【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构、方法及多工器
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是一种半导体封装结构、方法及多工器。
技术介绍
[0002]多工器的主要功能是将发射信号和接收信号隔离，包含发射通路和接收通路，每一条通路实际上都是由一组谐振器构成的滤波器，从而保证接收端和发射端都能同时正常工作，一般而言，多工器的发射端和接收端的频率范围差异并不会很大，这是由无线通信发射/接收所用的频段决定的，因此在设计上不会带来显著的面积差异。
[0003]但在一些场景下，发射端的发射通路和接收端的接收通路所占用晶片的面积会存在较大的差别，例如：
[0004](1)由于5G通信终端产品需要的双工器功率越来越高，而在一些应用下，例如对于移动设备(手机等)，发射端相比于接收端往往需要使用更大的功率，因此晶片也需要占用更大的面积，这一差值在目前的产品设计中越来越显著；作为另一个示例，在部分基站设备所用的多工器产品中，接收端的晶片面积往往要显著大于发射端的晶片面积。
[0005](2)使用不同设计结构的谐振器需要占用的面积也有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板的上表面包括容纳区域和焊接区域，所述容纳区域设置有容纳凹槽，所述焊接区域设置有第一焊盘；第一半导体器件，设置于所述基板的上表面，所述第一半导体器件在所述基板的上表面的垂直投影覆盖所述容纳区域；第一焊接凸块，所述第一导电凸块设置于所述第一焊盘上，用于电连接所述第一焊盘和所述第一半导体器件；第二半导体器件，设置于所述基板的容纳凹槽，所述第二半导体器件设置有第二焊盘；第二焊接凸块，所述第二焊接凸块设置于所述第二焊盘，用于电连接所述第二焊盘和所述第一半导体器件；覆膜层，所述覆膜层覆盖所述基板、所述第一半导体器件、所述第一焊接凸块、所述第二半导体器件和所述第二焊接凸块。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一半导体器件包括发射滤波器和接收滤波器中的一种，所述第二半导体器件包括发射滤波器和接收滤波器中的另一种。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二半导体器件，包括：至少一个发射滤波器和/或接收滤波器；其中，至少一个所述发射滤波器或所述接收滤波器并排设置于所述基板的所述容纳凹槽；其中，每个所述发射滤波器或所述接收滤波器分别与所述第一半导体器件电连接。4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二半导体器件，包括：至少一个发射滤波器和/或接收滤波器；其中，至少一个所述发射滤波器或所述接收滤波器叠层设置于所述基板的所述容纳凹槽；其中，每个所述发射滤波器或所述接收滤波器与相邻的所述发射滤波器或所述接收滤波器电连接，靠近所述第一半导体器件的所述发射滤波器或所述接收滤波器与所述第一半导体器件电连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二半导体器件与所述容纳凹槽的底面之间具有空隙。6.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板的上表面包括容纳区域和焊接区域；在所述基板的容纳区域形成容纳凹槽，在所述基板的焊接区域设置第一焊盘；在所述容纳凹槽内设置第二半导体器件，所述第二半导体器件设置有第二焊盘；在所述基板和所述第二半导体器件上设置第一半导体器件，使所述第一半导体器件在所述基板的上表面的垂直投影覆盖所述容纳区域，所述第一半导体器件通过第一焊接凸块与第一焊盘电连接，所述第一半导体器件通过第二焊接凸块与第二焊盘电连接；在形成塑封层之前，形成覆盖所述基板、所述第一半导体器件、所述第一焊接凸块、所述第二半导体器件和所述第二焊接凸块的覆膜层。7.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述基板和所述第二半导体
器件上设置第一半导体器件步骤，具体包括：在所述第一焊盘上或所述第一半导体器件靠近所述第二半导体器件一侧的第一位置设置第一焊接凸块；在所述第二焊盘上或所述第一半导体器件靠近所述第二半导体器件一侧的第二位置设置第二焊接凸块；将所述第一半导体器件设置于所述基板和所述第二半导体器件上，使所述第一半导体器件通过第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：周勇，高安明，路晓明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。