一种光敏聚酰亚胺前体组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种光敏聚酰亚胺前体组合物，包括：100质量份的作为光敏聚酰亚胺前体的聚酰胺酸酯；0.1

【技术实现步骤摘要】
一种光敏聚酰亚胺前体组合物


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及聚酰亚胺
，尤其涉及一种光敏聚酰亚胺前体组合物。

技术介绍

[0002]半导体器件广泛用于制备各种电子产品，诸如电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。伴随着半导体芯片封装的高度集成化和小型化、便携化的发展趋势，对封装布线的密度要求越来越高，为了在相同的封装面积上能有密度更高的布线，则布线的线宽和线距需要大幅减小。在半导体芯片先进封装中（例如晶圆级封装、扇出型封装），布线层通常由图形化的聚酰亚胺介电层以及在填充镶嵌在其中的金属构成，其中，聚酰亚胺介电层图形化的精度和密度决定了布线层的密度。
[0003]光敏性聚酰亚胺（PSPI）材料一方面具备聚酰亚胺（PI）卓越的耐热性、耐化学性、介电性和机械性能，还可以作为光刻材料使用，因此广泛应用于集成电路芯片表面钝化以及晶圆级封装、面板级封装的表面再布线工艺，是晶圆级先进封装制程中的关键材料。传统的PSPI材料由于需要350℃以上的固化温度才能获得聚酰亚胺材料的各种优异性能，而如此高的固化温度下，在高密度扇出型晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光敏聚酰亚胺前体组合物，其特征在于，包括：100质量份的作为光敏聚酰亚胺前体的聚酰胺酸酯；0.1
‑
10质量份的含唑类结构的多臂结构化合物；1
‑
20质量份的自由基聚合单体；0.5
‑
10质量份的光引发剂；0.5
‑
10质量份的硅烷偶联剂；0.01
‑
5质量份的聚合抑制剂；50
‑
1500质量份的有机溶剂；所述含唑类结构的多臂结构化合物为唑类结构Z1与多臂单元Z2键接的化合物；所述唑类结构Z1选自以下所示结构中的任意一种或几种：；所述多臂单元Z2选自以下所示结构中的任意一种或几种：
。2.根据权利要求1所述的光敏聚酰亚胺前体组合物，其特征在于，所述聚酰胺酸酯具有如式（I）所示的结构：（I）；
式（I）中，X为4价含芳香基的有机基团，Y为2价含芳香基的有机基团，R1和R2分别独立地选自具有如式（II）所示结构的1价有机基团，n为2~150；（II）；式（II）中，R3、R4和R5分别独立地选自氢原子、碳原子数1~3的烷基；m为2~10。3.根据权利要求1所述的光敏聚酰亚胺前体组合物，其特征在于，所述自由基聚合单体选自（甲基）丙烯酸酯类化合物中的任意一种或几种，优选为双官能度（甲基）丙烯酸酯类化合物和三官能度（甲基）丙烯酸酯类化合物中的任意一种或几种。4.根据权利要求1所述的光敏聚酰亚胺前体组合物，其特征在于，所述光引发剂选自肟酯化合物、二苯甲酮、N,N'
‑
四甲基

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，单良，王宙东，周选智，孙蓉，张国平，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：