太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请实施例涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；半导体导电层，半导体导电层位于第一表面上；钝化层，钝化层位于半导体导电层远离基底的表面上；至少一个电极，电极位于钝化层远离基底的表面上，并贯穿钝化层与半导体导电层电接触，每一电极包括彼此电接触的第一子电极和第二子电极，在沿垂直于第一表面的方向上，第一子电极在半导体导电层内的延伸长度小于第二子电极在半导体导电层内的延伸长度。至少有利于降低太阳能电池的载流子汇集损耗，提高太阳能电池的光电转换效率。阳能电池的光电转换效率。阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及太阳能电池
，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。
[0003]当前的常规电池片中，电极由主栅和副栅所组成，太阳能电池产生的载流子大多数是通过在半导体导电层的横向传输被副栅收集，然后副栅上收集到的载流子传输到主栅上进行进一步汇集和输出。载流子在被副栅收集过程中的损耗对太阳能电池的电性能影响较大，为了降低载流子移动到副栅的难度和损耗，常用的方式是缩短相邻副栅之间的间隔，通过密栅的方式提高电池片的光电转换效率。但是，当前的方案容易带来较大的遮蔽效应和开模损伤。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于降低太阳能电池的载流子汇集损耗，提高太阳能电池的光电转换效率。
[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有第一表面；半导体导电层，所述半导体导电层位于所述第一表面上；钝化层，所述钝化层位于所述半导体导电层远离所述基底的表面上；至少一个电极，所述电极位于所述钝化层远离所述基底的表面上，并贯穿所述钝化层与所述半导体导电层电接触，每一所述电极包括彼此电接触的第一子电极和第二子电极，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第一子电极在所述半导体导电层内的延伸长度小于所述第二子电极在所述半导体导电层内的延伸长度。
[0006]在一些实施例中，所述电极包括第二子电极阵列，所述第二子电极阵列包括一个第二子电极组或者沿所述第一方向依次排布的多个所述第二子电极组，每一所述第二子电极组包括一个所述第二子电极或者沿第二方向间隔排布的多个所述第二子电极。
[0007]在一些实施例中，所述电极包括第二子电极阵列，所述第二子电极阵列包括一个第二子电极组或者沿所述第一方向依次排布的多个所述第二子电极组，每一所述第二子电极组包括沿第二方向依次排布的多个所述第二子电极，且在沿所述第二方向上，至少部分相邻的两个所述第二子电极之间接触连接。
[0008]在一些实施例中，同一所述电极中，所述第一子电极在所述第一表面的正投影的总面积大于所述第二子电极在所述第一表面的正投影的总面积。
[0009]在一些实施例中，在沿所述第一方向上，所述第二子电极的宽度为0.1μm至5μm。
[0010]在一些实施例中，同一所述电极中，各所述第二子电极在所述第一表面的正投影的面积之和，与所述电极在所述第一表面的正投影的面积的比值为0.1％至2％。
[0011]在一些实施例中，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第二子电极和所述第
一子电极在所述半导体导电层内的延伸长度的差值与所述第一子电极的长度的比值为0.1至2。
[0012]在一些实施例中，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第二子电极在所述半导体导电层内的延伸长度为0.05μm至5μm。
[0013]在一些实施例中，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述半导体导电层与所述第一子电极正对的部分的厚度为第一厚度，所述半导体导电层与所述第二子电极正对的部分的厚度为第二厚度，所述第而厚度与所述第一厚度的比值为0.1至0.9。
[0014]在一些实施例中，所述第二厚度为30nm至100nm。
[0015]在一些实施例中，所述第一厚度为60nm至150nm。
[0016]在一些实施例中，所述半导体导电层与所述第一子电极接触的表面上具有第一晶粒，所述半导体导电层与所述第二子电极接触的表面具有第二晶粒，所述第一晶粒表面任意两点之间的最大间隔大于所述第二晶粒表面任意两点之间的最大间隔。
[0017]在一些实施例中，所述第一晶粒表面上任意两点之间的最大间隔为30nm至200nm。
[0018]在一些实施例中，所述第二晶粒表面上任意两点之间的最大间隔为20nm至100nm。
[0019]在一些实施例中，在沿垂直于所述第一表面的方向上，正对所述第一子电极的所述第一表面上具有第三晶粒，正对所述第二子电极的所述第一表面上具有第四晶粒，所述第三晶粒的分布密度小于所述第四晶粒的分布密度。
[0020]在一些实施例中，所述半导体导电层包括载流子传输层、掺杂导电层或者发射极。
