具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法技术

一种具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法，其中该制造方法包含：形成一负型光阻层于一基板上，该负型光阻层由一负型光阻材料所构成；执行一软烤制程、一第一曝光制程、一显影制程，以形成欲制作的一保留图案区，该第一曝光制程对该负型光阻材料当中的部分形成第一次交联；执行一热处理制程，以使该保留图案区的表面形成一波浪纹路结构；执行一第二曝光制程，将该保留图案区的该负型光阻材料的剩余部分形成第二次交联而固化该波浪纹路结构；以及以一硬烤制程对已完成第二次交联的该负型光阻材料进行加热，以提高该波浪纹路结构的稳定性。据此，得到具有超低反射率的负型光阻层的特殊技术功效。的特殊技术功效。的特殊技术功效。

【技术实现步骤摘要】
具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法


[0001]本专利技术是关于一种抗反射技术，特别是关于一种具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]负型光阻材料，因其具有经过曝光、显影、烘烤制程（以上制程简称微影制程, photolithography）后而产生分子间的交联（cross
‑
linking）而固化的稳定特性，是作为永久性材料的其中一种。而由于负型光阻材料可通过微影制程而制作出高分辨率的永久性材料图案，例如，应用于液晶显示器制程当中的黑矩阵（Black Matrix）。
[0003]在微影制程中，为了要产生高分辨率的图案，为了控制好负型光阻材料的溶剂挥发量以及其与基板（例如玻璃或聚对苯二甲酸乙二酯，PET，polyethylene terephthalate）的黏着力（Adherence）， 就要控制好每一种负型光阻材料的软烤制程（Soft backing）的烘烤温度以及时间等等，以调配出目标配方（recipe）。同样地，在曝光的光源选择与曝光时间、曝光机的选择等，以及最后的硬烤制程（hard backing）等的综合配方，也是整个微影制程中所要掌控的。硬烤制程的配方可让即将成为永久层（permanent layer）的负型光阻层当中尚未挥发的溶剂挥发，并稳定化或平滑化光阻边缘等。
[0004]经过微影制程后，一般就可进行其他材料的沉积、蚀刻等等制程。然而，这个标准的负型光阻制程所制作出来的黑矩阵之类的永久层，其虽然为黑色的。但由于制程中的硬烤制程会让光阻的表面平滑化，而产生了较高反射率的状况。这种状况会让如彩色滤光片各个颜色的交接处（黑矩阵），产生些微的光反射，进而降低其色彩的表现效能。虽然此种状况目前尚可为大家所接受，但如何能降低如黑矩阵之类的永久层的光反射率，成为此
的专家们可发展的方向。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提出一种具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法，运用二次曝光与热处理法，于第一次曝光制程后，再通过热处理制程产生形成于负型光阻层上的波浪纹路结构，并于第二次的曝光制程固化该波浪纹路结构，进而借由此波浪纹路结构来作为抗反射层，以解决已知技术作为永久层的负型光阻层的较高反射率，而达到具有超低反射率的负型光阻永久层的特殊技术功效。
[0006]为达上述目的，本专利技术提出一种具有波浪纹路抗反射层的基板，包含：一基板；及一负型光阻层，永久形成于该基板上，该负型光阻层的上表面具有一波浪纹路结构，且该波浪纹路结构的波峰与波谷之间的高度差介于0.5至3微米之间，该波浪纹路结构的波峰与相邻波峰间的水平向间距介于3至30微米之间。
[0007]本专利技术另提出一种具有波浪纹路抗反射层的基板的制造方法，该制造方法包含：形成一负型光阻层于一基板上，该负型光阻层由一负型光阻材料所构成；执行一软烤制程、一第一曝光制程、一显影制程，以形成欲制作的一保留图案区，该第一曝光制程对该负型光
阻材料当中的部分形成第一次交联；执行一热处理制程，以使该保留图案区的表面形成一波浪纹路结构；执行一第二曝光制程，将该保留图案区的该负型光阻材料的剩余部分形成第二次交联而固化该波浪纹路结构；以及，以一硬烤制程对已完成第二次交联的该负型光阻材料进行加热，以提高该波浪纹路结构的稳定性。
[0008]以下在实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点，其内容足以使任何熟悉相关技艺者了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式，任何熟悉相关技艺者可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点。
附图说明
