本发明专利技术公开了一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法，包括下列步骤：步骤1、制备芯片；步骤2、切割芯片，将步骤1得到的芯片进行切割，切割采用纵横切割方式，激光行走为纵横方向，切割得到目标尺寸的单个Mini LED芯片；步骤3、目标基板蚀刻，在目标基板上按照目标阵列N1X N2进行蚀刻，横向蚀刻N1条，纵向蚀刻N2条；步骤4、拿取芯片，采用机械臂一次性拿取数量为P的单个Mini LED芯片；步骤5、放置芯片，将拿取的P个单个Mini LED芯片放置于目标基板上被蚀刻隔断的矩形区域，采用对角放置，至完成制作Mini LED阵列；该方法在机械式转移单个Mini LED芯片制作Mini LED阵列时，采用矩阵对角式转移，减少视觉监测识别次数，有效的提高Mini LED阵列制作效率。LED阵列制作效率。LED阵列制作效率。
【技术实现步骤摘要】
一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法
[0001]本专利技术属于LED阵列显示器
，尤其涉及一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法。
技术介绍
[0002]现有的Mini LED阵列制作方法如下：
[0003]制备基板：选择合适的基板，如硅基板、玻璃基板等。在基板表面涂覆一层金属薄膜，用于形成电极。
[0004]印刷光阻：将光阻涂覆在基板上，并通过光刻技术，在光阻层上形成微小的图案，以定义Mini LED的位置和形状。
[0005]制备发光层：在已经印刷好的光阻图案上，使用化学气相沉积或物理气相沉积技术，将半导体材料沉积在光阻上，形成Mini LED的发光层。
[0006]制备背光源：将白色LED等光源固定在基板的背面，作为Mini LED的背光源。
[0007]转移：将制备好的Mini LED阵列从生长基板上剥离下来，并精确地转移到目标基板上。
[0008]封装测试：对转移后的Mini LED进行封装和测试，以确保其性能和可靠性。
[0009]而对于提高转移时确保Mini LED的位置和排列精度，一般采用机械手臂拿取摆放的机械式方法进行排列，但是常用的机械手臂拿取摆放需要使用视觉监测识别，以满足摆放时的精确度，因此需要在每摆放一个单个Mini LED芯片时需要进行一次视觉监测识别，这会降低Mini LED阵列制作的效率。
技术实现思路
[0010]本专利技术的目的在于提供一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法，该方法在机械式转移单个Mini LED芯片制作Mini LED阵列时，采用矩阵对角式转移，减少视觉监测识别次数，有效的提高Mini LED阵列制作效率。
[0011]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法，该使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法包括下列步骤：
[0012]步骤1、制备芯片；
[0013]步骤2、切割芯片，将步骤1得到的芯片进行切割，切割采用纵横切割方式，激光行走为纵横方向，切割得到目标尺寸的单个Mini LED芯片；
[0014]步骤3、目标基板蚀刻，在目标基板上按照目标阵列N1 X N2进行蚀刻，横向蚀刻N1条，纵向蚀刻N2条；
[0015]步骤4、拿取芯片，采用机械臂一次性拿取数量为P的单个Mini LED芯片；
[0016]步骤5、放置芯片，将拿取的P个单个Mini LED芯片放置于目标基板上被蚀刻隔断的矩形区域，采用对角放置，至完成制作Mini LED阵列。
[0017]本专利技术的一种优选方案，所述步骤1的具体操作步骤如下：
LED阵列的方法作详细说明。
[0034]一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法，本实施例中，采用下列步骤制作Mini LED阵列：
[0035]步骤1、制备芯片：
[0036]步骤101：蓝宝石基板制备：选取目标蓝宝石基板，制作呈规格矩形，各表面打磨平整。
[0037]步骤102：光刻工艺：将芯片图案形成在步骤101中的蓝宝石基板上，光刻胶在基板上涂覆成薄膜，然后使用光刻机将光刻胶曝光和显影，从而形成微米级别的芯片图案。
[0038]步骤103：气相沉积技术：将各种材料沉积在芯片表面，气相沉积技术用于在芯片表面制作红、绿、蓝LED，将气态材料加热至高温后，通过化学反应生成所需的材料，然后在芯片表面沉积材料，形成LED结构。
[0039]步骤104：金属化工艺：使用真空沉积或电子束蒸发技术将金属材料沉积在芯片表面，在LED芯片的正负极上分别沉积金属电极材料；
[0040]步骤105、在最上端的阴极材料层上通过封装保护玻璃板；
