应，各第一盲孔暴露出各第一互连结构的第二端面；提供两个子转接板，并将两个子转接板的第一表面相键合；于相键合的两个子转接板的各第一盲孔内形成第二互连结构，各第二互连结构与各第一互连结构的第二端面一一对应接触。采用本方法能够提高转接板的质量。高转接板的质量。高转接板的质量。

【技术实现步骤摘要】
转接板的制备方法及转接板


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种转接板的制备方法及转接板。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，为了集成不同的半导体器件（例如射频元器件），需要用到转接板作为承载工具。并且为了使得不同厚度的芯片都能在转接板表面做平贴或者嵌入，往往需要很厚的转接板（例如，厚度超过400um），这就需要转接板内用于上下互连的硅通孔（Through Silicon Via，TSV）的深度也必须要等于转接板的厚度。
[0003]相关技术中，通常采用一次成型工艺于TSV内填充互连材料，然而，由于TSV的深度较大，因此TSV内的互连材料很难完全填充在TSV内，其中间会有空心的部分，从而导致相关技术中的转接板的质量较差。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对相关技术中的转接板的质量较差的问题提供一种转接板的制备方法及转接板。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种转接板的制备方法，包括：提供初始子转接板，所述初始子转接板包括相对的第一表面及第二表面；于所述初始子转接板靠近所述第一表面的内部形成多个第一互连结构，各所述第一互连结构的第一端面与所述第一表面相齐平；于所述初始子转接板靠近所述第二表面的内部形成多个第一盲孔，以形成子转接板；各所述第一盲孔与各所述第一互连结构一一对应，各所述第一盲孔暴露出各所述第一互连结构的第二端面；提供两个所述子转接板，并将两个所述子转接板的第一表面相键合，以使两个所述子转接板内的各所述第一互连结构的第一端面一一对应接触；于相键合的两个所述子转接板的各所述第一盲孔内形成第二互连结构，各所述第二互连结构与各所述第一互连结构的第二端面一一对应接触。
[0006]上述转接板的制备方法，通过提供初始子转接板，所述初始子转接板包括相对的第一表面及第二表面；于所述初始子转接板靠近所述第一表面的内部形成多个第一互连结构，各所述第一互连结构的第一端面与所述第一表面相齐平；于所述初始子转接板靠近所述第二表面的内部形成多个第一盲孔，以形成子转接板；各所述第一盲孔与各所述第一互连结构一一对应，各所述第一盲孔暴露出各所述第一互连结构的第二端面；提供两个所述子转接板，并将两个所述子转接板的第一表面相键合，以使两个所述子转接板内的各所述第一互连结构的第一端面一一对应接触；于相键合的两个所述子转接板的各所述第一盲孔内形成第二互连结构，各所述第二互连结构与各所述第一互连结构的第二端面一一对应接触，其中两个子转接板可以共同构成一个转接板，两个子转接板的第一盲孔以及第二盲孔可以共同构成转接板的硅通孔。由于在形成第二互连结构时，硅通孔内已经填充了一部分
的第一互连结构，因此能够大大降低形成第二互连结构的工艺难度，避免相关技术中的一次成型工艺带来的互连材料的空心问题，从而能够提高转接板的质量。
[0007]在其中一个实施例中，所述于所述初始子转接板靠近所述第一表面的内部形成多个第一互连结构，包括：于所述初始子转接板的第一表面之上形成第一光刻胶层；设计第一光罩，并基于所述第一光罩对所述第一光刻胶层进行曝光以及显影处理，以形成第一图形化光刻胶层；所述第一图形化光刻胶层包括多个第一开口；基于各所述第一开口刻蚀所述初始子转接板的第一表面，以于所述初始子转接板内形成多个第二盲孔；各所述第二盲孔的位置与各所述第一开口的位置一一对应；于各所述第二盲孔内形成所述第一互连结构。
[0008]在其中一个实施例中，所述于所述初始子转接板靠近所述第二表面的内部形成多个第一盲孔，包括：于所述初始子转接板的第二表面上形成第二光刻胶层；设计第二光罩，并基于所述第二光罩对所述第二光刻胶层进行曝光以及显影处理，以形成第二图形化光刻胶层；所述第二图形化光刻胶层包括多个第二开口，各所述第二开口的位置与各所述第一开口的位置一一对应；基于各所述第二开口刻蚀所述初始子转接板的第二表面，以于所述初始子转接板内形成多个所述第一盲孔，其中，各所述第一盲孔暴露出各所述第一互连结构的第二端面。
[0009]在其中一个实施例中，所述于所述初始子转接板靠近所述第二表面的内部形成多个第一盲孔，包括：于所述初始子转接板的第二表面上形成第二光刻胶层；基于所述第一光罩对所述第二光刻胶层进行曝光以及显影处理，以形成第二图形化光刻胶层；所述第二图形化光刻胶层包括多个第二开口，各所述第二开口的位置与各所述第一开口的位置一一对应；基于各所述第二开口刻蚀所述初始子转接板的第二表面，以于所述初始子转接板内形成多个所述第一盲孔，其中，各所述第一盲孔暴露出各所述第一互连结构的第二端面。
[0010]在其中一个实施例中，所述于各所述第二盲孔内形成所述第一互连结构，包括：采用电镀工艺于各所述第二盲孔内形成所述第一互连结构。