[0009]图1为本专利技术具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法的制造流程图；图2A至图2I为本专利技术具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法的制造流程的各阶段剖面示意图；图3A至图3C为本专利技术的制造流程中，热处理制程的不同烘烤时间的实际产品显微照片图；图4为本专利技术具有波浪纹路抗反射层的基板的反射率测试结果图。
[0010]附图中的符号说明：10：基板；20：负型光阻层；21、22：保留图案区；21
‑
1、22
‑
1：具有波浪纹路的保留图案区；30：热；40：紫外光；50：光罩；D1：高度差；T1：厚度；W1：水平向间距。
具体实施方式
[0011]本专利技术的具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法，是运用二次曝光与热处理法，于第一次曝光制程产生形成于负型光阻层上的波浪纹路结构，并于第二次的曝光制程固化该波浪纹路结构，进而借由此波浪纹路结构来作为抗反射层，以解决已知技术作为永久层的负型光阻层的较高反射率，而达到具有超低反射率的负型光阻永久层的特殊技术功效。
[0012]首先，请参考图1，本专利技术的具有波浪纹路抗反射层的基板的制造方法的制作流程图，请同步参考图2A至图2H的各个制程的剖面示意图，该制造方法包含：步骤S101：形成一负型光阻层于一基板上，该负型光阻层由一负型光阻材料所构成。如图2A所示，可运用喷涂制程，或运用旋转涂布制程来将负型光阻材料涂布于基板10之上，而形成负型光阻层20。负型光阻层20的负型光阻材料一般包含了光聚合物类的高分子、溶剂、感光剂、流平剂等（各家配方不同）。而光聚合物类的高分子（以下简称交联剂）的主体
结构可选自丙烯酸结构(亚克力结构, Acrylic base)、聚氨酯（Polyurethane base, PU base）结构、环氧结构(epoxy base)、聚氰胺结构(polycyanamide base)、酚醛结构(phenol aldehyde base)。重点在于，负型光阻材料需具有足够的流动性，让其可均匀地涂布于基板10上，即，让基板10上的负型光阻层20的厚度均匀一致。
[0013]步骤S102：执行一软烤制程、一第一曝光制程、一显影制程，以形成欲制作的一保留图案区，该第一曝光制程对该负型光阻材料当中的部分形成第一次交联。在步骤S101之后，即执行软烤制程（soft bake/Pre
‑
bake），让负型光阻层20当中的溶剂挥发，如图2B所示，于烤箱所产生的热30对基板10进行约摄氏80至120度的烘烤，时间可设定于30至120秒不等，端视负型光阻材料的配方而定。若负型光阻材料当中有流平剂的成分，可让负型光阻层20的表面较光滑，而提高分辨率。也有些负型光阻材料的配方并未加流平剂，同样可达到软烤制程后的表面平滑度要求。第一曝光制程即如图2C所示，运用一光罩50以紫外光40（UV, DUV, EUV等）对基板10进行曝光。当然，也可运用无光罩制程来进行曝光，例如，运用数字光线处理(Digital Light Processing，DLP)。
[0014]由于在第一曝光制程中，负型光阻层20的部分区域，也就是保留图案区被曝光，因此，被曝光的负型光阻材料中的交联剂产生了交联，进而成为较大而稳定的分子团，而不易被显影剂所溶解。未被曝光的负型光阻层20的部分区域，就会被接下来的显影制程中的显影剂所溶解，而构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有波浪纹路抗反射层的基板，其特征在于，包含：一基板；及一负型光阻层，永久形成于该基板上，该负型光阻层的上表面具有一波浪纹路结构，且该波浪纹路结构的波峰与波谷之间的高度差介于0.5至3微米之间，该波浪纹路结构的波峰与相邻波峰间的水平向间距介于3至30微米之间。2.根据权利要求1所述的具有波浪纹路抗反射层的基板，其特征在于，该负型光阻层的厚度介于2至40微米之间。3.根据权利要求2所述的具有波浪纹路抗反射层的基板，其特征在于，该厚度介于2至5微米之间。4.根据权利要求1所述的具有波浪纹路抗反射层的基板，其特征在于，该高度差介于1.3至1.8微米之间。5.根据权利要求1所述的具有波浪纹路抗反射层的基板，其特征在于，该水平向间距介于5至15微米之间。6.一种具有波浪纹路抗反射层的基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：形成一负型光阻层于一基板上，该负型光阻层由一负型光阻材料所构成；执行一软烤制程、一第一曝光制程、一显影制程，以形成欲制作的一保留图案区，该第一曝光制程对该负型光阻材料当中的部分形成第一次交联；执行一热处理制程，以使该保留图案区的表面形成一波浪纹路结构；以及执行一第二曝光制程，将该保留图案区的该负型光阻材料的剩余部分形成第二次交联而固化该波浪纹路结构。7.根据权利要求6所述的具有波浪纹路抗反射层的基板的制造方法，其特征在于，更包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：许铭案，
申请(专利权)人：许铭案，
类型：发明
国别省市：