一种半导体封装结构及其制备方法技术

一种半导体封装结构及其制备方法，其中半导体封装结构包括：重布线结构，所述重布线结构包括布线层，自所述重布线结构的一侧表面延伸至部分厚度的重布线结构的空腔，所述空腔的底部暴露出部分布线层；倒装在所述重布线结构一侧的第一芯片，所述第一芯片的有源面一侧具有第一导电件，所述第一导电件位于所述空腔中且和所述空腔底部的布线层连接，所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的重布线结构的表面贴合连接；塑封层，覆盖所述重布线结构的一侧且覆盖所述第一芯片，所述塑封层与所述第一芯片的有源面不接触。所述半导体封装结构可利用扇出工艺实现功能芯片与其他芯片的集成。的集成。的集成。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种半导体封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着信息技术的发展，射频模组日益紧凑化与高速化。由于扇出型半导体封装结构具有体积小、寄生参数小、可实现芯片间高速互联等优点，使得在射频模组的封装领域有着广阔的应用前景。
[0003]声表面滤波器芯片(SAW)作为射频模组的重要组成部分，在对声表面滤波器芯片(SAW)进行封装时，为了确保声表面滤波器芯片的功能区不被污染，要求声表面滤波器芯片的下方必须设计一个空腔结构，为了实现对该功能区的封闭，通常在声表面滤波器芯片的背面采用覆膜工艺形成胶膜对该功能区进行封装保护，之后再进行塑封的封装方式，然而覆膜工艺与扇出封装工艺兼容性较差，导致射频模组难以与其他功能的芯片进行集成，使得半导体封装结构的功能较少，因此需要提供一种半导体封装结构。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体封装结构的功能较少的缺陷，从而提供一种半导体封装结构及其制备方法。
[0005]本专利技术提供一种半导体封装结构，包括：重布线结构，所述重布线结构包括布线层，自所述重布线结构的一侧表面延伸至部分厚度的重布线结构的空腔，所述空腔的底部暴露出部分布线层；倒装在所述重布线结构一侧的第一芯片，所述第一芯片的有源面一侧具有第一导电件，所述第一导电件位于所述空腔中且和所述空腔底部的布线层连接，所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的重布线结构的表面贴合连接；塑封层，覆盖所述重布线结构的一侧且覆盖所述第一芯片，所述塑封层与所述第一芯片的有源面不接触。
[0006]可选的，所述空腔的深度等于所述第一导电件的高度。
[0007]可选的，所述空腔底部的重布线结构还具有通孔，所述通孔与所述空腔连通。
[0008]可选的，所述通孔的宽度为10μm－50μm。
[0009]可选的，还包括：倒装在所述重布线结构一侧的第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片位于重布线结构的同一侧，所述第二芯片与所述重布线结构电连接，所述第二芯片底部的重布线结构的厚度大于所述第一芯片底部的重布线结构的厚度；位于所述第二芯片与所述重布线结构之间的底填胶层；所述塑封层还覆盖所述第二芯片和所述底填胶层。
[0010]可选的，所述第二芯片的有源面一侧具有第二导电件，第二导电件与所述重布线结构连接；所述底填胶层包围所述第二导电件的侧壁。
[0011]可选的，第一芯片包括声表面滤波器芯片。
[0012]本专利技术还提供一种半导体封装结构的制备方法，包括：形成重布线结构，所述重布线结构包括布线层；形成自所述重布线结构的一侧表面延伸至部分厚度的重布线结构的空
腔，所述空腔的底部暴露出部分布线层；提供第一芯片，所述第一芯片的有源面一侧具有第一导电件；将第一芯片倒装在所述重布线结构一侧，所述第一导电件置于所述空腔中且和所述空腔底部的布线层连接，所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的所述重布线结构的表面贴合连接；在所述重布线结构的一侧形成覆盖所述第一芯片的塑封层，所述塑封层与所述第一芯片的有源面不接触。
[0013]可选的，还包括：在将第一芯片倒装在所述重布线结构一侧之前，在所述空腔的底部的重布线结构中形成与所述空腔连通的通孔。
[0014]可选的，在所述重布线结构的一侧形成覆盖所述第一芯片的塑封层之前，还包括：在所述重布线结构一侧倒装第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片位于重布线结构的同一侧，所述第二芯片与所述重布线结构电连接，所述第二芯片底部的重布线结构的厚度大于所述第一芯片底部的重布线结构的厚度；在所述第二芯片与所述重布线结构之间形成底填胶层；形成塑封层之后，所述塑封层还覆盖所述第二芯片和所述底填胶层。
[0015]可选的，所述第二芯片的有源面一侧具有第二导电件，在所述重布线结构一侧倒装第二芯片之后，所述第二导电件与所述重布线结构连接；在所述第二芯片与所述重布线结构之间形成底填胶层的过程中，所述底填胶层包围所述第二导电件的侧壁。
