具光阻挡层的微发光二极管显示面板制造技术

一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，包含：一基板；一电极层，具有数个电极，形成于该基板上，定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一光阻挡层，以黑色负型光阻形成于各所述微发光二极管之间的间隔，该光阻挡层构成数个像素区，以定义各所述像素；其中，该光阻挡层运用激光直写曝光技术以一实体虚拟光罩制作，并且，各所述像素区中的部分，对应于各所述微发光二极管的粘着状态而对应呈歪斜状态。运用激光直写曝光与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。降低工艺成本等特殊技术功效。降低工艺成本等特殊技术功效。

【技术实现步骤摘要】
具光阻挡层的微发光二极管显示面板


[0001]本专利技术关于一种微发光二极管技术，特别关于一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板。

技术介绍

[0002]微发光二极管显示器(Micro Light Emitting Diode Display, μLED)是一种将微发光二极管作为显示器的光发射元件的新世代显示器。此技术是将LED薄膜化、微小化、阵列化至单一LED尺寸仅在1~10μm等级，再将μLED批量式移转至电路基板上，进行表面粘着后，与电路基板上的电极与电晶体、上电极、保护层等共同构成微发光二极管显示器所需的μLED面板。
[0003]μLED具有自发光、低功耗、响应时间快、高亮度、超高对比、广色域、广视角、 超轻薄、使用寿命长与适应各种工作温度的诸多优异特性，相较于 LCD 与 OLED，μLED的技术规格具有压倒性的优势。
[0004]然而，μLED于晶粒巨量移转并贴合至含电极的基板10之后，在个别晶粒发光过程中会有侧向混光与基板反射的问题，这两个状况均可能会导致像素不清晰、对比度降低等问题。因此，先前技术已采取黑矩阵（Black Matrix）的制作，来解决此一技术问题。
[0005]然而，在实际量产的过程，晶粒巨量移转的过程，难免有歪斜或晶粒摆设不均匀的问题，这导致了晶粒巨量移转过程良率无法提高。因为，若预先制作好黑矩阵，再进行巨量移转时，若晶粒摆设歪斜时，就必须进行晶粒重新校准。此外，在后续的维修上，亦可能反过来因为黑矩阵的隔绝，而造成更换晶粒不易的问题。
[0006]此外，黑矩阵的制作采用曝光显影的方法，必须预先准备光罩，当发生巨量移转过程时的晶粒歪斜问题时，光罩的准确性反而会导致量产良率过低的进一步问题。
[0007]因此，如何以提高量产良率、解决可能歪斜的晶粒摆置，进而制作出合适的黑矩阵结构，成为μLED技术发展的一个重要研发方向。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于，提供一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，运用激光直写曝光（Laser Direct Imaging, LDI）与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。
[0009]本专利技术提供一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，包含：一基板；一电极层，具有数个电极，形成于该基板上，定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一光阻挡层，以黑色负型光阻形成于各所述微发光二极管之间的间隔，该光阻挡层构成数个像素区，以定义各所述像素；其中，该光阻挡层运用激光直写曝光技术以一实体虚拟光罩制作，并且，各所述像素区中的部分，对应于各所述微发光二极管的粘着状态而对应呈歪斜状态。
[0010]可选地，该光阻挡层的厚度介于10~60微米之间，高于该电极层与该微发光二极管层所加起来的厚度。
[0011]可选地，各所述微发光二极管与该光阻挡层的间距小于1微米。
[0012]可选地，更包含：一量子点层，形成于该像素区中；该量子点层、该电极层与该微发光二极管层所加起来的厚度小于该光阻挡层的厚度。
[0013]可选地，该量子点层用涂布或滴灌、喷墨、点胶的方式形成。
[0014]可选地，各所述微发光二极管与该光阻挡层的间距小于3微米。
[0015]本专利技术运用激光直写曝光（Laser Direct Imaging, LDI）与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。
附图说明
[0016]图1，为本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的实施例的流程图。
[0017]图2A至图2H，分别为本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的实施例的流程中，各制作阶段的剖面示意图、成品上视图。
[0018]图中：2、3：局部；10：基板；30：负型光阻层；31
‑1‑
1、31
‑1‑
2、31
‑1‑
3、31
‑1‑
4、31
‑1‑
5、31
‑1‑
6：像素区；50：激光直写曝光头；51：激光；201
‑3‑
1、201
‑3‑
2、201
‑3‑
3：电极层；301
‑1‑
1、301
‑1‑
2、301
‑1‑
3：微发光二极管；401
‑3‑
1：量子点层。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。
[0020]根据本专利技术的实施例，本专利技术运用激光直写曝光（Laser Direct Imaging）与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。
[0021]接着，请参考图1及图2A
‑
图2H，本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的另一实施例的流程图与各制作阶段的剖面示意图、成品上视图，其中，本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法包含：步骤S111：对制作好数个微发光二极管的基板进行光学影像扫描与演算并产生一实体虚拟光罩。借由本步骤的执行，可以掌握已经制作好的微发光二极管的基板10当中，每个微发光二极管经过巨量移转的结果。其中，微发光二极管的分配如图2F所示，像素依序排列为RGB像素，分别为图2F中像素区31
‑1‑
1、像素区31
‑1‑
2、像素区31
‑1‑
3、像素区31
‑1‑
4、像素区31
‑1‑
5、像素区31
‑1‑
6，图2F即为实体虚拟光罩的配置图。其中，电极层201
‑3‑
1，以及形成于其上已完成电连接的微发光二极管301
‑3‑
1，其上视图为图2H的状态（该图式为最终的完成图）。可以发现，图2H为像素区31
‑1‑
3中的微发光二极管有歪斜的示意图，当如此
的歪斜情形发生时，本步骤可借由实际拍摄的照片所制作的实体虚拟光罩来校正光罩。换言之，每个实体虚拟光罩均为每个晶圆的客制化产品，可以大幅提高黑矩阵的制作良率。并且，由于运用了实体虚拟光罩，所以，可以降低实体光罩的花费，进而降低生产成本。其中，实体虚拟光罩的产生方式为光学影像扫描与演算，可通过多种方式来进行，例如，通过高解析度的光学摄影机、激光或者红外线等方式进行扫描，再将每个微发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，包含：一基板；一电极层，具有数个电极，形成于该基板上，定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一光阻挡层，以黑色负型光阻形成于各所述微发光二极管之间的间隔，该光阻挡层构成数个像素区，以定义各所述像素，每个该像素区包含一个该微发光二极管；其中，该光阻挡层运用激光直写曝光技术以一实体虚拟光罩制作，并且，各所述像素区中的部分，对应于各所述微发光二极管的粘着状态而对应呈歪斜状态。2.如权利要求1所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该光阻挡层的厚度介于10~60微米之间，高于该电极层与该微...

【专利技术属性】
技术研发人员：许铭案，
申请(专利权)人：许铭案，
类型：发明
国别省市：