一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法，包含：对制作好数个微发光二极管的一基板进行光学影像扫描与演算并产生一实体虚拟光罩，该实体虚拟光罩定义每个微发光二极管为一像素区；于该基板上形成一负型光阻层，该负型光阻层的厚度大于每个该微发光二极管的厚度；以该实体虚拟光罩，对该负型光阻层进行一激光直写曝光程序，并移除定义于每个该像素区的该负型光阻层；及固化未被移除的该负型光阻层以形成一黑矩阵结构。本发明专利技术运用激光直写曝光（Laser Direct Imaging,LDI）与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本的功效。降低工艺成本的功效。降低工艺成本的功效。
【技术实现步骤摘要】
具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法
[0001]本专利技术关于一种微发光二极管技术，特别关于一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法。
技术介绍
[0002]手持式移动设备，包括智能手机、平板电脑等，目前都已经内建有数码摄像机，甚至为了识别人脸的结构光、飞行时间法（TOF）等影像系统，都已为其所采用。然而，为了要采用这些高阶的影像感测系统，无论是智能手机或者是平板电脑，甚至是笔记本电脑等等，都需要有对应的硬体机构，来让这些影像系统能够在发射红外线或发射光源，以及接收反射的红外线或接收反射的光源等等，能够具有不被侧向漏光影响。微发光二极管显示器(Micro Light Emitting Diode Display, μLED)是一种将微发光二极管作为显示器的光发射元件的新世代显示器。此技术将LED薄膜化、微小化、阵列化至单一LED尺寸仅在1~10μm等级，再将μLED批量式移转至电路基板上，进行表面粘着后，与电路基板上的电极与电晶体、上电极、保护层等共同构成微发光二极管显示器所需的μLED面板。
[0003]μLED具有自发光、低功耗、响应时间快、高亮度、超高对比、广色域、广视角、 超轻薄、使用寿命长与适应各种工作温度的诸多优异特性，相较于 LCD 与 OLED，μLED的技术规格具有压倒性的优势。
[0004]然而，μLED于晶粒巨量移转并贴合至含电极的基板10之后，在个别晶粒发光过程中会有侧向混光与基板反射的问题，这两个状况均可能会导致像素不清晰、对比度降低等问题。因此，先前技术已采取黑矩阵（Black Matrix）的制作，来解决此一技术问题。
[0005]然而，在实际量产的过程，晶粒巨量移转的过程，难免有歪斜或晶粒摆设不均匀的问题，这导致了晶粒巨量移转过程良率无法提高。因为，若预先制作好黑矩阵，再进行巨量移转时，若晶粒摆设歪斜时，就必须进行晶粒重新校准。此外，在后续的维修上，亦可能反过来因为黑矩阵的隔绝，而造成更换晶粒不易的问题。
[0006]此外，黑矩阵的制作采用曝光显影的方法，必须预先准备光罩，当发生巨量移转过程时的晶粒歪斜问题时，光罩的准确性反而会导致量产良率过低的进一步问题。
[0007]因此，如何以提高量产良率、解决可能歪斜的晶粒摆置，进而制作出合适的黑矩阵结构，成为μLED技术发展的一个重要研发方向。
技术实现思路
[0008]本专利技术的目的在于，提供一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法，运用激光直写曝光（Laser Direct Imaging, LDI）与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。
[0009]本专利技术的目的在提供一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法，包含：对制作好数个微发光二极管的一基板进行光学影像扫描与演算并产生一实体虚拟光
罩，该实体虚拟光罩定义每个微发光二极管为一像素区；于该基板上形成一负型光阻层，该负型光阻层的厚度大于每个该微发光二极管的厚度；以该实体虚拟光罩，对该负型光阻层进行一激光直写曝光程序，并移除定义于每个该像素区的该负型光阻层；及固化未被移除的该负型光阻层以形成一黑矩阵结构。
[0010]可选地，该负型光阻层的厚度介于10~60微米。
[0011]可选地，该实体虚拟光罩依据各所述微发光二极管的一实体照片进行该像素区的定义，并于各所述微发光二极管当中的该微发光二极管发生歪斜时，使该像素区对应生成一歪斜的像素区。
[0012]可选地，该黑矩阵结构与该微发光二极管形成一小于1微米的间隔。
[0013]可选地，该黑矩阵结构与该微发光二极管形成一小于3微米的间隔。
[0014]可选地，该黑矩阵结构与该微发光二极管形成一小于5微米的间隔。
[0015]可选地，每个该像素区包含一个该微发光二极管。
[0016]可选地，每个该像素区包含三个该微发光二极管。
[0017]可选地，每个该像素区包含六个该微发光二极管。
[0018]可选地，还包含：形成一量子点层于各所述微发光二极管上的该像素区；及固化该量子点层。
[0019]本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法，运用激光直写曝光（Laser Direct Imaging, LDI）与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。
附图说明
[0020]图1，为本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的一实施例的流程图。
[0021]图2A至图2G，为专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的一实施例的流程中，各制作阶段的剖面示意图与成品上视图。
[0022]图3，为本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的另一实施例的流程图。
[0023]图4A至图4H，为本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的另一实施例的流程中，各制作阶段的剖面示意图、成品上视图。
[0024]图中：2、3：局部；10：基板；30：负型光阻层；30
‑1‑
1、30
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2、30
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3、30
‑1‑
4、30
‑1‑
5、30
‑1‑
6：像素区；31
‑1‑
1、31
‑1‑
2、31
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3、31
‑1‑
4、31
‑1‑
5、31
‑1‑
6：像素区；50：激光直写曝光头；51：激光；201
‑3‑
1、201
‑3‑
2、201
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3：电极层；
301
‑1‑
1、301
‑1‑
2、301
‑1‑
3：微发光二极管；401
‑3‑
1：量子点层。
具体实施方式
[0025]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。
[0026]根据本专利技术的实施例，本专利技术运用激光直写曝光（Laser Direct Imaging）与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。
[0027]请参考图1，同时参考图2A
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图2G，本专利技术的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法的一实施例的流程图与各制作阶段的剖面示意图与成品上视图，其中，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包含：对制作好数个微发光二极管的一基板进行光学影像扫描与演算并产生一实体虚拟光罩，该实体虚拟光罩定义每个微发光二极管为一像素区；于该基板上形成一负型光阻层，该负型光阻层的厚度大于每个该微发光二极管的厚度；以该实体虚拟光罩，对该负型光阻层进行一激光直写曝光程序，并移除定义于每个该像素区的该负型光阻层；及固化未被移除的该负型光阻层以形成一黑矩阵结构。2.如权利要求1所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该负型光阻层的厚度介于10~60微米。3.如权利要求1所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该实体虚拟光罩依据各所述微发光二极管的一实体照片进行该像素区的定义，并于各所述微发光二极管当中的该微发光二极管发生歪斜时，使该像素区对应生成一歪斜的像素区。4.如权利要求3所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方...
【专利技术属性】
技术研发人员：许铭案，
申请(专利权)人：许铭案，
类型：发明
国别省市：
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