[0021]在一些实施例中，所述电极沿第三方向延伸，所述第一方向平行或垂直于所述第三方向。
[0022]相应的本申请实施例还提供了一种光伏组件，包括：电池串，所述电池串由多个上述的太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0023]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0024]本申请实施例提供的太阳能电池中，在进行贯穿钝化层，并与设置在基底第一表面上的半导体导电层电接触的电极设置过程中，将电极设置成由彼此电接触的第一子电极和第二子电极构成，并且使得在沿垂直与第一表面的方向上，第二子电极在半导体导电层内的延伸长度大于第一子电极在半导体导电层内的延伸长度。利用彼此电接触，且在半导体导电层内的延伸长度不同的第一子电极和第二子电极构成电极，通过形成在半导体导电层延伸长度较大的第二子电极缩短电极与待收集的部分载流子之间的间隔，降低载流子通过半导体导电层到达电极所需的传输距离，降低电极的载流子收集损耗，由于第二子电极在半导体导电层的延伸长度较大，增带了电极与半导体导电层的接触面积，进而降低了电极与半导体导电层的接触电阻，进一步降低了电极的载流子汇集损耗，提升太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
[0025]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0026]图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的剖视图；
[0027]图2为本申请一实施例提供的一种电极的俯视图；
[0028]图3为本申请一实施例提供的另一种电极的俯视图；
[0029]图4为本申请一实施例提供的又一种电极的俯视图；
[0030]图5为本申请一实施例提供的还一种电极的俯视图；
[0031]图6为本申请一实施例提供的一种半导体导电层部分表面的形貌示意图；
[0032]图7为本申请一实施例提供的另一种半导体导电层部分表面的形貌示意图；
[0033]图8为本申请另一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
[0034]由
技术介绍
可知，当前的太阳能电池通过与半导体导电层电接触的电极进行载流子汇集，为了降低载流子汇集损耗，通常采用密栅的方式进行栅线设置，即将相邻的副栅之间的间隔设置在一个比较小的范围内，降低载流子汇集过程中载流子传输到电极上所需的传输距离。由于密栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有第一表面；半导体导电层，所述半导体导电层位于所述第一表面上；钝化层，所述钝化层位于所述半导体导电层远离所述基底的表面上；至少一个电极，所述电极位于所述钝化层远离所述基底的表面上，并贯穿所述钝化层与所述半导体导电层电接触，每一所述电极包括彼此电接触的第一子电极和第二子电极，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第一子电极在所述半导体导电层内的延伸长度小于所述第二子电极在所述半导体导电层内的延伸长度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极包括第二子电极阵列，所述第二子电极阵列包括一个第二子电极组或者沿所述第一方向依次排布的多个所述第二子电极组，每一所述第二子电极组包括一个所述第二子电极或者沿第二方向间隔排布的多个所述第二子电极。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极包括第二子电极阵列，所述第二子电极阵列包括一个第二子电极组或者沿所述第一方向依次排布的多个所述第二子电极组，每一所述第二子电极组包括沿第二方向依次排布的多个所述第二子电极，且在沿所述第二方向上，至少部分相邻的两个所述第二子电极之间接触连接。4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述电极中，所述第一子电极在所述第一表面的正投影的总面积大于所述第二子电极在所述第一表面的正投影的总面积。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述第二子电极的宽度为0.1μm至5μm。6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，任一所述第二子电极在所述第一表面的正投影的面积，与所述电极在所述第一表面的正投影的面积的比值为0.1％至2％。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第二子电极和所述第一子电极在所述半导体导电层内的延伸长度的差值与所述第一子电极的长度的比值为0.1至2。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张彼克，廖光明，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：