[0041]步骤106、将上述步骤105完成封装保护的芯片叠放，待用；
[0042]步骤2、切割芯片，将步骤1得到的芯片进行切割，切割采用纵横切割方式，激光行走为纵横方向，切割得到目标尺寸的单个Mini LED芯片，将所述步骤106中叠放的芯片按照单个Mini LED芯片的所需尺寸得到纵横向的切割次数及切割后移动的距离S1或S2，得到nS1 X nS2的矩形单个Mini LED芯片，其中n为大于0的整数，切割后，激光去除上端的封装玻璃保护板；
[0043]步骤3、目标基板蚀刻，在目标基板上按照目标阵列N1 X N2进行蚀刻，横向蚀刻N1条，纵向蚀刻N2条，选取目标基板为玻璃板，根据所述步骤1中切割得到的单个Mini LED芯片尺寸nS1 X nS2及目标所需阵列行列数量，横纵的方式蚀刻目标基板，使其隔断出单个Mini LED芯片的承载区域，承载区域与单个Mini LED芯片的尺寸一致；
[0044]步骤4、拿取芯片，采用机械臂一次性拿取数量为P的单个Mini LED芯片，机械臂同时拿取数量为步骤2中N1与N2中数值小的数量值的单个Mini LED芯片；
[0045]步骤5、放置芯片，将拿取的P个单个Mini LED芯片放置于目标基板上被蚀刻隔断的矩形区域，采用对角放置，机械臂旋转
±
45
°
后后进行视觉识别，置于目标基板上的承载区域，至完成制作Mini LED阵列。
[0046]其中具体的n为1，S1为10μm，S2为10μm，N1为2，N2为。
[0047]进而如图2所示，本实施例的具体步骤为：
[0048]步骤1、制备芯片：
[0049]步骤101：蓝宝石基板制备：选取目标蓝宝石基板，制作呈规格矩形，各表面打磨平整。
[0050]步骤102：光刻工艺：将芯片图案形成在步骤101中的蓝宝石基板上，光刻胶在基板上涂覆成薄膜，然后使用光刻机将光刻胶曝光和显影，从而形成微米级别的芯片图案。
[0051]步骤103：气相沉积技术：将各种材料沉积在芯片表面，气相沉积技术用于在芯片表面制作红、绿、蓝LED，将气态材料加热至高温后，通过化学反应生成所需的材料，然后在芯片表面沉积材料，形成LED结构。
[0052]步骤104：金属化工艺：使用真空沉积或电子束蒸发技术将金属材料沉积在芯片表面，在LED芯片的正负极上分别沉积金属电极材料；
[0053]步骤105、在最上端的阴极材料层上通过封装保护玻璃板；
[0054]步骤106、将上述步骤105完成封装保护的芯片叠放，待用；
[0055]步骤2、切割芯片，将步骤1得到的芯片进行切割，切割采用纵横切割方式，激光行走为纵横方向，切割得到目标尺寸的单个Mini LED芯片，将所述步骤106中叠放的芯片按照单个Mini LED芯片的所需尺寸得到纵横向的切割次数及切割后移动的距离为10μm，得到10μm X 10μm的矩形单个Mini LED芯片，切割后，激光去除上端的封装玻璃保护板；
[0056]步骤3、目标基板蚀刻，在目标基板上按照目标阵列2X 2进行蚀刻，横向蚀刻2条，纵向蚀刻本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤1、制备芯片；步骤2、切割芯片，将步骤1得到的芯片进行切割，切割采用纵横切割方式，激光行走为纵横方向，切割得到目标尺寸的单个Mini LED芯片；步骤3、目标基板蚀刻，在目标基板上按照目标阵列N1 X N2进行蚀刻，横向蚀刻N1条，纵向蚀刻N2条；步骤4、拿取芯片，采用机械臂一次性拿取数量为P的单个Mini LED芯片；步骤5、放置芯片，将拿取的P个单个Mini LED芯片放置于目标基板上被蚀刻隔断的矩形区域，采用对角放置，至完成制作Mini LED阵列。2.根据权利要求1所述的一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法，其特征在于，所述步骤1的具体操作步骤如下：步骤101：蓝宝石基板制备：选取目标蓝宝石基板，制作呈规格矩形，各表面打磨平整。步骤102：光刻工艺：将芯片图案形成在步骤101中的蓝宝石基板上，光刻胶在基板上涂覆成薄膜，然后使用光刻机将光刻胶曝光和显影，从而形成微米级别的芯片图案。步骤103：气相沉积技术：将各种材料沉积在芯片表面，气相沉积技术用于在芯片表面制作红、绿、蓝LED，将气态材料加热至高温后，通过化学反应生成所需的材料，然后在芯片表面沉积材料，形成LED结构。步骤104：金属化工艺：使用真空沉积或电子束蒸发技术将金属材料沉积在芯片表面，在LED芯片的正负极上分别沉积金属电极材料；步骤105、在最上端的阴极材料层上通过封装保护玻璃板；步骤106、将上述步骤105...
【专利技术属性】
技术研发人员：李金雄，周志强，
申请(专利权)人：深圳市鸿展光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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