[0016]本专利技术技术方案，具有如下优点：
[0017]本专利技术提供的半导体封装结构，所述重布线结构包括布线层，自所述重布线结构的一侧表面延伸至部分厚度的重布线结构的空腔，所述空腔的底部暴露出部分布线层；所述第一芯片倒装在所述重布线结构一侧，所述第一芯片的有源面一侧具有第一导电件，所述第一导电件位于所述空腔中且和所述空腔底部的布线层连接，所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的重布线结构的表面贴合连接；所述塑封层覆盖所述重布线结构的一侧且覆盖所述第一芯片，所述塑封层与所述第一芯片的有源面不接触。所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的重布线结构的表面贴合连接，且所述塑封层与所述第一芯片的有源面不接触，所述空腔可以确保第一芯片的功能区不被污染，实现了对第一芯片的功能区的保护，所述第一芯片通过第一导电件与重布线结构连接，这样有利于第一芯片与其他功能的芯片进行集成，所述半导体封装结构可利用扇出工艺实现功能芯片与其他芯片的集成。
[0018]进一步的，所述空腔的深度等于所述第一导电件的高度。这样所述第一导电件与所述空腔底部暴露出部分布线层连接的同时，还可以保证所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的重布线结构的表面贴合连接，可以确保第一芯片的功能区不被污染，实现了对第一芯片的功能区的保护。
[0019]进一步的，所述空腔底部的重布线结构还具有通孔，所述通孔与所述空腔连通，这样可以避免所述空腔的侧壁承受外界大气的压力，消除空腔与外界大气压之间的压力差过大而导致半导体封装结构发生破裂的风险，因此，所述半导体封装结构的可靠性较好。
[0020]本专利技术提供的半导体封装结构的制备方法，形成自所述重布线结构的一侧表面延伸至部分厚度的重布线结构的空腔，所述第一导电件置于所述空腔中且和所述空腔底部的布线层连接，所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的所述重布线结构的表面贴合连接，因此在形成空腔的同时又保证了第一芯片与重布线结构之间良好的电气连接，在所述重布线结构的一侧形成覆盖所述第一芯片的塑封层，所述塑封层与所述第一芯片的
有源面不接触；这样可以避免在形成塑封层的过程中对第一芯片的功能区造成污染，也可以更好地控制倒装第一芯片后第一芯片的功能区与重布线结构之间的间隙，因此所述半导体封装结构的制备方法可利用简单的扇出封装工艺实现对具有功能区的第一芯片与其他芯片的集成，因此所述半导体封装结构的制备方法不仅工艺简单且形成的半导体封装结构可实现的功能多。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本专利技术一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重布线结构，所述重布线结构包括布线层，自所述重布线结构的一侧表面延伸至部分厚度的重布线结构的空腔，所述空腔的底部暴露出部分布线层；倒装在所述重布线结构一侧的第一芯片，所述第一芯片的有源面一侧具有第一导电件，所述第一导电件位于所述空腔中且和所述空腔底部的布线层连接，所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的重布线结构的表面贴合连接；塑封层，覆盖所述重布线结构的一侧且覆盖所述第一芯片，所述塑封层与所述第一芯片的有源面不接触。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述空腔的深度等于所述第一导电件的高度。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述空腔底部的重布线结构还具有通孔，所述通孔与所述空腔连通；优选的，所述通孔的宽度为10μm－50μm。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：倒装在所述重布线结构一侧的第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片位于重布线结构的同一侧，所述第二芯片与所述重布线结构电连接，所述第二芯片底部的重布线结构的厚度大于所述第一芯片底部的重布线结构的厚度；位于所述第二芯片与所述重布线结构之间的底填胶层；所述塑封层还覆盖所述第二芯片和所述底填胶层。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二芯片的有源面一侧具有第二导电件，第二导电件与所述重布线结构连接；所述底填胶层包围所述第二导电件的侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，第一芯片包括声表面滤波器芯片。7.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：何晨烨，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：