[0011]在其中一个实施例中，所述于相键合的两个所述子转接板的各所述第一盲孔内形成第二互连结构，包括：采用电镀工艺于相键合的两个所述子转接板的各所述第一盲孔内同时形成第二互连结构。
[0012]在其中一个实施例中，所述方法还包括：提供另一所述子转接板，并将另一所述子转接板的第一表面与相键合的两个所述子转接板中的任意一个所述子转接板的第二表面相键合，以使得另一所述子转接板的各所述第一互连结构的第一端面与相键合的任意一个所述子转接板的各所述第二互连结构一一对应接触；于另一所述子转接板的各所述第一盲孔内形成第三互连结构，各所述第三互连结构与另一所述子转接板的各所述第一互连结构的第二端面一一对应接触。
[0013]第二方面，本专利技术还提供了另一种转接板的制备方法，包括：提供多个转接单元；所述转接单元包括采用如上述任一项实施例中所述的转接板的制备方法所制备出的相键合的子转接板；将各所述转接单元中的各子转接板的第二表面相键合，以形成转接板。
[0014]第三方面，本专利技术还提供了一种转接板，所述转接板包括至少一个转接单元，每个转接单元均包括第一子转接板以及第二子转接板，其中，所述第一子转接板以及所述第二子转接板均包括相对的第一表面及第二表面，所述第一子转接板以及所述第二子转接板靠近所述第一表面的内部均设有多个第一互连结构，所述第一子转接板以及所述第二子转接板靠近所述第二表面的内部均设有多个第二互连结构，所述第一子转接板以及所述第二子转接板内的多个所述第一互连结构均与多个所述第二互连结构一一对应接触设置；其中，所述第一子转接板的第一表面与所述第二子转接板的第一表面相键合。
[0015]上述转接板，包括至少一个转接单元，每个转接单元均包括第一子转接板以及第二子转接板，其中，所述第一子转接板以及所述第二子转接板均包括相对的第一表面及第二表面，所述第一子转接板以及所述第二子转接板靠近所述第一表面的内部均设有多个第一互连结构，所述第一子转接板以及所述第二子转接板靠近所述第二表面的内部均设有多个第二互连结构，所述第一子转接板以及所述第二子转接板内的多个所述第一互连结构均与多个所述第二互连结构一一对应接触设置；其中，所述第一子转接板的第一表面与所述第二子转接板的第一表面相键合。由于能够避免相关技术中的一次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转接板的制备方法，其特征在于，包括：提供初始子转接板，所述初始子转接板包括相对的第一表面及第二表面；于所述初始子转接板靠近所述第一表面的内部形成多个第一互连结构，各所述第一互连结构的第一端面与所述第一表面相齐平；于所述初始子转接板靠近所述第二表面的内部形成多个第一盲孔，以形成子转接板；各所述第一盲孔与各所述第一互连结构一一对应，各所述第一盲孔暴露出各所述第一互连结构的第二端面；提供两个所述子转接板，并将两个所述子转接板的第一表面相键合，以使两个所述子转接板内的各所述第一互连结构的第一端面一一对应接触；于相键合的两个所述子转接板的各所述第一盲孔内形成第二互连结构，各所述第二互连结构与各所述第一互连结构的第二端面一一对应接触。2.根据权利要求1所述的转接板的制备方法，其特征在于，所述于所述初始子转接板靠近所述第一表面的内部形成多个第一互连结构，包括：于所述初始子转接板的第一表面之上形成第一光刻胶层；设计第一光罩，并基于所述第一光罩对所述第一光刻胶层进行曝光以及显影处理，以形成第一图形化光刻胶层；所述第一图形化光刻胶层包括多个第一开口；基于各所述第一开口刻蚀所述初始子转接板的第一表面，以于所述初始子转接板内形成多个第二盲孔；各所述第二盲孔的位置与各所述第一开口的位置一一对应；于各所述第二盲孔内形成所述第一互连结构。3.根据权利要求2所述的转接板的制备方法，其特征在于，所述于所述初始子转接板靠近所述第二表面的内部形成多个第一盲孔，包括：于所述初始子转接板的第二表面上形成第二光刻胶层；设计第二光罩，并基于所述第二光罩对所述第二光刻胶层进行曝光以及显影处理，以形成第二图形化光刻胶层；所述第二图形化光刻胶层包括多个第二开口，各所述第二开口的位置与各所述第一开口的位置一一对应；基于各所述第二开口刻蚀所述初始子转接板的第二表面，以于所述初始子转接板内形成多个所述第一盲孔，其中，各所述第一盲孔暴露出各所述第一互连结构的第二端面。4.根据权利要求2所述的转接板的制备方法，其特征在于，所述于所述初始子转接板靠近所述第二表面的内部形成多个第一盲孔，包括：于所述初始子转接板的第二表面上形成第二光刻胶层；基于所述第一光罩对所述第二光刻胶层进行曝光以及显影处理，以形成第二图形化光刻胶层；所述第二图形化光刻胶层包括多个第二开口，各所述第二开口的位置与各所述第一开口的位置一一对应；基于各所述第二开口刻蚀所述初始子转接板的第二表面，以于所述初始子转接板内形成多个所述第一盲孔，其中，各所述第一盲孔暴露出各所述第一互连结构的第二端面。5.根据权利要求2所述的转接板的制备方法，其特征在于，所述于各所述第二盲孔内形成所述第一互连结构，包括：采用电镀工艺于各所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪松，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：